 |
英飛凌於馬來西亞興建全球最大8吋SiC晶圓廠 2030年貢獻70億歐元 (2023.08.03)
英飛凌科技宣布，將大幅擴建馬來西亞居林 (Kulim) 晶圓廠，繼之前於 2022 年 2 月宣布的投資計劃之外，將打造全球最大的8 吋碳化矽（SiC）功率晶圓廠。支持這項擴建計畫的動能，包含了約 50億歐元在汽車與工業應用的design-win案件，以及約10億歐元的預付款 |
|
英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
|
盛美上海為Ultra C pr設備新添金屬剝離制程 (2022.11.24)
盛美半導體設備（上海）股份有限公司宣佈其為Ultra C pr設備拓展了金屬剝離（MLO）應用，以支援功率半導體製造和晶圓級封裝（WLP）應用。MLO制程是一種形成晶圓表面圖案的方法，省去了蝕刻制程步驟，可降低成本，縮短制程流程，並減少高溫化學品用量 |
 |
善用智慧倉儲應用 提升企業運營競爭力 (2022.10.26)
2022年，雖然新冠疫情危機走入終章，但俄烏戰爭、通膨、升息、美中晶片戰與景氣衰退直接挑戰產業獲利能力，如何挺過這波亂流，考驗企業的經營能力。想維持競爭力，除了裁員節流、減少資本支出，善用智慧倉儲也是選項之一 |
|
英飛凌攜手台達 以寬能隙元件搶攻伺服器及電競市場 (2022.07.08)
數位化、低碳等全球大趨勢推升了採用寬能隙（WBG）元件碳化矽/氮化鎵（SiC/GaN）的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。
英飛凌科技股份有限公司與台達電子工業股份有限公司兩家全球電子大廠 |
|
Diodes推出超小型CSP蕭特基整流器 可節省電路板空間 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片級封裝（CSP）的高電流蕭特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）達到業界同級最高電流密度，滿足市場對於尺寸更小、更高功率的電子系統需求 |
|
英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和 |
|
盛美半導體獲多台Ultra ECP map及ap電鍍設備訂單 (2022.03.01)
盛美半導體設備宣佈，獲得13台Ultra ECP map前道銅互連電鍍設備及8台Ultra ECP ap後道先進封裝電鍍設備的多個採購訂單，其中10台設備訂單為一家中國頂級積體電路製造廠商的追加訂單 |
|
盛美上海推出ULD技術 槽式濕法清洗設備獲批量採購訂單 (2022.02.15)
盛美半導體設備（上海）股份有限公司，宣佈已接到29台Ultra C wb槽式濕法清洗設備的批量採購訂單，該設備可應用於加工300mm晶圓，其中16台設備的重複訂單來自同一家中國國內代工廠，重複訂單的目的是支援該工廠的擴產 |
|
盛美上海推出新型化合物半導體設備 加強濕法制程產品線 (2022.01.28)
盛美半導體設備（上海）宣布，推出支援化合物半導體製造的綜合設備系列。公司的150-200毫米相容系統將前道積體電路濕法系列產品、後道先進晶圓級封裝濕法系列產品進行拓展，可支援化合物半導體領域的應用，包括砷化鎵 (GaAs)、氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等制程 |
|
盛美半導體晶圓級封裝濕法去膠設備獲IDM大廠重複訂單 (2021.11.12)
盛美半導體設備(ACM)家為積體電路及晶圓級封裝（WLP）提供晶圓處理解決方案。該公司宣佈，一家IDM晶片廠商向其簽發了兩份Ultra C pr濕法去膠設備訂單。訂購的產品將售給該IDM設在中國的工廠，用於在WLP中去除光刻膠 |
|
泓格科技推出RPS系列冗餘電源 確保關鍵設備持續運作 (2021.07.13)
隨著產業不斷升級與創新，從智慧製造、智慧交通與智慧醫療的應用，全都需要穩定可靠的DC 電源，尤其是邊緣運算設備、電腦機房、人工智慧 AI 分析裝置，更是肩負產業的重責大任，這類智慧化的系統都需要穩定的電源，維持設備的正常運作，才能實現智慧升級的願景 |
|
MaximTrinamic嵌入式運動控制模組 用低功耗驅動工業馬達 (2021.03.25)
TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG現已併入Maxim I，日前推出兩款新型插槽式運動控制嵌入式模組及其開發工具，採用獨特的即時無感測器控制技術。這些完備的控制/驅動模組透過在其板上即時處理關鍵功能，使得馬達控制系統的通訊流量保持在較低水準，進而減輕系統處理器的工作負荷 |
|
高能效儲能系統中多階拓撲之優勢 (2020.12.02)
開關元件的功耗降低可減少散熱，較低的諧波內容僅需較少的濾波且 EMI 明顯降低。 |
|
英飛凌全新CoolSiC MOSFET實現無需冷卻風扇的伺服驅動方案 (2020.11.16)
英飛凌科技支援機器人與自動化產業實作免維護的馬達變頻器，今日宣布推出採用最佳化D2PAK-7 SMD封裝、搭載.XT互連技術的全新1200V CoolSiC MOSFET，可實現被動冷卻。相較於矽基解決方案，其損耗可降低達80%，因此不再需要冷卻風扇與相關服務 |
|
盛美半導體滿足先進封裝技術要求 打造濕法製程設備產品 (2020.10.20)
盛美半導體設備（ACM Research，Inc.）宣布為先進封裝客戶打造廣泛的濕法製程設備產品系列，滿足未來的先進技術要求。盛美的成套定制、高端濕法晶圓製程設備，可支援實現銅(Cu)柱和金(Au)凸塊等先進晶圓級封裝製程，以及矽通孔(TSV)、扇出（Fan-out）及小晶片等製程 |
|
英飛凌推出62mm CoolSiC模組 開闢碳化矽全新應用 (2020.07.17)
英飛凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術，已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了250kW以上（此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限）中等功率應用的大門 |
|
英飛凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 採用高壓SMD封裝 (2020.06.08)
繼今年稍早推出的650V產品後，英飛凌科技擴充旗下CoolSiC MOSFET系列電壓等級，現在更新添具專屬溝槽式半導體技術的1700V電壓等級產品。新款1700V表面黏著裝置(SMD)產品充分發揮了碳化矽(SiC)強大的物理特性，提供優異的可靠性和低切換及導通損耗 |
|
英飛凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列 進一步降低切換損耗 (2020.02.25)
英飛凌科技持續擴展其全方位的碳化矽(SiC)產品組合，新增650V產品系列。英飛凌新發表的CoolSiC MOSFET能滿足廣泛應用對於能源效率、功率密度和耐用度不斷提升的需求，包括：伺服器、電信和工業SMPS、太陽能系統、能源儲存和化成電池、UPS、馬達驅動以及電動車充電等 |
|
盛美半導體設備新款晶圓清洗設備開放全球商用 硫酸消耗量僅為數分之一 (2019.12.10)
晶圓濕法清洗設備供應商盛美半導體設備，宣布世界首台槽式與單片清洗集成設備—Ultra C Tahoe，現已在大生產線上正式商用。Ultra C Tahoe清洗設備可應用於光阻劑去除，刻蝕後清洗，離子注入後清洗，CMP後清洗等製程，具有清洗製程效果提升，縮減化學藥液成本，並顯著降低硫酸廢液排放量等優勢 |
