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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備 (2024.10.27)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新款EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）馬達驅動參考設計在直徑僅5公分的圓形PCB電路板上整合三相閘極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該電路板的休眠模式下功耗極低 |
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ROHM推出4款工業電源適用SOP封裝通用AC-DC控制器IC (2024.09.10)
ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC，非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產，包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54FJ-LB」、IGBT驅動用「BD28C57LFJ-LB」以及SiC MOSFET驅動用「BD28C57HFJ-LB」 |
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緯湃採用英飛凌CoolGaN電晶體打造高功率密度DC-DC轉換器 (2024.09.03)
在電動汽車和混合動力汽車中，少不了用於連接高電壓電池和低電壓輔助電路的DC-DC轉換器，而它對於開發更多具有低壓功能的經濟節能車型也很重要。由TechInsights的資料顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規模為40億美元，預計到2030年將增長至110億美元，預測期內的複合年增長率為15% |
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揮別續航里程焦慮 打造電動車最佳化充電策略 (2024.04.29)
隨著電動車持續發展，300英里成為標準，續航里程焦慮開始消散。
各國已制定不同的電動車標準，以因應不同的需求和應用。
透過實驗室模擬，才是驗證電動車和充電樁互通性的最佳方法 |
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筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18)
因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求，筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」，此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案，邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用，探究化合物半導體在矽光子的應用 |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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英飛凌全新 CoolMOS S7T系列整合溫度感測器性能 (2024.01.11)
英飛凌科技（Infineon）推出整合溫度感測器的全新 CoolMOS S7T 產品系列，具有出色的導通電阻和高精度嵌入式感測器，能夠提高功率電晶體接面溫度感測的精度，適用於提高固態繼電器（SSR）應用的性能和可靠性 |
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意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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意法半導體ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）率先推出通過USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）規範認證的整合化數位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP為ST-ONE系列中的第三款控制器，其輸出電壓為28V，可簡化最高額定功率140W的充電器和電源轉接器的開發設計 |
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意法半導體新款隔離式降壓轉換器晶片靈活可變 (2023.06.06)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出新款10W隔離降壓轉換器晶片L6983i，具備高效能、小包裝，以及低靜態電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優勢。
L6983i採用隔離降壓拓撲結構，需要的外部元件相較傳統隔離式返馳式轉換器少，並且不需要光耦合器，進一步節省物料清單成本和PCB面積，適合於需要隔離式DC-DC轉換器應用 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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電氣化趨勢不可逆 寬能隙技術助電動車市場躍升 (2023.04.17)
汽車動力系統正從內燃機轉向電動機，這是一個不可阻擋的趨勢。
寬能隙半導體材料在功率利用和開關頻率方面具有獨特的優勢。
只有寬能隙半導體能夠實現電動車的目標，協助汽車向永續出行的發展 |
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意法半導體ST-ONEMP數位控制器 簡化高效能雙埠USB-PD轉接器設計 (2023.02.10)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）的高整合度、高效能ST-ONE系列USB供電（USB-PD）數位控制器新增一個支援雙埠的ST-ONEMP晶片。
ST-ONEMP數位控制器採用市面第一個ST-ONE架構，在一個封裝內整合ArmR CortexR-M0+微控制器、高效能非互補有源鉗位返馳式控制器和USB-PD 3.1介面 |
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ST推出碳化矽功率模組 提升電動汽車性能及續航里程 (2022.12.19)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出了可提升電動汽車性能和續航里程之大功率模組。意法半導體的新碳化矽（SiC）功率模組已被用於現代汽車（Hyundai）的E-GMP電動汽車平台，以及共用該平台的起亞汽車（KIA） EV6等多種車款 |
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節能降耗勢在必行 寬能隙半導體發展加速 (2022.07.27)
寬能隙半導體擁有許多優勢，其節能效果非常出色。
碳化矽和氮化鎵兩種技術各有特點，各自的應用情境也有所不同。
寬能隙技術已經催生出一系列相關應用，協助達成碳中和的企業目標 |
