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中美矽晶佈局化合物半導體 成功開發各尺寸晶圓產品 (2021.12.22)
中美矽晶集團積極發展化合物半導體，如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中，中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業 |
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MIC：2017台灣半導體產值預估將達2.4兆元 (2017.06.01)
資策會產業情報研究所（MIC）產業顧問周士雄表示，隨著歐美經濟逐漸復甦，2017年台灣半導體產業除了IC設計成長動能相對較緩，其他次產業則因為新產品的帶動而較2016年有所成長，預估2017年台灣半導體產值將達2.4兆新台幣，成長率3.5％ |
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KLA-Tencor為先進積體電路元件技術推出全新量測系統 (2017.03.20)
KLA-Tencor公司針對次十奈米（sub-10nm）積體電路（IC）元件的開發和量產推出四款創新的量?系統：Archer 600疊對量測系統，WaferSight PWG2圖案化晶圓幾何形狀測量系統，SpectraShape10K光學線寬（CD）量測系統和SensArray HighTemp 4mm即時溫度測量系統 |
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英飛凌專為50Hz至20kHz的低切換頻率設計全新等級 IGBT (2015.01.30)
英飛凌科技（Infineon）推出全新等級的低飽和電壓 VCE(sat) IGBT，專為 50Hz 至 20 kHz 的低切換頻率所設計，適用於不斷電系統（UPS）以及太陽光電與焊接系統中的變頻器等應用 |
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行動運算裝置電源設計實務 (2013.05.29)
行動運算裝置電源設計挑戰日益嚴峻。今年國際消費性電子展(CES)和世界行動通訊大會(MWC)中，各大品牌廠無不將變形筆電、平板裝置與平板手機(Phablet)等新型態行動運算裝置視為火力展示重點 |
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英飛凌於 PCIM 展展出 650V TRENCHSTOP 5 (2013.05.17)
英飛凌科技股份有限公司於德國紐倫堡舉行的 PCIM Europe 2013 展會期間展出 650V TRENCHSTOP 5。自 2012 年秋季推出這款新一代薄晶圓絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 後，TRENCHSTOP 5 就獲得了廣大的市場矚目，被視為改變遊戲規則的技術 |
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英飛凌榮獲奧地利國家創新獎 (2013.04.09)
英飛凌科技榮獲 2013 奧地利國家創新獎 (National Innovation Prize)，該公司因其在奧地利菲拉赫(Villach) 廠所開發的 12吋薄晶圓技術而獲獎。英飛凌(奧地利)董事會成員，負責技術及創新的 Sabine Herlitschka 博士代表英飛凌從奧地利經濟部長 Reinhold Mitterlehner 手上接下這座獎項 |
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英飛凌 12吋薄晶圓製造通過品質認證開始出貨 (2013.02.26)
英飛凌科技股份有限公司在 12 吋薄晶圓功率半導體的製程上取得重大突破，公司的 CoolMOS系列產品在二月份取得首筆客戶訂單，由位於奧地利維拉赫 (Villach) 廠房的 12 吋生產線負責生產 |
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IR擴充600V溝道超高速IGBT陣容 (2013.02.21)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充600V絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣容，推出堅固可靠的IRGP4640D、IRGP4650D及IRGP4660D，藉以優化不斷電供應系統 (UPS)、太陽能、感應加熱、工業用馬達和焊接應用 |
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IR Gen8 1200V IGBT技術平台提升效率及耐用性 (2012.11.21)
國際整流器公司(IR)日前推出新一代絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 技術平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術平台利用IR新一代溝道閘極場截止技術。
Gen8設計讓Vce(on) 能夠減少功耗，增加功率密度，以及提供耐用性 |
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英飛凌再度榮膺功率半導體市場寶座 (2012.10.19)
英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 連續九年成為功率半導體市場的領導者。根據市調機構 IMS Research（屬IHS公司）最新報告指出，2011 年全球功率半導體市場總值達 176 億美元，而英飛凌的市占率達 11.9% |
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[分析]Intel投資觸控商背後的算盤 (2012.10.03)
在全球無數的科技公司當中，為何敦泰科技（FocalTech）能獲得英特爾投資的青睞，分得其4000萬美元投資基金的一杯羹呢？
從敦泰發佈的營運資料來看，該公司在觸控領域已有累積逾億顆IC量產出貨的實績，出貨對象主要是中國的觸控手機，在觸控市場的技術實力值得肯定 |
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IR宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體陣營 (2011.11.18)
國際整流器公司（IR）日前宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體（IGBT）陣營，為不斷電系統（UPS）、太陽能、工業用馬達及焊接應用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件。
IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件利用溝道纖薄晶圓技術，減低導通及開關損耗 |
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產能過剩嚴重 太陽能設備營收持續向下 (2011.10.19)
全球太陽能設備支出(含矽錠-模組以及薄膜面板)今年達到歷史高峰131億美金後，預計將在2012年有超過45%的跌幅。迫使太陽能設備供應商不得不重新調整產品規劃，以便能在2012以後設備支出增加時跟上腳步 |
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英飛凌生產出首款300毫米薄晶圓之功率半導體晶片 (2011.10.14)
英飛凌（Infineon）近日發表，已於奧地利菲拉赫（Villach）據點生產出首款300毫米薄晶圓之功率半導體晶片（first silicon），成為全球首家進一步成功採用此技術的公司。採用300毫米薄晶圓生產之晶片的功能特性 |
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QMEMS打造高性能Photo AT元件 (2011.10.13)
在石英晶體應用的市場上，為了達到小型化、高精確度、高可靠性等進階的特性需求，傳統的機械加工製程已面臨技術瓶頸，需要導入新一代的製程技術。採用半導體光微影製程（Photolithography process）的QMEMS技術，正是滿足這些需求的解決方案 |
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鉅景利用微型力特性 推出整合七合一晶片 (2011.10.12)
鉅景科技（ChipSiP）日前宣布，運用SiP核心微型力特點，透過Logic、RF元件以及Turnkey整合設計，打造連結雲端生活所須的輕薄可攜性及隨時連網的智慧裝置。
鉅景科技董事長賴淑楓指出，今年10月將其核心價值力提升，推出整合七合一晶片、9.85mm的平板解決方案以及90g的WiDi（無線影音傳輸） |
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IR為感應加熱應用推出全新超高速1200 V IGBT (2011.09.28)
國際整流器公司 (IR) 於昨（27）日，發表全新超高速溝道絕緣閘雙極電晶體 (IGBTs)，從而優化感應加熱和共振開關應用，例如焊接與高功率整流。
該公司表示，全新1200 V IGBT元件利用IR的纖薄晶圓溝道技術，提供關鍵的性能效益，包括用來降低功率耗散和提升功率密度的低VCE (on) 及超高速開關 |
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IR推出全新絕緣閘雙極電晶體系列 (2011.09.07)
IR（International Rectifier）近日推出，為感應加熱、不斷電系統（UPS）太陽能和焊接應用而設的可靠及高效1200V絕緣閘雙極電晶體（IGBTs）系列。
全新1200V IGBT系列利用纖薄晶圓場終止溝道技術，顯著降低開關及傳導損耗，從而為較高頻率提升功率密度和效率 |
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台灣太陽能產業如何發光發熱？ (2011.08.09)
太陽能電池晶片是整個產業鏈最高獲利的一段，但受下游客戶與需求因素左右。有鑑於此，台灣廠商亦開始思考向上下游垂直整合。但太陽能產業不比3C產業，產品講求的是經久耐用而不是華麗炫目，因此如何讓產品具安全與可靠度，成為產業進一步發展的瓶頸 |
