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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)正式推出第四代STPOWER碳化矽(SiC)MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求,還針對電動車(EV)動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化,在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿
吉利汽車與ST簽署碳化矽長期供應協定 共同推動新能源汽車轉型 (2024.06.05)
意法半導體第三代SiC MOSFET協助吉利汽車集團純電車型提升電驅效能 全球半導體廠商意法半導體(STMicroelectronics;ST)與全球汽車及新能源汽車車商吉利汽車集團宣佈,雙方簽署碳化矽(SiC)元件長期供應協議,加速碳化矽元件的合作
48 V低速電動車參考設計 微型交通技術加速發展 (2024.03.22)
許多國家致力於實現氣候目標,促使城市交通實現零排放。除了乘用汽車的電氣化之外,低速電動車也能做出重要貢獻。
高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。
ST:以全面解決方案 為工業市場激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
意法半導體透過2023年工業巡迴論壇,更進一步在不同城市,為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。 透過「激發智慧 永續創新」的主軸,與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹,親身體驗前沿技術和激發智慧的應用
ST:提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會,CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri,詳細闡述ST在工業領域的技術創新
英飛凌攜手Schweizer擴大晶片嵌入式領域 提高EV續航里程 (2023.05.15)
英飛凌和德國Schweizer Electronic公司宣佈攜手合作,透過創新進一步提升碳化矽(SiC)晶片的效率。雙方正在開發一款新的解決方案,旨在將英飛凌的1200 V CoolSiC晶片直接嵌入PCB板,以顯著提高電動汽車的續航里程,並降低系統總成本
意法半導體與采埃孚簽訂碳化矽元件長期供應協定 (2023.04.20)
意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)宣布與采埃孚科技集團(ZF)簽訂碳化矽元件長期供應協定。從2025年起,采埃孚將從意法半導體採購碳化矽元件。根據此長期採購合約,意法半導體將為采埃孚供應超過1,000萬個碳化矽元件
英飛凌推出單級返馳式控制器 可電池充電應用實現擴展設計 (2022.12.09)
採用電池供電的電器是業界增長最快的市場區塊之一,此類應用需要節能、穩健和高性價比的電池充電方案。為了滿足這一需求,英飛凌推出了適用於返馳式拓撲結構的ICC80QSG單級PWM控制器,進一步擴展了英飛凌旗下AC-DC控制器IC的產品陣容
認識線性功率MOSFET (2022.10.18)
本文針對MOSFET的運作模式,元件方案,以及其應用範例進行說明,剖析標準MOSFET的基本原理、應用優勢,與方案選擇的應用思考。
ST新款40V STripFET F8 MOSFET電晶體 具備節能降噪特性 (2022.08.02)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)推出新40V MOSFET電晶體STL320N4LF8和STL325N4LF8AG降低導通電阻和開關損耗,同時優化體寄生二極體之特性,降低功率轉換、馬達控制和配電電路的耗能和雜訊
英飛凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封裝提高靈活性 (2022.03.15)
英飛凌科技股份有限公司,推出全新採用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOS 5 25V和30V功率MOSFET產品系列,旨在為分立式功率MOSFET技術樹立全新的業界標準。這些新元件採用薄晶圓技術和創新的封裝,尺寸極小,卻具有顯著的性能優勢
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業航太和國防太空應用認證 (2021.06.09)
太空應用電源必須可以承受極端的太空環境,並在抗輻射技術環境中運作無礙,防止遭受到極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響失效發生事端,導致降低太空系統的效能並干擾運行
ROHM新型VCSEL模組 提高空間識別和30%雷射光源輸出功率 (2020.09.16)
半導體製造商ROHM研發出全新VCSEL模組技術,透過雷射光源中VCSEL的輸出功率的提升,實現了空間識別和測距系統(TOF系統)的高精度化。 傳統採用VCSEL的雷射光源中,作為光源的VCSEL產品和用來驅動光源的MOSFET產品在電路板上皆是個別安裝的
降低開關損耗 儒卓力供貨Rohm節能SiC-MOSFET (2020.08.26)
Rohm的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽閘結構(650V / 1200V)的碳化矽MOSFET元件,提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款,與傳統3引腳封裝類型(TO-247N)相比,可最大限度地提高開關性能,並將開關損耗降低多達35%
SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估 (2020.08.18)
本文透過模擬雪崩事件,進行非鉗位元感性負載開關測試,並使用不同的SiC MOSFET元件,依照不同的測試條件,評估技術的失效能量和魯棒性。
安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站,提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的
用於射頻前端模組的異質三五族CMOS技術 (2020.02.10)
隨著首批商用5G無線網路陸續啟用,愛美科為5G及未來世代通訊應用準備了下世代的行動手持裝置。
宜特跨攻MOSFET晶圓後段製程整合服務 (2018.06.30)
隨著電子產品功能愈來愈多元,對於低功耗的要求也愈來愈高, MOSFET成為車用電子、電動車勢不可擋的必備功率元件,而在目前市面上產能不足,客戶龐大需求下,宜特科技宣布正式跨入「MOSFET晶圓後段製程整合服務」
東芝推出最新工業用及工廠自動化應用光繼電器 (2018.05.24)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社推出針對建築自動化系統、安全設備和半導體測試器等工業用與工廠自動化應用光繼電器IC – TLP3122A,並已開始量產出貨。 其採用最新U-MOS IX製程MOSFET元件,有效降低導通電阻,且為小型4引腳SO6封裝,提供高達60V斷態輸出端電壓(VOFF)、1.4A導通電流(ION)以及高達4.2A導通脈衝電流


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10 意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備

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