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歐洲科學家成功將量子運算核心元件縮小至晶片級別 (2025.02.11)
近期，歐洲科學家成功將量子電腦的核心元件縮小至晶片級別，為量子運算的普及化鋪平道路。這項突破性進展源自新加坡南洋理工大學（NTU）的研究團隊，他們開發出一種利用超薄材料產生糾纏光子對的方法，將量子運算的關鍵組件縮小了約1000倍 |
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高功率元件加速驅動電氣化未來：產業趨勢與挑戰 (2025.02.10)
高功率元件將成為實現全球電氣化未來的重要推動力。
產業需共同應對供應鏈挑戰、降低成本並提升技術創新速度。
最終助力實現更高效、更環保的全球能源管理體系 |
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Microchip 推出下一代低雜訊晶片級原子鐘 SA65-LN (2025.02.03)
在對尺寸、重量和功耗（SWaP）有嚴格要求的航太和國防應用中，開發人員需要超潔淨的計時設備。晶片級原子鐘 （CSAC）是這些系統的重要基準，可在傳統原子鐘體積過大或功耗過高以及其他衛星參考時鐘可能受到影響的情況下，提供必要的精確穩定計時 |
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乾式光阻技術可有效解決EUV微影製程中的解析度與良率挑戰 (2025.01.17)
隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點，製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中，乾式光阻（dry resist）技術的出現，為解決極紫外光（EUV）微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案 |
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CTIMES編輯群解析2025趨勢 (2025.01.10)
每年的一月，CTIMES編輯群們針對自身所關注的領域，提出各自對於科技產業的觀察心得與看法。今年AI應用在各產業所發揮的影響力更甚於以往，為產業增添許多的新變數，並持續為產業造就出更多的樣貌 |
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豐田合成GaN基板技術獲突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08)
豐田合成株式會社近日宣布，其提升氮化鎵(GaN)基板性能的技術已獲得驗證，能有效改善功率元件性能。相關研究成果已發表於國際固態物理學期刊。
更優異的功率元件在電力調節方面扮演關鍵角色，對於減少社會碳排放至關重要 |
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半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。 |
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IEEE公布2024十大熱門半導體文章 揭示產業未來趨勢 (2024.12.31)
IEEE spectrum日前精選了2024年最受歡迎的十大熱門半導體文章，作為回顧一整年的總結，同時也展望2025的新發展，以下就是其精選的內容：
1. 兆級電晶體GPU: 台積電預測十年內單個GPU將容納一兆個電晶體 |
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Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25% |
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Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求 |
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奈米科技助陣 微晶片快篩時代即將來臨 (2024.12.17)
全球面臨各種健康威脅，快速、可靠的居家診斷測試需求日益迫切。紐約大學坦登工程學院研發出突破性微晶片技術，可望實現多疾病同步檢測、數據即時傳輸，將居家診斷推向新紀元 |
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台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級 (2024.12.16)
台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產 |
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碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域 |
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臺大研發「薄膜碳捕捉」和「電化學碳轉化」技術 商轉潛力大 (2024.12.11)
台大學化工系康敦彥教授帶領的研究團隊，今日於國科會發表其自主研發的「薄膜碳捕捉」和「電化學碳轉化」兩項前瞻技術，有望大幅提升二氧化碳捕捉效率並將其轉化為有價值的化學品，為臺灣淨零碳排之路邁出重要一步 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程簡化與顯著的面積縮減，為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）開闢了微縮新途徑 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
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DigiKey推出Supply Chain Transformed第三季影集 (2024.12.05)
物流領域的不同層面正在經歷數位化轉型。DigiKey宣布首播第三季《Supply Chain Transformed》影集，由Omron Automation和onsemi 贊助播出。新的一季著重於推動物流產業未來發展的物聯網創新技術，運用擴增實境、無人機送貨系統等各種新技術，以及將人工智慧（AI）整合至物聯網 （IoT），傳統物流正經歷重塑，以便簡化營運及提高規模效率 |
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貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家談論氮化鎵技術）探討GaN技術如何徹底改變電力電子技術，達到比矽更高的效率、更快的開關速度和更大的功率密度 |
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多達50%，漏源電荷（Qoss）和閘極電荷（Qg）均減少了多達 60% |
