課程介紹

台灣LED產業結構中在生產製造部份已相當的完整，但關鍵材料與生產設備仍多仰賴進口，LED結構通常以MOCVD設備進行量產，但缺乏設備廠商支援，使我國LED產業難以維持競爭優勢。MOCVD磊晶需具備多方面知識備景，同時MOCVD參數多樣將影響 Run機成果。近年全球LED產業變化劇烈，在亞洲國家大舉投入下，陷入市場低價化與製造低毛利的嚴峻考驗。 國內廠商如何運用製程技術能力的領先與全球分工架構地位之優勢，在LED照明市場萌芽初期即建立我國產業競爭優勢，為我國LED產業持續發展關鍵。

本課程涵蓋技術與實務應用，從瞭解全球與台灣LED製程與設備產業發展現況到LED製程與設備產業發展趨勢與關鍵議題、以專利地圖分析目前三大MOCVD設備廠家(Aixtron、VEECO、Nippon Sanso) 之反應室設計、氣體引入設計、基板加熱與轉動設計、系統及基板傳送設計、氣體流量控制設計、檢測設備等分類進行設備探討。此外,現場實地介紹MOCVD設計，包括MOCVD磊晶製程周邊支援設施，如真空設備、尾氣處理設備、MO Source源介紹、毒氣偵側設備、反應腔體測漏技術、磊晶即時監控設備等紹MOCVD磊晶應該注意事項，並對MOCVD於磊晶可能面臨相關問題作一探討。

講師介紹

1.LED磊晶及MOCVD設備技術與專利分析

王副組長/工研院機械所固態光源機械技術部經理兼組研發經理

2.LED量測與真空鍍膜設備技術

楊副理/進光學檢測技術發展部 副經理

3.LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計

林教授/國立交通大學光電系統研究所助理教授

傅博士/工研院電光所

4.MOCVD磊晶技術製程實作研習班

林博士/工業技術研究院機械所工程師

其他內容

101/07/06(五)單元一:LED磊晶及MOCVD設備技術與專利分析

101/07/20(五)單元二: LED量測與真空鍍膜設備技術

101/08/03(五)單元三: LED原理製程與高效能高功率InGaN LED設計

101/08/17(五)單元四: MOCVD磊晶技術製程實作研習班※本課程為實作課程 限額12位!

課程地點

科技大樓-台北市和平東路2段106號4樓

國立交通大學(新竹市大學路1001號)