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現在與未來 藍牙通訊技術的八個趨勢 (2024.02.21)
藍牙裝置出貨量穩定上升,預計2027年將達76億件,年複合成長率達9%。藍牙技術聯盟也公布了LE Audio及Bluetooth LE技術的未來趨勢:更大傳輸頻寬、支援5GHz或6GHz頻段,以及位置資訊更精準
看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時,人工智慧應用越來越廣泛,未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性,需要經過改良的高性能半導體技術
新一代單片式整合氮化鎵晶片 (2022.05.05)
氮化鎵或氮化鋁鎵(AlGaN)的複合材料能提供更高的電子遷移率與臨界電場,結合HEMT的電晶體結構,就能打造新一代的元件與晶片。
邏輯元件製程技術藍圖概覽(上) (2020.11.10)
愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長,將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。
Nordic推出藍牙5.2單晶片nRF52805 採用尺寸最佳化WLCSP封裝 (2020.06.22)
Nordic Semiconductor宣佈推出nRF52805單晶片系統(SoC),支援藍牙5.2技術功能,是深受歡迎且經過市場驗證的nRF52系列的第七款產品。nRF52805 SoC支援功耗超低的低功耗藍牙(Bluetooth Low Energy /Bluetooth LE)技術,採用晶圓級晶片封裝(WLCSP),尺寸僅有2.48 x 2.46mm
安森美半導體推出900V和1200V SiC MOSFET 用於高要求高增長應用 (2020.03.11)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor)推出另兩個碳化矽(SiC)MOSFET系列,擴展了其寬能隙(WBG)元件系列。這些新元件適用於各種高要求的高增長應用,包括太陽能逆變器、電動汽車(EV)車載充電、不斷電電源設備(UPS)、伺服器電源和EV充電站,提供的性能水準是矽(Si)MOSFET根本無法實現的
安森美半導體推出全新中壓N型通道MOSFET陣容 (2015.05.19)
推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor),針對資訊網路、電信和工業應用推出新的高能效單N型通道功率MOSFET系列,進一步擴大其廣泛的產品陣容。 這些器件能提供低得令人難以置信的傳導電阻RDS(on)值,從而將傳導損耗降至最低並提升整體工作效能
新美亞公發佈新款具有使用者友好型軟體和資料檢索功能高精度溫控器 (2013.12.09)
新美亞公司是Oven Industries 在中國的獨家經銷商。Oven公司重點推出了其具有易操作軟體的溫控器。 符合RoHS的5R7-388型溫控器具有雙向控制功能,可以用於獨立熱電模組,或者是協同輔助或補充電阻加熱器進行製冷和制熱應用
海水淡化晶片 (2010.03.23)
麻省理工學院的科學家,研發出一種新的水淡化技術,將有望生產出能運用在災區(如海地地震或卡崔納颱風),具備小型可攜和可遙控的功能的水淨化裝置。此技術由一層矽晶結構所組成,圖中紅色的Y型通道是淨化路徑,海水會從右側流入,而新鮮的水從左側低位流出,而高鹽分的水則是從上層的路徑排出
光放大器生產線自動化量測系統(下) (2003.01.05)
光放大器是長距離傳輸系統不可或缺的重要元件,在上一篇已經介紹過摻鉺光纖放大器的特性與光放大器量測系統,本文將就光譜燒孔、極化燒孔特性與光放大器的量測方法作一完整的介紹


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