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CTIMES / 絕緣矽片
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
ADI發表具備插入損耗的精小LGA封裝44GHz矽切換開關 (2018.06.11)
亞德諾半導體(ADI)推出採用先進絕緣矽片(SOI)技術的44GHz單刀雙擲(SPDT)切換開關產品ADRF5024和ADRF5025。 兩款新型切換開關均為寬頻產品,可分別在100MHz至44GHz、9kHz至44GHz範圍內提供平坦的頻率響應,且兩者的可重複特性優於1.7dB的插入損耗和35dB的通道間隔離

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