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CTIMES / Patrice Gamand
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
飛利浦針對不斷融合微波應用發布矽基BiCMOS技術 (2005.10.17)
皇家飛利浦電子公司日前發布QUBiC4X,此為最新一款採用高性能BiCMOS處理技術(雙極互補金屬氧化物半導體,Bipolar CMOS)並已獲得極大成功的QUBiC4系列產品之一。運用矽鍺碳(SiGe:C)技術的新製程讓雙極晶體管的fT指標超過了130GHz,非常適合10GHz到30GHz範圍之間的微波應用,例如衛星電視接收器和汽車碰撞探測雷達

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