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力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由於7奈米及更先進製程愈趨複雜昂貴，正採用不同方法來提高效能，亦即降低工作電壓並使用新IP區塊來強化12奈米節點，而這些改變對於AI加速器特別有效。 |
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Arm實體IP用於台積電22奈米ULP/ULL 最佳化主流行動與物聯網SoC (2018.05.04)
Arm宣布旗下Arm Artisan實體IP將使用在台灣積體電路製造股份有限公司針對基於Arm架構的SoC開發的22奈米超低功耗(ultra-low power ；ULP)與超低漏電(ultra-low leakage； ULL)平台，台積電22奈米ULP/ULL針對主流行動與物聯網裝置進行最佳化，不僅提昇基於Arm架構的SoC效能，與台積電前一代28奈米HPC+平台相比，更顯著降低功耗及晶片面積 |
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意法半導體選擇GLOBALFOUNDRIES 22FDX 擴展其FD-SOI平台 (2018.01.11)
GLOBALFOUNDRIES （格羅方德半導體，GF）宣布意法半導體（ST）選擇GlobalFoundries 22奈米 FD-SOI（22FDX）技術平台，以支援用於工業及消費性應用的新一代處理器解決方案。
意法半導體在業界部署28奈米FD-SOI技術平台後，決定擴大投入及發展藍圖，採用GlobalFoundries生產就緒的22FDX製程及生態系統，提供第二代FD-SOI解決方案，打造未來智慧系統 |
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中國大陸晶圓代工廠衝刺28奈米製程 (2017.04.10)
隨著聯電廈門子公司聯芯的28奈米先進製程計畫在今年第二季正式量產，TrendForce旗下拓墣產業研究院指出，中國大陸本土晶圓代工廠今年將衝刺在28奈米先進製程的佈局，進度最快的本土晶圓代工廠為中芯國際與華力微電子，然而，隨著外資紛紛於中國大陸設立晶圓廠，本土晶圓代工廠面臨技術、人才、市場上的直接競爭壓力 |
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GLOBALFOUNDRIES推出22奈米FD-SOI技術平台 (2015.07.15)
為滿足下一代連網裝置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES推出研發的最新半導體技術：22FDX平台，能達到如FinFET的性能和能效，成本趨近於28奈米平面式（Planar）技術，適用於不斷推陳出新的主流行動、物聯網、RF連結及網路市場 |
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艾訊新款15吋IP65寬溫觸控平板電腦適用於智慧工廠 (2015.02.24)
艾訊公司（Axiomtek）全新發表超薄型無風扇全平面觸控式平板電腦GOT3156T-834，配備15吋 XGA（1024 x 768）TFT 觸控式螢幕，400 nits 高亮度呈現清晰的視覺效果，並配備符合工業級IP65等級防水強固標準前面板，保護系統免受液體侵害 |
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奈米新世界 (2014.11.13)
隨著奈米元件在多項領域裡不斷被預期能大幅提升效率，
奈米相關研究在學術界裡扮演的角色也越趨重要，
然而衍生的理論皆與傳統的元件物理大相逕庭，
要在奈米科技世代裡嶄露頭角勢必要提前布局 |
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英特爾 22奈米詳細介紹簡報檔-英特爾 22奈米詳細介紹簡報檔 (2011.09.15)
英特爾 22奈米詳細介紹簡報檔 |
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英特爾的22奈米晶體管技術革命-英特爾的22奈米晶體管技術革命 (2011.08.30)
英特爾的22奈米晶體管技術革命 |
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我挺摩爾定律！ (2011.05.27)
台積電董事長張忠謀四月底一席「半導體摩爾定律將在6至8年到達極限」的言論，再次引發業界對於摩爾定律是否能夠延續的討論。身為全球最大半導體整合製造商，英特爾五月初正式對外公佈可量產的立體三閘電晶體技術（3-D Tri-Gate transistors），這項技術自2002年開始發展，將是半導體產業能否繼續按照摩爾定律往下走的重要依據 |
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英特爾22奈米的3D三柵極晶體管簡報檔-英特爾22奈米的3D三柵極晶體管簡報檔 (2011.05.06)
英特爾22奈米的3D三柵極晶體管簡報檔 |
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2010先進半導體製程材料分析研討會 (2010.06.09)
為協助半導體產業改善先進製程材料所帶來的失效問題，宜特科技特舉辦此研討會，與客戶分享在材料分析領域上的實戰經驗，包括對表面分析極為靈敏的Auger、能定點切中奈米級(22nm以上)區域的 Dual Beam FIB以及超高解析度的TEM(穿透式電子顯微鏡) |
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後摩爾定律時代 (2009.09.27)
知名物理學大師費曼早在多年前就預測：「其實下面還有許多空間」，英特爾科學家摩爾也據此提出晶圓效能與密度每18個月就會擴增一倍的「摩爾定律」。雖然多年來半導體工業隨著摩爾定律而蓬勃發展 |
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ASM研發提升45nm High-k製程1倍產量的ALD技術 (2009.02.09)
ASM日前宣佈，其已成功開發出一種高速原子層沈積製程，能夠為45nm high-K 閘極製程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的產量，進而延伸在關鍵原子層沉積(ALD)市場的領導地位。
新的高速ALD製程是專門設計在ASM的Pulsar製程模組上運作，並可使用既有的反應爐設備設計透過專利的製程最適化技術達成產能的提升 |
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18吋晶圓有譜 半導體製造聯盟2010年推設備樣本 (2008.10.29)
外電消息報導，國際半導體製造聯盟（International Sematech）日前表示，18吋晶圓的生產設備樣本，將有望在2010年推出，而提供試產線(pilot line)使用的設備，也將在2012年問世 |
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聯電致力發展22奈米以下製程12吋晶圓 (2008.08.04)
半導體研究開發協會美國Sematech與聯電（UMC）在2008年7月28日共同宣佈，聯電已經決定加盟Sematech。據了解，聯電加盟該協會之後，未來將致力於研發包括22nm以後製程技術的12吋晶圓技術 |
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羅門哈斯亞洲科技中心開幕 (2008.07.10)
羅門哈斯電子材料(Rohm and Haas Electronic Materials)CMP Technologies事業部宣布在台灣新竹的亞洲科技中心(ATC)正式開幕。ATC的成立使CMP Technologies事業部更密切地與以亞洲為基地的客戶進行合作，並協助客戶最有效地使用高階 CMP製程與耗材，同時提供整個亞太地區的工程與技術支援 |
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瑞薩可實現32 nm及後續世代製程SRAM之技術 (2007.06.14)
瑞薩科技近日宣佈開發可有效實現32 nm（奈米）及後續世代製程SRAM之技術，使內建於晶片（on-chip）之SRAM可整合至微處理器或SoC（系統單晶片）。
這項新開發的技術利用SOI（Silicon On Insulator）技術，並個別控制組成SRAM之三種電晶體主體（底層部分）之電位，以大幅擴大SRAM的作業邊際（margin） |
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65到45：半導體製程微細化技術再突破 (2006.11.27)
當半導體微細化製程從65奈米邁向45奈米、甚至晶片結構體尺寸將朝向32或是22奈米之際，我們將會面臨什麼未知的物理性質變化？為了追尋更微小體積、切割更多晶片的商業成本效益 |
