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3奈米制程将是晶圆代工厂的颠峰之战 (2019.10.01)
有能力将半制程推进到7奈米以下的业者，仅剩三星电子和台积电，谁能在3奈米技术中胜出，谁就有希望取得绝对的市场优势。 |
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格芯成立独资ASICs设计子公司 并重整FinFET发展蓝图 (2018.08.28)
格芯(GLOBALFOUNDRIES) 宣布重要的转型计画，延续 Tom Caulfield年初就任执行长所订定的发展方向。格芯依据 Caulfield 订定的策略方向重整技术组合，以高度成长市场客户为目标，聚焦在供应真正的差异化方案，将重新调整先进FinFET发展蓝图，并成立独资子公司设计客制 ASICs |
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格芯成立独资子公司设计客制 ASICs并重整FinFET发展蓝图 (2018.08.28)
格芯(GLOBALFOUNDRIES) 宣布重要的转型计画，延续 Tom Caulfield年初就任执行长所订定的发展方向。格芯依据 Caulfield 订定的策略方向重整技术组合，以高度成长市场客户为目标，聚焦在供应真正的差异化方案，将重新调整先进FinFET发展蓝图，并成立独资子公司设计客制 ASICs |
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ANSYS解决方案获台积电先进5奈米制程认证 (2018.05.11)
ANSYS宣布ANSYS RedHawk和ANSYS Totem已获得台积电（TSMC）最新5奈米FinFET制程认证，台积电的ANSYS认证包括萃取（extraction）、电源完整性和可靠度、以及讯号电子飘移（signal EM）可靠度分析 |
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ANSYS解决方案获台积电先进5奈米制程认证 (2018.05.11)
ANSYS宣布ANSYS RedHawk和ANSYS Totem已获得台积电（TSMC）最新5奈米FinFET制程认证，台积电的ANSYS认证包括萃取（extraction）、电源完整性和可靠度、以及讯号电子飘移（signal EM）可靠度分析 |
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Mentor强化支援台积电5nm、7nm制程及晶圆堆叠技术的工具组合 (2018.05.02)
Mentor宣布该公司Calibre nmPlatform 和Analog FastSPICE (AFS) 平台中的多项工具已通过台积电(TSMC)最新版5奈米FinFET和7奈米 FinFET Plus制程的认证，Mentor 亦宣布，已更新其 Calibre nmPlatform工具，可支援台积电的Wafer-on-Wafer (WoW)晶圆堆叠技术，这些 Mentor工具以及台积电的新制程将能协助双方共同客户更快地为高成长市场实现矽晶创新 |
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Mentor强化支援台积电5nm、7nm制程及晶圆堆叠技术的工具组合 (2018.05.02)
Mentor宣布该公司Calibre nmPlatform 和Analog FastSPICE (AFS) 平台中的多项工具已通过台积电(TSMC)最新版5奈米FinFET和7奈米 FinFET Plus制程的认证，Mentor 亦宣布，已更新其 Calibre nmPlatform工具，可支援台积电的Wafer-on-Wafer (WoW)晶圆堆叠技术，这些 Mentor工具以及台积电的新制程将能协助双方共同客户更快地为高成长市场实现矽晶创新 |
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高通推出 10 奈米制程单晶片视觉智慧平台 增强运算功能 (2018.04.13)
行动处理器大厂高通（Qualcomm）宣布推出高通视觉智慧平台（Qualcomm Vision Intelligence Platform）。在该平台中，搭载了首款采用先进 10 奈米 FinFET 制程技术，专门针对物联网（IoT）打造的系统单晶片（SoC）系列━━QCS605 和 QCS603 |
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高通推出 10 奈米制程单晶片视觉智慧平台 增强运算功能 (2018.04.13)
行动处理器大厂高通（Qualcomm）宣布推出高通视觉智慧平台（Qualcomm Vision Intelligence Platform）。在该平台中，搭载了首款采用先进 10 奈米 FinFET 制程技术，专门针对物联网（IoT）打造的系统单晶片（SoC）系列━━QCS605 和 QCS603 |
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联发科通过7奈米FinFET矽认证 强化ASIC产品布局 (2018.04.10)
IC 设计大厂联发科宣布，推出业界第一个通过7奈米FinFET矽认证（Silicon-Proven）的 56G PAM4 SerDes 矽智财（IP），进一步扩大其 ASIC 产品阵线。
联发科表示，56G SerDes 解决方案乃基於数位讯号处理（DSP）技术，采用高速传输讯号 PAM4，具备一流的性能、功耗及晶粒尺寸（Die-area） |
