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聯電推14奈米eHV FinFET平台 助力新一代智慧手機顯示技術創新 (2026.05.14) 聯華電子推出用於顯示驅動IC的14奈米嵌入式高壓(eHV) FinFET技術平台,並可提供製程設計套件供客戶進行設計導入。 |
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行動通訊與高速介面雙主題 安立知年度盛會引領通訊量測技術潮流 (2023.03.23) Anritsu 安立知年度技術論壇「Anritsu Tech Forum 2023」首度聚焦「行動通訊」與「高速介面」雙主題,結合了豐富精彩的專題演說內容,以及多款最新測試量測儀器與應用的展示,讓現場超過 500 位與會的產業菁英滿載而歸 |
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行動通訊與高速介面雙主題 安立知年度盛會引領通訊量測技術潮流 (2023.03.23) Anritsu 安立知年度技術論壇「Anritsu Tech Forum 2023」首度聚焦「行動通訊」與「高速介面」雙主題,結合了豐富精彩的專題演說內容,以及多款最新測試量測儀器與應用的展示,讓現場超過 500 位與會的產業菁英滿載而歸 |
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愛德萬測試:半導體長期趨勢不變 測試維持健康榮景 (2022.12.26) 在2022年,原本市場一片樂觀與看好,不過到了下半年景氣稍有下滑,預期在2023年也會再度出現景氣持續下滑的狀況。儘管短期來看,記憶體與SoC等市場都有下滑的跡象,但長期的成長趨勢則不會有所改變 |
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愛德萬測試:半導體長期趨勢不變 測試維持健康榮景 (2022.12.26) 在2022年,原本市場一片樂觀與看好,不過到了下半年景氣稍有下滑,預期在2023年也會再度出現景氣持續下滑的狀況。儘管短期來看,記憶體與SoC等市場都有下滑的跡象,但長期的成長趨勢則不會有所改變 |
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高通為台灣文化科技5G創新應用開啟全新里程碑 (2022.12.23) 為實現文化科技5G創新應用,在數位發展部數位產業署指導下,資策會結合高通的5G毫米波技術,打造了全台首座「5G行動製播服務系統(簡稱5G行動車)」,近期在兩廳院音樂劇《向左走向右走》展演期間,提供具高互動性的XR沉浸式體驗,充分運用5G毫米波超高速、低延遲、大頻寬的傳輸特性,為表演藝術及相關應用開啟全新視野 |
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高通為台灣文化科技5G創新應用開啟全新里程碑 (2022.12.23) 為實現文化科技5G創新應用,在數位發展部數位產業署指導下,資策會結合高通的5G毫米波技術,打造了全台首座「5G行動製播服務系統(簡稱5G行動車)」,近期在兩廳院音樂劇《向左走向右走》展演期間,提供具高互動性的XR沉浸式體驗,充分運用5G毫米波超高速、低延遲、大頻寬的傳輸特性,為表演藝術及相關應用開啟全新視野 |
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愛立信:5G在全球經濟挑戰中持續增長 (2022.12.20) 愛立信最新的《愛立信行動趨勢報告》預測,2022年底全球5G用戶數將達到10億,並將於2028年達到50億。儘管全球經濟前景不明,5G用戶數仍將比4G早2年突破10億大關(自推出年份估算),為迄今成長速度最快的通訊技術 |
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愛立信:5G在全球經濟挑戰中持續增長 (2022.12.20) 愛立信最新的《愛立信行動趨勢報告》預測,2022年底全球5G用戶數將達到10億,並將於2028年達到50億。儘管全球經濟前景不明,5G用戶數仍將比4G早2年突破10億大關(自推出年份估算),為迄今成長速度最快的通訊技術 |
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ADI攜手麻州大學 共建全新射頻及微波學習實驗室 (2022.11.11) 麻薩諸塞大學洛厄爾分校(UMass Lowell)、ADI和ADI基金會宣布聯手打造ADI射頻/微波學習實驗室,此先進實驗室並已於近日正式啟用。麻薩諸塞大學洛厄爾分校研究與創新副校長 |
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ADI攜手麻州大學 共建全新射頻及微波學習實驗室 (2022.11.11) 麻薩諸塞大學洛厄爾分校(UMass Lowell)、ADI和ADI基金會宣布聯手打造ADI射頻/微波學習實驗室,此先進實驗室並已於近日正式啟用。麻薩諸塞大學洛厄爾分校研究與創新副校長 |
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新思聯合安矽思與是德 針對台積電製程加速5G/6G SoC設計 (2022.11.08) 為滿足 5G/6G系統單晶片(SoC)對效能和功耗的嚴格要求,新思科技、安矽思科技與是德科技宣佈推出用於台積公司 16 奈米FinFET精簡型(16FFC) 技術的全新毫米波(mmWave)射頻 (RF)設計流程 |
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新思聯合安矽思與是德 針對台積電製程加速5G/6G SoC設計 (2022.11.08) 為滿足 5G/6G系統單晶片(SoC)對效能和功耗的嚴格要求,新思科技、安矽思科技與是德科技宣佈推出用於台積公司 16 奈米FinFET精簡型(16FFC) 技術的全新毫米波(mmWave)射頻 (RF)設計流程 |
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關於台積電的2奈米製程,我們該注意什麼? (2022.07.29) 台積在6月底正式宣布了他們的2nm技術藍圖,有什麼重要性?又會帶出哪些半導體製造技術的風向球?本文就從技術演進,以及市場競爭與成本的角度來切入分析。 |
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應用材料推出EUV延展2D微縮與3D閘極全環電晶體技術 (2022.04.25) 應用材料公司推出多項創新技術,協助客戶運用EUV持續進行2D微縮,並展示業界最完整的次世代3D閘極全環電晶體製造技術組合。
(圖一)繼2010年FinFET問世後,閘極全環 (GAA)電晶體將為晶片業帶來另一次重大設計轉折 |
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應用材料推出EUV延展2D微縮與3D閘極全環電晶體技術 (2022.04.25) 應用材料公司推出多項創新技術,協助客戶運用EUV持續進行2D微縮,並展示業界最完整的次世代3D閘極全環電晶體製造技術組合。
晶片製造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的電晶體密度 |
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英特爾加速製程與封裝創新 驅動領導力產品路線 (2021.07.28) 英特爾首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃,並宣布一系列基礎創新,為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外,尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案 |
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英特爾加速製程與封裝創新 驅動領導力產品路線 (2021.07.28) 英特爾首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃,並宣布一系列基礎創新,為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外,尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案 |
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加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10) 二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇,各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。 |
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微縮實力驚人 台積3奈米續沿用FinFET電晶體製程 (2020.06.04) 台積電終於在今年第一季的法人說明會裡,透露了其3奈米將採取的技術架構,而出乎大家意料的,他們將繼續採取目前的「FinFET」電晶體技術。 |