samsung advance in cell touch 觸控技術說明
三星的做法,將感應層Rx用的圖案做在BM層的下面或用金屬BM直接做成 Rx的圖案,將Tx做在V com層上,由於只改變了BM層的圖案與V com層的圖案,其他的製程都沒改變,所以在生產上幾乎沒有困難,良率與開口率都不會降低,缺點在於觸控IC設計上有難以跨越的障礙,與Apple所面臨的相同,而 Rx與Tx的距離只有幾個微米 (um),比Apple更近,手指距離Tx,Rx太遠,會讓觸控變化量變的非常小,LCD內部的雜訊又非常大,如果沒有如SuperC_Touch所發明的微擾共振技術可以有效的抑制雜訊,提高感應的靈敏度的方法來設計觸控IC,要量產的困難將會發生在找不到可以使用的觸控IC上。