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金屬中心自預熱間接加熱系統可應用於連續式熱處理爐 (2024.12.18)
在全球興起減碳淨零的浪潮下，台灣產業透過節能技術提升效能強化國際競爭力。能源署2024年度透過科技專案補助金屬中心發展智慧型自預熱式暨間接加熱系統，建立金屬相關產業500℃-950℃中高溫域加熱製程最佳廢熱回收節能技術 |
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半導體生產技術加速演進 高純度氣體供應為成功基礎 (2024.12.18)
在現代半導體製造過程中，氮氣與氧氣扮演著不可或缺的角色。這些氣體不僅是半導體製造環境中重要的組成部分，更是確保製程穩定性與產品良率的關鍵。氮氣因其化學性質穩定，被廣泛用於提供無氧環境以避免氧化反應，並在製造過程中用於清潔與乾燥晶圓 |
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台商PCB產業下半年成長起伏 估2025年產值突破8,000億 (2024.12.17)
儘管現今全球經濟復甦緩慢，但受惠於旺季效應、主流終端產品溫和復甦，以及AI伺服器與網通設備等基礎設施規格提升和低軌衛星市場的推動下，台商印刷電路板（PCB）全球總產值在2024年Q3，仍將穩健成長至2,271億新台幣，達到年增9.6%、季增19.0%；2025年台商生產規模則將以5.7%的幅度持續擴張，總產值達新台幣8,541億元 |
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imec推出無鉛量子點短波紅外線感測器 為自駕和醫療帶來全新氣象 (2024.12.17)
於本周舉行的2024年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）攜手其比利時Q-COMIRSE研究計畫的合作夥伴，展示第一款包含砷化銦（InAs）量子點光電二極體的短波紅外線影像（SWIR）感測器原型 |
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短波紅外線技術新突破 無鉛量子點感測器開啟環保影像新時代 (2024.12.17)
短波紅外線（Short-Wave Infrared, SWIR）是指波長介於1至3微米之間的紅外光譜範圍，位於人眼不可見的光譜之外。SWIR感測器能夠透過偵測材料在此波段的特定反射特性，增強影像的對比度與細節，並分辨對人眼而言看似相同的物品 |
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GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色 |
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半導體面臨快速擴張與人才短缺挑戰 協作機器人助改善現況 (2024.12.16)
隨著半導體製程技術的不斷進步，晶圓製造設備的維護與優化成為產業關鍵議題。現代晶圓廠內，數百種高度複雜的製程設備同時運行，製造奈米級半導體產品需要依賴物理、化學與機器人技術的高度協同 |
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AI智慧工廠啟用 立捷新廠提升自動化產線效能 (2024.12.16)
為達到轉型升級及提升競爭力，中保科技集團旗下立捷國際新建工廠今(16)日正式啟用，中保科董事長林建涵表示，立捷新廠的成立與啟用，宣示該集團正式跨入AI智慧製造關鍵里程 |
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台積電發表N2製程技術 2奈米晶片效能再升級 (2024.12.16)
台積電本週於舊金山舉行的IEEE國際電子元件會議(IEDM)上，發表了其下一代名為N2的2奈米電晶體技術，也是台積電全新的電晶體架構－環繞閘極(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也擁有生產類似電晶體的製程，英特爾和台積電，以及日本的Rapidus都預計在2025年開始量產 |
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製藥產業推動製程連續升級 加速創新研發高值藥品 (2024.12.13)
因應近年來高齡化及全球氣候變遷趨勢，現行醫藥品耗時的批次製造遭逢挑戰。在國際醫藥法規協和會（簡稱ICH），建立連續製造技術及製程品質管控指導方針後，美國、歐盟和日本均積極投入連續、低碳與智慧化產線開發，因此推動台灣醫藥製程升級，降低能源消耗，接軌國際爭取市場商機，已勢在必行 |
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台達啟用全台首座百萬瓦級水電解製氫與氫燃料電池測試平台 推動氫能技術創新 完善能源轉型藍圖 (2024.12.13)
台達於位在台南科學園區的台南二廠正式啟用全台首座百萬瓦（MW）級水電解製氫與氫燃料電池測試平台—「台達淨零科學實驗室」，揭示台達在氫能技術研發上的重大里程碑 |
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推動氫能技術 台達啟用全台首座MW級製氫與燃料電池測試平台 (2024.12.12)
台達今（12）日於位在台南科學園區的台南二廠正式啟用全台首座百萬瓦（MW）級水電解製氫與氫燃料電池測試平台「台達淨零科學實驗室」，強調具備多元測試環境，涵蓋製氫及燃料電池技術於零部件及系統的測試驗證；並與眾多策略夥伴合作 |
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CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點 重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電RAM (FeRAM)定位為先進節點的競爭性記憶體解決方案 |
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鎧俠發表全新記憶體技術OCTRAM 實現超低功率耗 (2024.12.10)
記憶體商鎧俠株式會社（Kioxia Corporation），今日宣布開發出全新記憶體技術OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)，這是一種新型 4F2 DRAM，採用具備高導通電流和超低截止電流的氧化物半導體電晶體 |
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ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係 |
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研究：AI帶動2024年半導體市場復甦 記憶體需求成為關鍵動力 (2024.12.10)
2024年，人工智慧（AI）技術的蓬勃發展不僅改變了多個產業的面貌，更為全球半導體市場注入強大動能。隨著生成式AI應用普及、資料中心升級及高效能運算需求提升，AI不僅是技術創新的焦點，也成為推動全球經濟成長的重要引擎 |
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PCB設計日益複雜 國網中心推出雲平台助產業鏈升級 (2024.12.10)
基於現今無論是通訊、電腦、半導體、車用等各式電子產品，都會用到印刷電路板（Printed Circuit Board，PCB）為核心，而台灣則擁有全球最大PCB產業鏈。國家實驗研究院國家高速網路與計算中心（國研院國網中心） |
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IBM光學互連技術突破 資料中心能耗降低80% (2024.12.09)
為了解決資料中心能耗與運行效能的難題，IBM提出了一項新的技術來因應。該公司發表了一種全新的共封裝光學（CPO）製程，將光學元件直接與電子晶片整合在單一封裝內，使資料中心內的設備能夠以光速進行連接 |
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雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程簡化與顯著的面積縮減，為邏輯元件和靜態隨機存取記憶體（SRAM）開闢了微縮新途徑 |
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半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片內互連的持續微縮、材料創新以突破傳統設計的限制，以及先進封裝技術的提升 |
