<
帳號：
密碼：

討論新聞主題﹕東芝推出第二代650V碳化矽肖特基勢壘二極體

新聞 提要
東芝公司(Toshiba)旗下儲存與電子元件解決方案公司推出第二代650V碳化矽(SiC)肖特基勢壘二極體(SBD)，該二極體將該公司現有產品所提供的順向浪湧電流(IFSM)提高了約70%。新系列八款碳化矽肖特基勢壘二極體出貨即日啟動。 這些新的碳化矽肖特基勢壘二極體採用東芝的第二代碳化矽製程製造，與第一代產品相比，順向浪湧電流提高了約70%，同時開關損耗指標RON * Qc 降低了大約30%，這使它們適用於高效功率因數校正(PFC)方案中。 這些新產品提供4A、6A、8A和10A 4種額定電流，支援非隔離型TO-220-2L封裝或隔離型TO-220F-2L封裝。這些產品有助於提高4K大螢幕液晶電視、投影機和多功能事務機等裝置以及通訊基地台和電腦伺服器等工業設備的電源效率

發表新主題
主題：
文章內容：
  確認碼:  
  一般討論區
一般討論區
新聞報導論壇
活動消息論壇
專欄評析
零組件科技論壇
產業新品中心
  應用論壇區
文章論述論壇
軟體應用論壇
產品應用論壇
Microchip數位電源討論區─贏取大獎
  技術應用區
電子技術類：
電腦科技類：
網際科技類：
軟體資源類：
 
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw