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日昌光電採用Tektronix高速串列解決方案 成立高速數位服務測試中心 (2019.12.02)
全球示波器廠商Tektronix今日宣佈,日昌光電選購Tektronix完整解決方案,成立高速數位服務測試中心。涵蓋儲存(Storage)、資料中心(Datacom)、顯示器(Display)等各項測試,採用Tektronix DPO73304SX、MSO72504DX、MSO64、BSX320、 CR286A與DSA8300等高速設備及周邊高速治具,進而協助客戶快速解決測試相關問題
南亞最快明年達成DRAM全球市佔一成目標 (2007.03.12)
據南亞科技總經理連日昌表示,南亞首座十二吋廠三A廠明年底便將達到每月6萬2000片的產能,到時候南亞將擁有超過一成的全球市佔率,並且也將正式進軍NAND Flash市場。而第二座十二吋廠三B廠也會在今年下半開始動工興建
期許台灣四大DRAM場共同落實研發PCM (2005.07.13)
台灣四大DRAM廠12日在工研院力邀下,簽署一份未來三年內為次世代記憶體技術共同出資新台幣1.2億元的合約,不過歷來所有DRAM大廠每年研發費用動輒數10億元,這樣的資金對於台灣DRAM而言,有如九牛一毛,更何況各家DRAM廠均有其各自的合作夥伴,要達成共同研發次世代記憶體技術的機率,可說是微乎其微
黃崇仁獲選為TSIA第五屆理事長 (2004.12.19)
台灣半導體產業協會年度會員大會於12月14日落幕,會中選出第五屆理監事,新當選之理事共15席,包括晶圓製造類:聯電副董事長張崇德、茂德資深副總經理梅倫、南亞總
光電所發表穿隧巨磁電阻效應機制自旋電晶體技術 (2004.04.05)
工研院光電所日前宣布成功研發奈米級技術──穿隧巨磁電阻效應機制自旋電晶體(Spin transistor),該技術為我國自行研發,且磁電流變化率更是凌駕世界水準,目前正申請歐、美、日等國專利,預期將可帶動台灣自旋電子產業發展,以爭取廣大商機
工研院光電所開發出室溫高效益自旋電晶體技術 (2004.04.02)
奈米自旋電晶體是目前非常新穎及極具市場潛力之明星產品,工研院光電所於新竹工研院中興院區舉辦「自旋電晶體成果發表會」,會中展示已成功研發出之穿隧巨磁電阻效應機制的自旋電晶體
華亞12吋廠動土 預計2004年產能達2萬片 (2002.12.02)
昨日南亞與德商英飛凌(Infineon)舉辦合資DRAM廠華亞半導體12吋晶圓廠動土典禮,並且對外表示,預計2004年下半年該廠完成建置,估計每月產能將達2萬片,到時將以0.11微米製程量產512Mb DRAM,2006可望達5萬片產能水準
國家型奈米科技計劃研擬完成 (2002.06.05)
由國科會委託相關研究機構規畫的國家型奈米科技計劃,已初步研擬完成。未來六年,政府預計投入231億元推動奈米科技發展,並成立專案辦公室,統籌執行奈米科技事務
奈米科技研發中心成立 (2002.01.17)
工研院奈米科技研發中心16日成立,公佈奈米中心運作模式,首屆正、副主任分別由工研院副院長楊日昌、及企劃處處長蘇宗粲兼任,今年投入7.45億元,明年經費預算17億元
億恆接觸三家台商,尋求DRAM業合併 (2001.11.02)
歐洲第二大半導體製造商億恆公司(Infinoen)董事長舒馬克(Ulrich Schumach-er)1日表示,正與三家台灣晶片製造商洽談合資成立記憶體公司的相關事宜。 不過德國金融時報表示,舒馬克只是間接發表評論
中日DRAM價格崩跌,廠商出招應對 (2001.08.07)
台灣及日本的DRAM製造廠商,面臨嚴重供過於求所帶來的價格重挫壓力,採取不同的方式因應。有鑑於虧損實在龐大,日本半導體大廠恩益禧(NEC)已於二日宣佈關閉製造;不過台灣製造DRAM的各廠如華邦電、世界先進、力晶等,仍然以股價等方式撐持當中
工研院五年投入百億發展奈米技術 (2001.07.27)
工研院計畫於91年1月成立「奈米技術中心」,初期將以從台積電回收、位於工研院院區內的台積電一廠做為基地,五年內總計將投入上百億元。目前與奈米技術有關的分項計畫,包括奈米電子、奈米材料、奈米生物、檢測與設備,及設立奈米技術中心,至於奈米生物部分,預計在93年等材料及化工等基礎研究有相當基礎後才會投入
工研院明年初成立奈米科技研究中心 (2001.07.18)
由於預見科學技術將朝更微小化發展,工研院院長史欽泰十七日表示,工研院將在明年初成立奈米科技研究中心,利用台積電在工研院內一廠騰出的空間,結合電子、材料、化工、光電及生醫等技術,發展奈米相關應用產品


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