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联发科通过7奈米FinFET矽认证 强化ASIC产品布局 (2018.04.10)
IC 设计大厂联发科宣布，推出业界第一个通过7奈米FinFET矽认证（Silicon-Proven）的 56G PAM4 SerDes 矽智财（IP），进一步扩大其 ASIC 产品阵线。
联发科表示，56G SerDes 解决方案乃基於数位讯号处理（DSP）技术，采用高速传输讯号 PAM4，具备一流的性能、功耗及晶粒尺寸（Die-area） |
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格罗方德为IBM提供客制化的14奈米FinFET技术 (2017.09.22)
半导体大厂GLOBALFOUNDRIES (格罗方德半导体，GF)表示，其14nm High Performance (HP) 技术现已进入量产，此技术将运用於 IBM 新一代伺服器系统的处理器。在大数据和认知运算时代，这项由双方共同研发的14HP 制程，将协助IBM为其支援的云端、商务及企业级解决方案提供高效能及资料处理能力等两大优势 |
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格罗方德为IBM提供客制化的14奈米FinFET技术 (2017.09.22)
半导体大厂GLOBALFOUNDRIES (格罗方德半导体，GF)表示，其14nm High Performance (HP) 技术现已进入量产，此技术将运用於 IBM 新一代伺服器系统的处理器。在大数据和认知运算时代，这项由双方共同研发的14HP 制程，将协助IBM为其支援的云端、商务及企业级解决方案提供高效能及资料处理能力等两大优势 |
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新思科技成功完成台积电7奈米FinFET制程IP组合投片 (2017.09.19)
新思科技今日宣布针对台积电7奈米制程技术，已成功完成DesignWare 基础及介面PHY IP组合的投片。与16FF+制程相比，台积电7奈米制程能让设计人员降低功耗达60%或提升35%的效能 |
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新思科技成功完成台积电7奈米FinFET制程IP组合投片 (2017.09.19)
新思科技今日宣布针对台积电7奈米制程技术，已成功完成DesignWare 基础及介面PHY IP组合的投片。与16FF+制程相比，台积电7奈米制程能让设计人员降低功耗达60%或提升35%的效能 |
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提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术 (2017.06.15)
为满足高阶移动处理器、云端伺服器网路基础设备等应用需求，晶圆代工大厂格罗方德半导体（GLOBALFOUNDRIES）宣布，将推出其具有7奈米领先性能（7nm Leading-Performance，7LP）的FinFET制程技术，且提升了40％的跨越式性能 |
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提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术 (2017.06.15)
提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术
提升40％的性能 格罗方德将推7奈米FinFET制程技术
GLOBALFOUNDRIES CMOS业务部资深副总裁Gregg Bartlett表示，该公司的7奈米FinFET制程技术正在按照计画开发，预期在2018年计划宣布的多样化产品对客户将有强大吸引力 |
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强化电池寿命与VR体验 高通公开更多新处理器细节 (2017.01.04)
去年11月，高通正式公布了旗下Snapdragon835处理器，不过当时除了公开该处理器采用10奈米FinFET制程以及支援Quick Charge4.0技术外，并未透露太快速充电多细节。不过根据外媒报导，高通日前终于公开更多关于Snapdragon835的细节，除了效能提升、支援VR与高画质拍照功能外，高通还表示，该新款处理器较之前代降低了25%的功耗，更可提升2 |
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强化电池寿命与VR体验 高通公开更多新处理器细节 (2017.01.04)
去年11月，高通正式公布了旗下Snapdragon835处理器，不过当时除了公开该处理器采用10奈米FinFET制程以及支援Quick Charge4.0技术外，并未透露太快速充电多细节。不过根据外媒报导，高通日前终於公开更多关於Snapdragon835的细节，除了效能提升、支援VR与高画质拍照功能外，高通还表示，该新款处理器较之前代降低了25%的功耗，更可提升2 |
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锁定物联网应用 格罗方德推22FDX低功耗平台 (2016.11.02)
物联网（IoT）商机无限。针对物联网低功耗晶片需求，国外晶圆代工大厂GlobalFoundries（格罗方德）推出了22FDX平台，其性能表现与FinFET（鳍式场效电晶体）类似，成本与28nm（奈米）接近，且拥有超低耗电，以及超低漏电等优点 |
ITU最主要的工作就是制定无线传输设施的相关规范，例如手机、飞航通讯、航海通讯、卫星通讯系统、广播电台和电视台等无线传输设施，
