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延續矽晶未來 先進研究露曙光 (2013.01.24)
當矽晶微縮達到極限時，若要繼續提升電晶體效能，
只能求諸新材料，期望以更佳的遷移率，來延續矽晶的未來發展。 |
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超越矽晶(1) III-V族取代矽晶機會濃 (2012.11.22)
半導體製程微縮已近尾聲，儘管研究人員運用超薄SOI、high-k閘極電介質、雙閘CMOS、三維FinFET等各種技術，一般認為矽晶CMOS將於2020年微縮至10至7奈米，便真正面臨極限。
那麼，2020年後的半導體產業將會是甚麼樣貌？除了蓋18吋超大晶圓廠、發展3D IC技術外，還有甚麼樣的可能性？
耶魯大學電機工程教授及中央研究院院士馬佐平博士(T |
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