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紐約大學理工學院和法國CEA-Leti合作開發12吋晶圓磁性記憶體元件 (2024.06.25)
紐約州立大學理工學院(NYCREATES)和法國電子暨資訊技術實驗室(CEA-Leti)，宣布建立戰略研發夥伴關係，初期將聚焦於用於儲存電腦數據的磁性記憶體元件的研發，並將在300mm晶圓上進行生產 |
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工研院與台積合作開發SOT-MRAM 降百倍功耗搶HPC商機 (2024.01.17)
面對現今人工智慧（AI）、5G構成的AIoT時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用須快速處理大量資料，要求更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體成為各家大廠研發重點 |
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ROHM推出SOT-223-3小型封裝600V耐壓Super Junction MOSFET (2023.12.12)
近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升，對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」，適用於照明用小型電源、空調、泵浦和馬達等應用 |
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Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝 (2023.10.17)
Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。
與標準SOT-223封裝相比，這款新產品的SOT-223-2L封裝移除中間引腳，將漏極與閘極之間的引腳間距，從1.386毫米增加到超過4毫米間距增加簡化寬輸入電壓電源的隔離管理，實現精巧的印刷電路板佈局 |
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B5G－全面智慧互聯(2023.5第378) (2023.05.02)
B5G是指5G之後的下一代通信技術，
B5G具備更高的智能化水平，支持智能路由和自我優化等技術，
實現更高效、更可靠和更穩定的網路。
B5G的發展將為未來的智慧化、互聯化、數位化應用，
提供更快速、更廣泛、更可靠、更安全的通信支持 |
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創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰 |
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貿澤提供廣泛英飛凌產品組合 持續擴大其最新解決方案範圍 (2023.02.17)
貿澤電子（Mouser Electronics）為英飛凌的全球原廠授權代理商，供應各種英飛凌解決方案。從2008年起，貿澤持續擴大來自該製造商的最新解決方案範圍，並不斷加入新產品 |
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貿澤供應英飛凌通用型MOSFET 滿足電源轉換和管理應用 (2022.11.30)
貿澤電子（Mouser Electronics）供應多款英飛凌通用型MOSFET。對於正在尋找MOSFET以求滿足專案、定價或物流要求的設計人員，英飛凌提供廣泛的高電壓和低電壓MOSFET產品組合，能為各種應用提供彈性、價值和調整能力 |
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TI：提高功率密度 有效管理系統散熱問題 (2022.10.21)
幾乎各種應用的半導體數量都在加倍增加，電子工程師面臨的許多設計挑戰都與更高功率密度的需求息息相關。
‧超大規模資料中心：機架式伺服器使用大量的電力，這對於想要因應持續成長需求的公用事業公司和電力工程師構成一大挑戰 |
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經濟部發表新研發成果 領先三星推出最快磁性記憶體 (2022.09.14)
經濟部技術處SEMICON Taiwan科技專案成果主題館於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展覽館一館四樓N0662攤位正式登場！共展出33項創新技術！首先最吸睛的技術，是由工研院攜手多家台灣大廠，完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片，達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度，效能領先南韓大廠20% |
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工業儲存技術再進化！ (2022.08.26)
近年來，半導體先進製程微縮趨勢帶動下，加上AI人工智慧、5G與AIoT等科技加速推進，3C設備、智慧家電、智慧汽車、智慧城市到國防航太等領域都可以應用大量晶片記錄海量數據 |
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工研院攜手台積、陽明交大 在VLSI發表頂尖磁性記憶體技術 (2022.06.15)
工研院在今（15）日宣布，與台積電合作開發世界前瞻的自旋軌道扭矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque Magnetoresistive Random Access Memory；SOT-MRAM）陣列晶片；另外，工研院也攜手國立陽明交通大學，研發出工作溫度橫跨近400度之新興磁性記憶體技術 |
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為台灣嵌入式記憶體技術奠基 國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片 |
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「2021電源管理與電力設計研討會」特別報導 (2021.10.27)
愛德克斯：高整合電驅系統當道 電機與電池模擬測試是關鍵
電動車產業正如火如荼的發展，包含台灣在內，各國政府也透過法令與補貼政策，全力推動電動車市場的成形 |
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Microchip發表高精度參考電壓(Vref) IC 為汽車應用提供極低的漂移 (2021.10.11)
用於汽車和工業應用的擴展級溫度範圍的參考電壓IC需要低漂移、高可靠性和高效能。Microchip Technology Inc.宣佈推出一款高精度參考電壓（Vref）IC，以高性價比滿足這些需求 |
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Microchip高精度參考電壓(Vref) IC為汽車應用的溫度範圍提供極低漂移 (2021.10.08)
在汽車和工業應用領域的擴展級溫度範圍的參考電壓IC，需要低漂移、高可靠性和高效能。Microchip推出一款高精度參考電壓（Vref）IC，以高性價比滿足這些需求。新元件的加入使Vref產品陣容更佳完整，並提供高可靠性和AEC-Q100認證 |
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Microchip為高溫車載應用提供精確和節能的電流監測解決方案 (2021.02.18)
隨著自動化和聯網功能在整個汽車和工業市場日益普及，在高頻雜訊環境下精確測量動態電流的需求常常困擾著現代汽車和工廠應用。為應對電子雜訊環境並滿足更高精度的電流測量需求，Microchip Technology Inc.今日推出符合AEC-Q100 Grade 0 認證標準、具有業界最低偏移(offset)電壓的上端電流檢測放大器 |
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ROHM推出1cm2超小型車電MOSFET 滿足設備高密度需求 (2020.10.08)
近年來，隨著汽車電子化加速，汽車電子和半導體元件數量也呈現增加趨勢。因此，必須要在有限的空間裡安裝更多元件，使安裝密度也能夠越來越高。例如，1個車電ECU中的半導體和積層陶瓷電容的平均使用數量，預計將從2019年的186個，增加約三成至2025年的230個 |
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英飛凌推出BCR431U LED驅動IC 提供低電流LED更多設計彈性 (2020.06.10)
英飛凌科技推出一款恆定電流的線性LED驅動IC BCR431U，能在調節LED電流時提供較低的電壓降。該產品為新一代BCR系列的第二款產品，具有低壓降特性，針對最高37mA的電流所設計 |
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英飛凌推出具備 TDI且超高功率密度的超小型閘極驅動器IC (2020.04.20)
每當 SMPS 內的功率 MOSFET 導通或關閉時，寄生電感會產生地準位浮動，可能造成閘極驅動 IC 的誤觸發。為避免這樣的結果，英飛凌科技旗下具成本效益且尺寸精巧的 EiceDRIVER 1 EDN TDI (真差分輸入) 1 通道閘極驅動器系列新推出一款裝置 |
