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課程介紹 台灣LED產業結構中在生產製造部份已相當的完整,但關鍵材料與生產設備仍多仰賴進口,LED結構通常以MOCVD設備進行量產,但缺乏設備廠商支援,使我國LED產業難以維持競爭優勢。MOCVD磊晶需具備多方面知識備景,同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果。近年全球LED產業變化劇烈,在亞洲國家大舉投入下,陷入市場低價化與製造低毛利的嚴峻考驗。 國內廠商如何運用製程技術能力的領先與全球分工架構地位之優勢,在LED照明市場萌芽初期即建立我國產業競爭優勢,為我國LED產業持續發展關鍵。 本課程涵蓋技術與實務應用,從瞭解全球與台灣LED製程與設備產業發展現況到LED製程與設備產業發展趨勢與關鍵議題、以專利地圖分析目前三大MOCVD設備廠家(Aixtron、VEECO、Nippon Sanso) 之反應室設計、氣體引入設計、基板加熱與轉動設計、系統及基板傳送設計、氣體流量控制設計、檢測設備等分類進行設備探討。此外,現場實地介紹MOCVD設計,包括MOCVD磊晶製程周邊支援設施,如真空設備、尾氣處理設備、MO Source源介紹、毒氣偵側設備、反應腔體測漏技術、磊晶即時監控設備等紹MOCVD磊晶應該注意事項,並對MOCVD於磊晶可能面臨相關問題作一探討。 講師介紹 1.LED磊晶及MOCVD設備技術與專利分析 王副組長/工研院機械所固態光源機械技術部經理兼組研發經理 2.LED量測與真空鍍膜設備技術 楊副理/進光學檢測技術發展部 副經理 3.LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計 林教授/國立交通大學光電系統研究所助理教授 傅博士/工研院電光所 4.MOCVD磊晶技術製程實作研習班 林博士/工業技術研究院機械所工程師 其他內容 101/07/06(五)單元一:LED磊晶及MOCVD設備技術與專利分析 101/07/20(五)單元二: LED量測與真空鍍膜設備技術 101/08/03(五)單元三: LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計 101/08/17(五)單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班※本課程為實作課程 限額12位! 課程地點 科技大樓-台北市和平東路2段106號4樓 國立交通大學(新竹市大學路1001號)
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