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科技 典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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凌力爾特FMEA 相容 45V LDO 具備 3μA IQ (2013.04.12) 凌力爾特 ( Linear Technology Corporation )日前發表高壓、微功耗、強固的PNP LDO 系列之最新元件LT3007,元件並具有3μA超低靜態電流。LT3007的高輸入電壓能力涵蓋2.0V至45V,可調輸出電壓範圍為0.6V至44.5V,可操作於各式應用 |
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