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2024.1月(第99期)電動車智造 (2024.01.04)
因應2023年落幕的COP28協議要求與會國家，
必須在2030年前提高2倍能源效率，
進而發展碳捕存、道路交通減排等相關技術。
包括電動車在內的新能源車因此將持續成長普及，
控制成本能力則成為競爭勝出關鍵要素 |
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巨磁阻多圈位置感測器的磁體設計 (2023.12.27)
本文說明設計磁性系統時必須考慮的一些關鍵因素，以確保在要求嚴苛的應用中也能可靠運行；並且介紹一種磁性參考設計，方便早期採用該技術。 |
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適用於磁感測器製造的高產出量選擇性雷射退火系統 (2020.11.17)
穿隧式磁阻（TMR）感測器製造商Crocus Technology率先採用全新microVEGA xMR系統進行生產應用 |
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意法半導體讓手機和穿戴式裝置在室內和封閉空間提升導航性能 (2016.05.13)
意法半導體（STMicroelectronics：簡稱ST）推出新款電子羅盤，使智慧手機、智慧手錶、健身追蹤器及其它穿戴式裝置擁有更好的導航和健身運動成績記錄功能，即使在衛星導航無法正常工作的情況下，仍能實現出色的定位準確度 |
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革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)
市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵 |
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搶攻主流市場SSD得再加把勁 (2008.10.21)
固態硬碟自研發以來，就被視為儲存解決方案的終極產品。因其絕佳的資料讀寫性能和無使用機械元件的優越耐震性能，因此，許多的廠商都看好SSD有取代傳統硬碟的潛力，且爭相投入SSD的研發與生產，企圖搶佔市場先機 |
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擺脫SSD糾纏 日立將於2010年推出5TB硬碟 (2008.07.04)
外電消息報導，日立（Hitachi）日前宣佈，將於2010年在市場上推出5TB容量的硬碟機，將以相當於人腦儲存容量的優勢，擺脫固態硬碟的糾纏。
據報導，為因應SSD逐步侵蝕既有市場，日立將採取盡可能的提升硬碟儲存容量的策略 |
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非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等 |
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日立奈米技術大突破TB級硬碟容量可望提高四倍 (2007.10.17)
日立與日立環球儲存科技宣佈，成功研發出超小型硬碟讀取磁頭技術，預計能將目前的儲存容量提高四倍，讓桌上型電腦與筆記本型電腦的硬碟容量將可分別達到4TB與1TB。
日立研究人員成功將目前磁頭的尺寸縮小一半以上，新磁頭尺寸在30至50奈米(nm)範圍內，是常人髮絲寬度(約為70至100微米)的1/2000 |
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諾貝爾桂冠貼近產業 (2007.10.10)
硬碟機體積能夠越做越小、資料容量卻越來越大，這得歸功於今年諾貝爾物理獎得主，分別是法國科學家Albert Fert與德國科學家Peter Gruenberg，他們在1988年同時發現了「巨磁阻」(GMR)此一現象，也就是非常微弱的磁場改變會產生更大的電阻改變，業者以敏銳性工具來讀取巨磁阻材料，發展出小巧大容量的硬碟(圖為諾貝爾獎章與硬碟) |
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創新突破的功率感測電路斷路器 (2005.10.01)
對終端電壓會因電池放電而變化的電池應用來說，功率監測要比電流監測更加適合而且安全，新一代的晶片產品大都已整合了構成低成本、高效能全矽化晶片功率感測器的大部分功能，將其內部比較器以及參考電壓與外部MOSFET開關搭配就可以組成一個功率感測式電路斷路器 |
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MRAM──更具行動應用前景的新世代記憶體 (2004.11.04)
MRAM擁有存取速度高、存取次數多、耗電量低及小體積、可嵌入式等特性，較現有的其他記憶體在可攜式電子產品的應用上更具優勢；本文將由MRAM的技術發展趨勢與廠商現況等面向，為讀者介紹此一新世代記憶體的應用前景 |
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找尋夢幻記憶體 (2003.11.05)
記憶體在最近這幾年隨著可攜式產品的發展，有了許多不同的面貌與空間，在終端產品輕、薄、短、小的要求之下，半導體記憶技術自然脫穎而出，而具備非揮發的特性更是重點，因此本文將就未來記憶體型態可能的樣貌進行探討 |
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淺談磁性記憶體技術原理與前景 (2003.11.05)
新一代的磁性隨機存取記憶體不僅擁有flash的非揮發特性，DRAM的高集積度以及SRAM的高速存取特性；同時MRAM還具有相當高的的讀寫次數壽命，幾乎是兼具現有三大記憶體的優點，所以被稱為下一代的夢幻記憶體 |
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巨磁阻隨機存取記憶體(MRAM)工作原理及未來產域應用 (2000.09.01)
由台灣廠商投資的美國聯邦先進半導體科技公司(Union Semiconductor Technology)於7月在台發表巨磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，掀起國內外各界對未來記憶體的發展產生極大的興趣。 |
