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Linear单颗锂电池的I2C电池能量监测器 精度达1% (2010.03.04)
凌力尔特（Linear）日前发表电池能量监测器（gas gauge）LTC2941/LTC2942，其具备用于2.7V至5.5V系统的I2C接口。与大多数电荷计量器（coulomb counter）透过数字取样及积算电流来推断充电所不同的是， LTC2941/LTC2942使用连续时间模拟积分器来直接量测充电，因此可产生最少的偏移和增益误差，而能达到更佳的总充电准确性 |
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Diodes新型高压二极管数组足以抵挡电话线路瞬变 (2010.03.03)
Diodes近日推出MMBD5004BRM四重开关二极管数组，该组件的额定击穿电压为400V，能够针对直接存取配置（DAA）调变解调器尖塞和振铃电话线路接口，以及综合脱机整流应用环境的需要，抵挡最严峻的电话线路瞬变 |
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英飞凌推出全新脱机型LED驱动器设计 (2010.03.03)
英飞凌科技推出最新脱机型LED驱动 IC，支持调光功能，适用于住宅照明用的高效LED灯泡。ICL8001G采取弹性设计，成本效益高，足以替代40W/60W/100W白炽灯泡，并支持各种典型的消费照明应用 |
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英特尔副总裁Thomas Macdonald加入奇尔董事会 (2010.03.03)
CHiL美商奇尔半导体宣布， Thomas R. Macdonald已加入其董事会。Macdonald先生自1988年加入英特尔以来，先后担任过多个部门总经理以及高阶策略微处理器和平台营销管理等职位 |
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ST发表新款MEMS数字罗盘模块 (2010.03.03)
意法半导体（ST）2日宣布，在单一模块内整合3轴数字加速度计和3轴数字磁传感器，这款数字罗盘模块能够满足市场对先进导航功能以及新兴智能型定位服务日益成长成长的需求 |
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英飞凌与Vodafone合作新一代GSM及EDGE技术 (2010.03.03)
英飞凌科技宣布与Vodafone Group Plc合作，扩大双方策略合作伙伴关系，透过充分运用英飞凌行动平台成本优化的优势，协助Vodafone以自家品牌产品进军行动网络装置（MID）市场，提升新兴市场的网络用户体验 |
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瑞萨新款flash MCU提供最低耗电量及改良功能 (2010.03.02)
瑞萨科技宣布推出芯片内建内存（flash MCU）R8C/Mx系列低脚位数MCU，提供业界最低耗电量及改良的功能，包括需要低耗电应用之定时器，例如电动刮胡刀、电动牙刷，及其他小型家用电子装置 |
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浅谈高密度闪存效能与可靠性提升之管理机制 (2010.03.02)
成本一向是闪存发展的重要驱动力，也因此驱动闪存制程密度的快速提升。然而，高密度闪存除了导致数据存取的效能下降外，数据错误率也大幅上升。本文介绍一个「提交式管理机制」来解决高密度闪存效能与可靠性的问题，同时也改善系统初始化及当机回复的效能 |
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GSA将在台湾举办Memory Conference (2010.03.02)
全球半导体联盟（GSA）正式宣布，GSA Memory Conference将于2010年3月16日星期二于台北晶华酒店盛大举行。本活动为业界首次以结合Memory及Logic IC达到更佳系统效能为活动主轴的研讨会 |
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瑞萨新款32位MCU适用于先进驾驶辅助系统 (2010.03.01)
瑞萨科技近日宣布，推出适用于先进驾驶辅助系统之SH74552及SH74562两款32位MCU，可为汽车「主动安全系统（Active safety）」提供障碍物侦测、危险回避等功能，并采用小尺寸13 mm × 13 mm封装、160 MHz高速运作频率、1 MB高速芯片内建闪存，及芯片内建功能如4信道CAN |
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英飞凌推出Android入门级手机平台 (2010.03.01)
英飞凌科技近日宣布，推出XMM 6181–Android入门级智能型手机平台，以满足主流消费市场的需求。XMM 6181利用高度整合系统解决方案支持Android开放式操作系统，有助于将行动社交网络推向大众市场 |
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CISSOID引入新系列P信道高温功率MOSFET晶体管 (2010.03.01)
高温半导体解决方案的CISSOID，引进VENUS的新系列高温30V的P信道功率MOSFET晶体管，其保证操作在摄氐负55度到225度之间。P信道功率MOSFETs的VENUS系列命名为CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A、4A及8A |
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Altair及Aeroflex宣布针对LTE的协同合作 (2010.03.01)
Altair及Aeroflex近日宣布针对LTE的协同合作，透过此项合作，Altair和Aeroflex将进行兼容性功能测试（IOT），以共同进行客户开发和针对预测试和已认证的用户设备（UE）测试设定进行测试 |
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Atom市场波动生变？英特尔和台积电审慎因应 (2010.02.26)
根据国外媒体报导，英特尔和台积电在Atom处理器的合作计划进度，可能已经产生变量。由于客户需求量不如预期，英特尔和台积电在Atom处理器系统单芯片（SoC）的合作计划可能暂告停摆 |
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RAYSPAN发布用于LTE的突破性天线解决方案 (2010.02.26)
RAYSPAN昨日（2/25）宣布针对长期演进（LTE）推出RAYSPAN MTM-E解决方案。MTM-E可以支持低频段698-960 MHz，以及高频段1710-2170 MHz与2.6 GHz 的6个或6个以上频段，且无需任何开关组件或匹配电路的天线解决方案 |
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ST新款加速度计突破尺寸和功耗极限 (2010.02.25)
意法半导体（ST）今（25）日发布，新系列三轴数字加速度计产品。新产品拥有最小的占板面积、大幅降低的电流消耗以及强化的功能。
意法半导体在加速度计设计方面，将传感器尺寸缩小到2 x 2mm，并将100Hz取样频率时的功耗降至10微安培以下（Microampere） |
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节省空间 英飞凌3G平台加入高阶HSPA+功能 (2010.02.25)
英飞凌科技近日宣布，为其3G轻薄型调制解调器家族系列推出最新一代平台XMM 6260。XMM 6260平台是专为智能型手机架构优化的轻薄型调制解调器，除了搭载应用程序处理器，也可单独作为PC调制解调器及数据卡解决方案 |
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TI推全整合型Fusion Digital Power双路功率驱动器 (2010.02.25)
德州仪器（TI）宣布推出一款具备整合型功率MOSFET、保护区块以及监控功能的数字双路同步降压功率驱动器，相较于业界标准的驱动器，此新产品可节省80%的电路板空间与组件使用量 |
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因应绿色节能 三星推40奈米技术4Gb DDR3 (2010.02.24)
三星电子（Samsung）今（24）日宣布，开始量产运用40奈米级制程技术完成的低功耗（节能）4 gigabit（Gb）DDR3产品。此高密度内存将为数据中心（data center）、服务器系统与高阶笔记本电脑节省相当显著的功率 |
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芯片需求大不同 行动市场成华山论剑新舞台 (2010.02.24)
过去数十年来，半导体产业拼技术、拼制程、拼规模、也拼价格。然而时光转换，随着消费市场对行动装置的性能要求越来越严苛，芯片制造商正逐渐将战线延伸到行动市场，针对行动运算需求提供更小体积、更低耗能、更低价格与更快速度的芯片 |
IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
