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力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案 |
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ST推出新一代Bluetooth系統晶片 新增位置追蹤和即時定位功能 (2022.08.10)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出第三代Bluetooth系統晶片（SoC），新增了用於位置追蹤和即時定位的藍牙方向找尋技術。
從透過得知藍牙低功耗（BLE）訊號的方向，藍牙5.3認證系統晶片BlueNRG-LPS能精確估算出物體運動的方向和位置，精準度在公分等級 |
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力旺和熵碼宣布全球首個嵌入式快閃記憶體IP通過聯電矽驗證 (2022.06.28)
力旺電子及其子公司熵碼科技和全球半導體晶圓專工業界的領導廠商聯華電子，今日共同宣布全球首個基於物理不可複製功能（PUF）的嵌入式快閃記憶體（Embedded Flash；eFlash）解決方案通過矽驗證 |
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車用晶片供需2023年見真章！ (2022.03.29)
由於設備建置與認證需要至少約一年的時間，產能最快2023年開出。因此，2022年車用晶片雖然不若2021年吃緊，供需恢復正常最快也要等到2023年。 |
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力旺攜手聯電推出新興非揮發記憶體ReRAM矽智財 (2021.11.04)
力旺電子與聯電(UMC)今日宣布，力旺電子的可變電阻式記憶體（ReRAM）矽智財已成功通過聯電40奈米認證，支援消費性與工業規格之應用。
力旺電子的ReRAM矽智財於聯電40奈米製程驗證成功，充分顯示力旺不但在傳統非揮發記憶體矽智財產品線穩居領先地位，也在新興非揮發記憶體技術研發佈局有成 |
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可在量產中實現良率管理的STT-MRAM磁性測試 (2021.06.02)
由於STT-MRAM（自旋轉移距－磁性隨機存取記憶體）具有快速、非揮發性、耐用，低功耗和可擴展的優點，是目前正迅速獲得關注的新記憶體技術之一。它是替代eFlash的強大候選者，尤其是對汽車、物聯網和其他低功耗應用特別有吸引力 |
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啟方半導體第二代車用0.13微米嵌入式快閃儲存 將於今年量產 (2021.04.06)
韓國積體電路製造代工服務公司啟方半導體(Key Foundry)今天宣佈已成功開發出採用第二代0.13微米嵌入式快閃儲存技術的汽車半導體產品，年內將全面投入量產。
五年多來，啟方半導體借助第一代0.13微米嵌入式快閃儲存技術，不斷推進微控制器(MCU)、觸控(Touch)和自動對焦(Auto Focus)等各種消費類應用產品的量產 |
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TrendForce：中芯進口美系設備露曙光 成熟製程生產暫無疑慮 (2021.03.07)
近日美系主要半導體設備WFE（Wafer Fab Equipment）供應商如Applied Materials、Lam Research、KLA-Tencor、Axcelis，在中芯14nm及以上製程的客服、備品與機台等相關出口申請有望獲許可。
TrendForce認為此舉將有助於中芯在成熟製程優化模組與改善產能瓶頸，使下半年原物料與備品不至斷鏈，預估2021年中芯的全球市占率仍可達4.2% |
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力旺、熵碼攜手聯電 開發PUF應用安全嵌入式快閃記憶體 (2020.12.10)
力旺電子(eMemory)及其子公司熵碼科技(PUFsecurity)與晶圓大廠聯華電子(UMC)今日宣布，三方成功共同開發全球首個PUF應用安全嵌入式快閃記憶體解決方案PUFflash。
熵碼科技的PUFflash結合三方技術強項，將力旺電子的NeoPUF導入聯華電子55nm嵌入式快閃記憶體技術平台，為市場提供了安全嵌入式快閃記憶體解決方案 |
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疫情無礙訂單 第二季全球晶圓代工產值年增2成 (2020.06.11)
根據TrendForce旗下拓墣產業研究院最新調查，2020年第一季晶圓代工訂單未出現大幅度縮減，以及客戶擴大既有產品需求並導入疫情衍生的新興應用，加上2019年同期基期低，全球前十大晶圓代工業者2020年第二季營收年成長逾2成 |
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實現物聯網與雲端運算的新型記憶體技術 (2019.10.04)
研究指出，以 MRAM取代微控制器中的 eFlash 和 SRAM，可節省達 90% 的功耗。這些功耗與面積成本優勢，使得MRAM成為邊緣裝置的理想選擇。 |
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意法半導體NFC技術提供TCL Alcatel 3V手機卓越的連結體驗 (2018.06.13)
意法半導體（STMicroelectronics）宣布TCL通訊為歐洲市場開發的新款Alcatel 3V智慧型手機採用了意法半導體近距離通訊（Near-Field Communication，NFC）技術。
Alcatel 3V智慧型手機的開發重點是透過NFC功能改善使用者體驗和便利性，同時提升射頻性能，而不會過多地消耗電池電量，此乃意法半導體NFC控制器的獨有技術 |
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華虹半導體第二代90nm G1 eFlash製程平台成功量產 (2017.12.27)
華虹半導體宣佈其第二代90奈米嵌入式快閃記憶體90nm G2 eFlash製程平台已成功實現量產，技術實力和競爭力再度加強。
華虹半導體在第一代90奈米嵌入式快閃記憶體(90nm G1 eFlash)製程技術積累的基礎上，於90nm G2 eFlash製程平臺實現了多方面的技術提升 |
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華虹半導體推出12位SAR ADC IP助超低功耗MCU平台 (2017.12.17)
華虹半導體宣佈基於其0.11微米超低漏電（Ultra-Low-Leakage，ULL）嵌入式閃存（eFlash）工藝平台，推出自主設計的超低功耗12位逐次逼近（SAR）型模數轉換器（ADC）（12-Bit SAR ADC）IP |
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車電展登場 瑞薩:台廠可從兩大技術著手切入ADAS應用 (2017.04.19)
2017「台北國際汽車零配件展與台北國際車用電子展」於今(19)日登場，全球最大車用MCU與SoC產品供應商日本瑞薩電子也參與其中，並向台灣媒體揭露其在台車用市場相關佈局，以及該公司針對車用市場的現況發展 |
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瑞薩與台積電合作開發車用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞薩電子與台積公司合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術，以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品，2020年開始量產 |
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奧地利微電子和意法半導體攜手推出安全NFC行動支付與交易解決方案 (2016.01.07)
奧地利微電子（ams）與意法半導體（STMicroelectronics；ST）攜手推出全新的NFC系統參考設計，將為非接觸式交易實現更高的便利性、可靠度及安全性，同時還能符合行動及穿戴式裝置對纖薄外觀的要求 |
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瑞薩電子開發28奈米嵌入式快閃記憶體技術 (2015.05.15)
瑞薩電子（Renesas）宣布已開發全新快閃記憶體技術，可達到更快的讀取與覆寫速度。這項新的技術是針對採用28奈米（nm）嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器（MCU）所設計 |
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英飛凌與格羅方德共同開發 40nm嵌入式Flash製程 (2013.04.30)
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發並合作生產 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重於以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發，以及採用 40nm 製程的車用微控制器及安全晶片的製造 |
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ST推出新微控制器產品 將汽車安全推向更高水準 (2013.03.01)
意法半導體（ST）宣佈，該公司的多核微控制器系列產品再添新成員。新的多核微控制器針對汽車電子功能安全應用，不僅符合最嚴格的汽車安全標準（ISO 26262），並提高了非揮發性記憶體（Non-volatile Memory）的容量，讓客戶可方便地的使用現有元件進行系統升級，更加強了意法半導體的容錯汽車微控制器的產品陣容 |
