 |
英飛凌推出新一代80V與100V功率MOSFET 電源效率再升級 (2021.03.22)
英飛凌科技推出StrongIRFET 2新一代功率MOSFET技術的80V和100V產品。新產品擁有廣泛的經銷供貨通路和出色的性價比，成為設計人員可以便利選購的理想產品。該產品系列針對高、低切換頻率進行最佳化，可支援廣泛的應用範圍，提供高度的設計靈活性，可受益於StrongIRFET的應用包括SMPS、馬達驅動、電池充電工具、電池管理、UPS及輕型電動車 |
|
英飛凌CoolSiC MOSFET與TRENCHSTOP IGBT推出新封裝 (2019.08.07)
相較於傳統 3 階中點箝位拓撲，進階中點箝位 (ANPC) 變頻器設計可支援半導體裝置間的均勻損耗分佈。英飛凌科技旗下1200V系列混合式 SiC 與 IGBT 功率模組新增採用 ANPC 拓撲的 EasyPACK 2B封裝 |
 |
英飛凌專為50Hz至20kHz的低切換頻率設計全新等級 IGBT (2015.01.30)
英飛凌科技（Infineon）推出全新等級的低飽和電壓 VCE(sat) IGBT，專為 50Hz 至 20 kHz 的低切換頻率所設計，適用於不斷電系統（UPS）以及太陽光電與焊接系統中的變頻器等應用 |
 |
三相位轉換器之建置與操作 (2002.08.05)
以具有極度瞬間響應（transient response）的低電壓供應穩定的電流，是IT電力管理的主要科技驅動器要素。本文將討論目前提供電力給 GHz 等級與 CPU 時所需要之 DC-DC 轉換器的特別要求、多相位拓樸學的優點，以及使用完整三相位同周期脈寬調變調節器積體電路的Intel VRM9.0 的建置情形 |
