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盛美半導體大舉拓展立式爐產品組合 迅速導入超高溫熱製程產線 (2021.03.26)
半導體製造與晶圓級封裝設備供應商盛美半導體設備今日宣佈，為其300mm Ultra Fn立式爐幹法製程設備產品系列，增加了更多的先進半導體製程，包含非摻雜的多晶矽沉積、摻雜的多晶矽沉積、柵極氧化物沉積、高溫氧化和高溫退火 |
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盛美半導體推出功率元件立式爐設備 提升IGBT製程合金退火性能 (2020.12.24)
隨著電晶體變薄、變小和速度變快，合金退火功能對滿足絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）元件不斷增長的生產要求至關重要。因此，半導體製造與晶圓級封裝設備供應商盛美半導體近日宣佈，其開發的Ultra Fn立式爐設備擴展了合金退火功能，將立式爐平台應用拓展到功率元件製造領域 |
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