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意法半導體推出1500V超接面功率MOSFET讓電源應用環保又安全 (2015.11.09)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性及安全系數。MDmeshTM K5產品是擁有超接面技術優勢及1500V漏極-源極（drain-to-source）崩潰電壓（breakdown voltage）的電晶體，並已獲亞洲及歐美主要客戶導入於其重要設計中 |
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Fairchild新型SuperFET II MOSFET系列提供最低通導電阻與廣泛封裝範圍 (2015.03.10)
高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET 系列，具備廣泛的封裝選項以及最低的通導電阻（Rdson）與輸出電容（Coss）。全新產品陣容協助設計人員針對需要600V / 650V以上的崩潰電壓的高效能解決方案，改善效率、成本效益與可靠度，更減少了元件數量，精簡機板空間，為設計人員帶來更大的彈性 |
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意法半導體新650V超接面MOSFET提升安全系數 (2014.12.02)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）的最新超接面（super-junction）功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求，同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項 |
IAB是Internet Activities Board的簡稱，意即美國網路廣告組織，是一個專門管理與觀察美國網路廣告活動的一個機構。
