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CGD與Qorvo合作開發馬達控制應用的GaN參考設計及評估套件 (2024.06.07)
無晶圓廠潔淨技術半導體Cambridge GaN Devices（CGD）致力於開發氮化鎵（GaN）器件，近日與全球連接和電源解決方案供應商Qorvo合作開發 GaN 在馬達控制應用中的參考設計和評估套件（EVK） |
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意法半導體推出靈活同步整流控制器 提升矽基或氮化鎵功率轉換器效能 (2024.05.14)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）新款SRK1004同步整流控制器降低採用矽基或GaN電晶體之功率轉換器的設計難度並提升轉換效能，目標應用包括工業電源、攜帶式裝置充電器和AC／DC轉接器 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。 |
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ST隔離式SiC閘極驅動器問世 採用窄型SO-8封裝節省空間 (2021.11.04)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGAP2SiCSN是為控制碳化矽MOSFET而優化的單通道閘極驅動器，其採用了節省空間的窄體SO-8封裝，具備穩定的效能和精準的PWM控制。
SiC功率技術被廣泛使用於提升功率轉換效率，而STGAP2SiCSN SiC驅動器可簡化節能型電源系統、驅動和控制電路設計以節省空間，並加強穩定性和可靠性 |
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ST和Exagan攜手開啟GaN發展新章節 (2021.08.17)
GaN的固有特性，讓元件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較於同尺寸的矽基元件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。 |
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ROHM研發出150V GaN獨創結構 將閘極耐壓提升至8V (2021.04.14)
半導體製造商ROHM針對工控裝置和通訊裝置等電源電路，將150V GaN HEMT（GaN元件）的閘極耐壓（閘極-源極額定電壓）提升至8V。
近年來，在伺服器系統等設備中，由於IoT裝置的需求日益增長，功率轉換效率的提升和裝置小型化已成為開發重點 |
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ST推出隔離式閘極驅動器 可安全控制碳化矽MOSFET (2021.03.30)
半導體供應商意法半導體（ST）宣布推出STGAP系列隔離式閘極驅動器的最新產品STGAP2SiCS，可安全控制碳化矽（SiC）MOSFET，且作業電源電壓高達1200V。
STGAP2SiCS能夠產生高達26V的閘極驅動電壓，將欠壓鎖定（UVLO）閾壓提升到15.5V，滿足SiC MOSFET開關二極體正常導電要求 |
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使用多功能相位擴展器讓升壓轉換器功率翻倍 (2020.12.18)
設計多相位升壓轉換器時，困難處在於連接誤差放大器的輸出和相位控制器的回饋接腳，以確保實現平衡均流和正確的相位同步。 |
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SiC MOSFET適用的PI SCALE-iDriver符合AEC-Q100汽車認證 (2020.03.18)
中高壓變頻器應用閘極驅動器技術廠商Power Integrations(PI)今日宣佈推出用於碳化矽(SiC) MOSFET的高效單通道閘極驅動器SIC118xKQ SCALE-iDriver，該產品現已通過AEC-Q100認證，可供汽車使用 |
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PI推出用於緊壓包裝IGBT模組的SCALE-2隨插即用閘極驅動器 (2020.03.04)
中高壓變頻器應用的閘極驅動器技術廠商Power Integrations(PI)今日推出1SP0351 SCALE-2 單通道+15/-10V隨插即用閘極驅動器，專為來自Toshiba、Westcode和ABB等製造商的全新4500V緊壓包裝IGBT(PPI)模組而開發 |
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Power Integrations SCALE-iDriver IC現已通過汽車AEC-Q100認證 (2018.06.12)
Power Integrations宣佈其SCALE-iDriver閘極驅動IC系列的兩個成員現已通過AEC-Q1001級認證，可供汽車使用。
SID1132KQ和SID1182KQ這兩個零件適用於驅動650V、750V和1200V汽車IGBT和SiC-MOSFET模組，其額定峰值電流分別為+/-2.5A和+/-8A |
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智慧功率模組用於汽車高壓輔助馬達負載應用 (2017.11.09)
整合的智慧功率模組將對汽車功能電子化發揮關鍵作用，促成新一代簡潔、高能效可靠的馬達驅動器，免除內燃機的機械式驅動負荷。 |
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150V同步降壓DC/DC控制器不需外部湧浪保護元件 (2017.06.12)
亞德諾半導體(ADI)旗下的凌力爾特(Linear Technology)日前推出高壓非隔離式同步降壓開關穩壓器控制器 LTC7801，該元件採用精小的24接腳封裝，以用來驅動全N通道MOSFET功率級。其4V至140V (150V絕對最大值) 輸入電壓範圍專為採用高輸入電壓電源或具有高電壓湧浪的輸入操作而設計，因此不需增設外部湧浪抑制元件 |
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英飛凌SiC MOSFET新技術 讓功率轉換設計效能再創高峰 (2016.05.11)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本 |
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凌力爾特推出雙組輸出、升壓+降壓同步 DC/DC 控制器 (2016.03.31)
凌力爾特（Linear Technology）日前推出雙組輸出（升壓+降壓）、低靜態電流同步DC/ DC控制器LTC7813。當級聯時，其獨立的升壓及降壓控制器可從高於、低於或等於輸出電壓的輸入電壓調節輸出電壓，並可在冷啟動和負載突降的情況下保持輸出穩壓 |
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Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供電池反向保護 (2015.11.05)
Diodes公司推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護。電子控制單元在愈來愈多車用控制應用內使用，有些汽車更安裝了多達80個電子控制部件 |
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凌力爾特雙組輸出同步降壓控制器具備可調的5V至10V 閘極驅動器 (2015.04.17)
凌力爾特（Linear）日前發表高壓雙組輸出同步降壓DC / DC控制器LTC3892。當一組輸出運作時只耗29uA的靜態電流，兩組均運作時則只耗34uA。4.5V至60V的輸入供應範圍專為提供高壓瞬變之保護而設計，可於汽車冷啟動時確保連續操作，並包含廣泛的輸入源及電池化學 |
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Diodes推出適用於高電流應用裝置的雙相位降壓控制器 (2014.05.19)
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙相位同步整流降壓控制器AP3595，可為分散式高功率架構提供高度整合的電路支援。AP3595每相位的操作頻率可於50Hz到1MHz之間調節，提供高達60A的輸出電流，並滿足高端圖像處理器和核心記憶體磁芯的需求 |
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凌力爾特高端、高頻 MOSFET 閘極驅動器具備 -55°C 至150°C 操作接面溫度範圍 (2013.10.02)
凌力爾特（Linear Technology Corporation）日前發表高端、高頻N通道MOSFET閘極驅動器LTC4440A-5 ，可透過高達80V的輸入電壓操作，並可於達100V的瞬變過程連續操作。該驅動器可與功率MOSFET、凌力爾特的眾多DC / DC控制器之一結合，以構成一完整的電源方案 |
