CTIMES雜誌

點石成晶
半導體材料製程再出發

可發光矽半導體材料發展動向
基於未來光學元件與積體電路整合的發展，矽（Silicon）半導體材料如果可以發光，主動元件之間的信號直接利用光線傳輸，屆時，包含電腦在內，電子產品的體積、功能、演算速度、電磁波干擾、發熱等問題可望被徹底改善。尤其P-Si內部具有無數個奈米大小的微細結構，一般認為其與可視光的特殊性質具有深厚的關係，因此P-Si的重要性受到全球相關業界高度囑目。

半導體料材技術動向及挑戰
半導體製造技術能否持續突破，材料一直扮演著重要的角色，從過去最早初的鍺（Germanium；Ge），到之後普遍運用的矽（Silicon；Si），而近年來又有更多的新樣與衍生，以下本文將針對此方面的新用材、新趨勢發展，以及現有的技術難度等，進行一番討論。

從SiP談構裝產業的積極角色
微電子大都會的建築師
就像大都會的建築，依照晶片接合結構來說，SiP大致上可三類：平面結構、堆疊結構以及內藏結構。其晶片可以經由陶瓷、金屬導線架、有機基板壓合或增層，甚至於矽基板或膠帶式軟性基板等來承載。而被動元件可以是經由焊接於基板的獨立元件，或者是內藏於基板成為基板結構體的一部份。

65到45：半導體製程微細化技術再突破
當半導體微細化製程從65奈米邁向45奈米、甚至晶片結構體尺寸將朝向32或是22奈米之際，我們將會面臨什麼未知的物理性質變化？為了追尋更微小體積、切割更多晶片的商業成本效益，我們的製程技術如何再進一步地去突破，會有什麼樣的材料正等待著我們去發掘？

與CMOS相容的嵌入式非揮發性記憶體之挑戰與解決方案
從類比微調應用中的位元級、一直到數據或代碼儲存的千位元等級，CMOS 相容的單一多晶片嵌入式 NVM 的應用範圍越來越廣。CMOS 的相容性設計，卻給工程師帶來必須克服保存和耐久性的挑戰，本文所介紹的一些機制和解決方案，可驗證出實驗結果與理論分析是趨於一致的。

晶圓級封裝產業現況
封裝技術的發展日新月異，晶片設計已經進入了奈米時代，封裝也由傳統配角的角色，漸漸躍居晶片設計的重要環節。WLCSP不僅僅讓晶片體積縮小，得以滿足消費電子的需求，SiP封裝更能使各種不同製程的晶片，順利整合為成單顆，達到SoC的設計精神。