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CGD與工研院合作 共同開發氮化鎵電源 (2024.05.31)
無晶圓廠潔淨技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）與工業技術研究院（ITRI）簽署合作備忘錄，以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係。
CGD致力於開發多種節能的氮化鎵（GaN）器件，以實現更環保的電子元件 |
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Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體 |
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英飛凌CoolSiC功率模組 推動節能電氣化列車邁向低碳化 (2023.06.05)
為了實現全球氣候目標，交通運輸必須轉用更加環保的車輛，比如節能的電氣化列車。然而，列車運行有嚴苛的運行條件，需要頻繁加速和制動，且要在相當長的使用壽命內可靠運行 |
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NIO選用安森美VE-Trac Direct SiC主驅功率模組 達到最高能效 (2022.05.13)
安森美（onsemi），昨日宣佈全球汽車創新企業蔚來（NIO Inc.）為其下一代電動車（EV）選用安森美的最新VE-TracTM Direct SiC功率模組。
這以碳化矽（SiC）為基礎的功率模組使電動車的續航里程更遠、能效更高，加速度也更快 |
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安森美推出TOLL封裝SiC MOSFET 小尺寸封裝高性能低損耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展會發佈全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化矽（SiC）MOSFET。該電晶體滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關元件迅速增長的需求。直到最近，SiC元件一直採用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝 |
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安森美將於2022 PCIM Europe展示高能效電源方案 (2022.04.28)
安森美（onsemi），將在2022年5月10日至12日於德國紐倫堡舉行的PCIM Europe推出一系列全新的電源方案。
安森美於PCIM Europe的展示攤位將有不同最新技術的現場展示，展示這些技術如何賦能開發領先市場的電動車、能量儲存、智能電源等解決方案 |
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馬達變頻器內的關鍵元件: 功率半導體 (2021.04.20)
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。 |
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TRENCHSTOP IGBT7：工業驅動器的理想選擇 (2020.09.30)
變速驅動器（VSD）相較於以機械節流進行的定速運作，能夠節省大量電力。IGBT7適合需要高效率和功率密度的變速驅動器使用。 |
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英飛凌推出硫化氫防護功能產品 助力延長IGBT模組壽命 (2020.07.09)
強固性及可靠性決定了模組在嚴峻應用環境中的使用壽命。尤其是暴露於硫化氫(H2S)的環境，對於電子元件的使用壽命更有嚴重的影響。為解決此項威脅，英飛凌科技開發了一項全新的防護功能，推出搭載TRENCHSTOP IGBT4晶片組的EconoPACK+模組，是Econo系列第一款為變頻器應用提供此防護等級的產品 |
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英飛凌助力開發光伏發電1500VDC串接型逆變器 (2020.04.07)
陽光電源公司(Sungrow)推出高達250kW 裝機容量的SG250HX系列串接式光伏逆變器，該產品先前已於2019年歐洲國際太陽能技術博覽會（Intersolar Europe）上亮相。該逆變器採用英飛凌科技的定制化EasyPACK 3B功率模組並搭載最新的TRENCHSTOP和CoolSiC晶片技術 |
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英飛凌 Easy 系列推出新封裝 提供目前最豐富的12 mm無基板功率模組產品組合 (2019.05.07)
英飛凌科技 旗下 Easy 產品系列新增 Easy 3B 新封裝，加上既有的 Easy 1B 與 2B 封裝，在高12mm無基板的功率模組中成為最豐富的產品組合。Easy 3B 是延伸現有逆變器設計的理想平台，可以輸出更高的功率且其在機構方面不需過多的改變 |
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安森美半導體將於歐洲PCIM 2019推出新款IGBT產品 (2019.04.30)
安森美半導體（ON Semiconductor）將於5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基於碳化矽（SiC）的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅動器。
AFGHL50T65SQDC採用最新的場截止IGBT和SiC蕭特基二極體（Schottky Diode）技術 |
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EiceDRIVER 搭配 CoolMOS CFD2 可實現優異冷藏效率 (2018.10.25)
本文說明閘極驅動器電路有效設計的基本考量，以及結合運用 EiceDRIVER IC 及 CoolMOS CFD2 所帶來的效益。 |
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Littelfuse SiC蕭特基二極體降低能源成本和空間要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247蕭特基二極體和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263蕭特基二極體，擴充其碳化矽電源半導體產品組合。
相比矽二極體，GEN2碳化矽蕭特基二極體可顯著降低開關損耗，並大幅提高電力電子系統的效率和可靠性 |
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EPC公司於PCIM Asia 2018 探討無線電源及雷射雷達技術 (2018.06.25)
宜普電源轉換公司（EPC）於中國上海與功率管理工程師會面，並討論關於針對大於30 W功率高度諧振無線功率接收器、內建同步整流FET的E類整流器；及採用eGaN FET、120 A、少於10納秒脈衝及佔板面積小於3平方釐米的千瓦級雷射驅動器 |
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英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體 結合效能與耐用性 (2018.06.19)
英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相，該款肖特基二極體已準備就緒，可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用 |
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美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。
這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片 |
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英飛凌全SiC模組開始量產 (2017.09.01)
更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系統成本：這些都是碳化矽 (SiC) 電晶體的主要優點。英飛凌科技(Infineon) 於去年PCIM展會發表的全SiC模組EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡PCIM展會上，英飛凌展示了其他1200 V CoolSiC MOSFET系列的模組平台和拓樸，將碳化矽技術的潛力發揮到全新境界 |
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英飛凌分離式IGBT推出TRENCHSTOP先進絕緣封裝版本 (2017.05.18)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技(Infineon)推出最新的TRENCHSTOP先進絕緣封裝技術，包括 TRENCHSTOP 和 TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT 兩種版本，擁有同級最佳的散熱效能以及更簡易的製程 |
