CTIMES - 絕緣閘雙載子電晶體

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科技
典故

第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

工研院電子所積極開發IGBT先進製程技術 (2001.02.13)
為了將雙載子電晶體和金氧半電晶體相結合，以得到一個有絕緣閘輸入並有低導通電阻的功率元件，而促成了絕緣閘雙載子電晶體(IGBT)的研究發展。國內的工研院電子所目前也正積極研究此先進製程技術，並表示最快在3月份完成IGBT的驗證工作，其規格則可做到電壓600伏，電流30安培