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EPC新350V氮化??功率电晶体 比等效矽元件小20倍且成本更低 (2022.04.08)
宜普电源转换公司（EPC）推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 电晶体，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，?冲输出电流? 26 A。 EPC2050 的尺寸仅为 1.95 mm x 1.95 mm。与采用等效矽元件的解决方案相比，基於EPC2050的解决方案的占板面积小十倍 |
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ROHM建立8V闸极耐压150V GaN HEMT量产体制 (2022.03.29)
半导体制造商ROHM已建立150V耐压GaN HEMT?GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量产体制，该系列产品的闸极耐压（闸极-源极间额定电压）高达8V，非常适用於基地台、资料中心等工控设备和各类型IoT通讯装置的电源电路 |
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ST：发展碳化矽技术 关键在掌控整套产业链 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要。意法半导体汽车和离散元件产品部（ADG）执行??总裁暨功率电晶体事业部总经理Edoardo MERLI指出，由於全球能源需求正在不断成长，我们必须控制碳排放，并将气温上升控制在1 |
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ST第三代碳化矽技术问世 瞄准汽车与工业市场应用 (2022.03.14)
电源与能源管理对人类社会未来的永续发展至关重要，由於全球能源需求正在不断成长，因此必须控制碳排放，并将气温上升控制在1.5度以下，减排对此非常重要，但要实现这些要有科技的支援，包括可再生能源的利用，ST对此也有制定一些具体的目标 |
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下半年8寸基板将量产 第三类功率半导体2025年CAGR达48% (2022.03.10)
据TrendForce研究推估，第三类功率半导体产值将从2021年的9.8亿美元，至2025年将成长至47.1亿美元，年复合成长率达48%。
SiC适合高功率应用，如储能、风电、太阳能、电动车、新能源车等对电池系统具高度要求的产业 |
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Ampleon发布增强效能的第3代碳化矽基氮化??电晶体 (2022.02.23)
埃赋隆半导体（Ampleon）推出两款新型宽频碳化矽基氮化??（GaN-on-SiC）高电子迁移率电晶体（HEMT），功率等级分别为30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。这两款高线性度元件是最近通过认证并投入生产的第3代GaN-SiC HEMT制程的首发产品 |
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Power Integrations推出1700V SiC MOSFET高压切换开关 IC (2022.02.15)
Power Integrations在其 InnoSwitch 3-AQ 系列中新增了两款符合 AEC-Q100 标准、额定电压为 1700 伏特的 IC。这些新装置是业界首款采用碳化矽 (SiC) 一次侧切换 MOSFET 的汽车级切换电源供应器 IC |
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ROHM荣获EcoVadis的2021年永续发展最高评价「白金奖」 (2022.01.10)
半导体制造商ROHM在 EcoVadis（总部位于法国）的2021年永续发展调查中，获得最高评价「白金奖」，这是ROHM首次荣获该奖项。 「白金奖」是针对约80,000家评价对象中排名前1%企业所颁发的奖项 |
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中美矽晶布局化合物半导体 成功开发各尺寸晶圆产品 (2021.12.22)
中美矽晶集团积极发展化合物半导体，如碳化矽(SiC)、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、钽酸锂及铌酸锂等。在本届的国际光电大展中，中美矽晶集团携手旗下半导体子公司环球晶圆及转投资事业 |
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ST推出第三代碳化矽产品 推动电动汽车和工业应用未来发展 (2021.12.15)
意法半导体（STMicroelectronics，ST）推出第三代STPOWER碳化矽（SiC） MOSFET电晶体，推动最先进的技术在电动汽车动力传动系统功率设备的应用，以及在其他以功率密度、节能、高可靠性为重要目标的应用 |
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800V架构渐近 2025年电动车对6吋SiC晶圆需求将达169万片 (2021.12.01)
电动车市场对于延长续航里程及缩短充电时间有着极大需求，整车平台高压化趋势愈演愈烈，对此各大车企已陆续推出800V高压车型，例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等 |
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A*STAR微电子研究所和ST合作 研发电动汽车与工业用碳化矽 (2021.11.30)
科学技术研究局（A*STAR）微电子研究所（Institute of Microelectronics，IME）与意法半导体（STMicroelectronics）宣布，在汽车和工业市场功率电子设备用碳化矽（SiC）领域展开研发（R&D）合作 |
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ST隔离式SiC闸极驱动器问世 采用窄型SO-8封装节省空间 (2021.11.04)
意法半导体（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是为控制碳化矽MOSFET而优化的单通道闸极驱动器，其采用了节省空间的窄体SO-8封装，具备稳定的效能和精准的PWM控制。
SiC功率技术被广泛使用于提升功率转换效率，而STGAP2SiCSN SiC驱动器可简化节能型电源系统、驱动和控制电路设计以节省空间，并加强稳定性和可靠性 |
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安森美完成收购GT Advanced Technologies 强化碳化矽实力 (2021.11.02)
安森美(onsemi)，于美国时间11月1日宣布，已完成对碳化矽(SiC)生产商GT Advanced Technologies（「GTAT」）的收购，确保和增加SiC供应的能力。
安森美的客户将受益于GTAT在晶体生长方面的丰富经验，及其在开发晶圆就绪的SiC方面令人叹服的技术能力和专业知识 |
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「2021电源管理与电力设计研讨会」特别报导 (2021.10.27)
爱德克斯：高整合电驱系统当道 电机与电池模拟测试是关键
电动车产业正如火如荼的发展，包含台湾在内，各国政府也透过法令与补贴政策，全力推动电动车市场的成形 |
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ROHM荣获UAES SiC功率解决方案优先供应商殊荣 (2021.10.27)
半导体制造商ROHM荣获中国车界Tier1供应商—联合汽车电子有限公司（UAES）的SiC功率解决方案优先供应商殊荣。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在采用SiC功率元件的车电应用产品开发方面建立了合作伙伴关系 |
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正海集团与ROHM协议合资公司 发展碳化矽功率模组 (2021.10.22)
正海集团与ROHM签署合资协定，将共同成立一间主要经营功率模组事业的新公司。新公司名为上海海姆希科半导体有限公司（HAIMOSIC (SHANGHAI) CO., LTD.），计画于2021年12月在中国成立，出资比例为正海集团旗下的上海正海半导体技术有限公司占80%，ROHM占20% |
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中央大学携手是德 建立第三代半导体研发暨测试开放实验室 (2021.09.28)
是德科技（Keysight）携手国立中央大学光电科学研究中心（National Central University Optical Sciences Center），共同合作提高了GaN、SiC应用研发及测试验证之效率，并加速5G基建及电动车创新之步伐 |
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UnitedSiC推出最小导通电阻6mΩ SiC FET 耗损仅竞品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的应用正快速且广泛的成长中，尤其是电动车相关的市场，而SiC元件的性能优劣也成为供应商的决胜点。而专注于碳化矽元件技术开发的美商UnitedSiC（联合碳化矽），今日推出了一款业界最佳的750V SiC FET产品，该元件的导通电阻（RDS on）仅有6mΩ，仅有竞争对手SiC MOSFET产品的一半，并提供了5μs额定短路耐受时间 |
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应用材料助碳化矽晶片制造 加速升级至200毫米晶圆 (2021.09.09)
应用材料公司推出新产品，协助全球领先的碳化矽 (SiC) 晶片制造商，从150毫米晶圆制造升级为200毫米制造，增加每片晶圆裸晶 (die) 约一倍的产量，满足全球对优质电动车动力系统日益增加的需求 |
