CTIMES - 工業電源控制

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第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。

英飛凌SiC MOSFET新技術讓功率轉換設計效能再創高峰 (2016.05.11)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本

英飛凌全新高功率模組平台免權利金授權業界封裝設計 (2014.12.16)
英飛凌科技（Infineon）推出兩款全新功率模組平台，提升1200V 至6.5kV 電壓等級中高壓 IGBT 的效能。為讓更多廠商享有此全新模組的效益，英飛凌以免權利金的方式，授權此設計給所有 IGBT 功率模組供應商