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英飞凌於马来西亚兴建全球最大8寸SiC晶圆厂 2030年贡献70亿欧元 (2023.08.03)
英飞凌科技宣布，将大幅扩建马来西亚居林 (Kulim) 晶圆厂，继之前於 2022 年 2 月宣布的投资计划之外，将打造全球最大的8 寸碳化矽（SiC）功率晶圆厂。支持这项扩建计画的动能，包含了约 50亿欧元在汽车与工业应用的design-win案件，以及约10亿欧元的预付款 |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05)
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显着降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本 |
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盛美上海为Ultra C pr设备新添金属剥离制程 (2022.11.24)
盛美半导体设备（上海）股份有限公司宣布其为Ultra C pr设备拓展了金属剥离（MLO）应用，以支援功率半导体制造和晶圆级封装（WLP）应用。MLO制程是一种形成晶圆表面图案的方法，省去了蚀刻制程步骤，可降低成本，缩短制程流程，并减少高温化学品用量 |
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善用智慧仓储应用 提升企业运营竞争力 (2022.10.26)
2022年，虽然新冠疫情危机走入终章，但俄乌战争、通膨、升息、美中晶片战与景气衰退直接挑战产业获利能力，如何挺过这波乱流，考验企业的经营能力。想维持竞争力，除了裁员节流、减少资本支出，善用智慧仓储也是选项之一 |
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英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08)
数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙（WBG）元件碳化矽/氮化??（SiC/GaN）的需求。这类元件具备独特的技术特性，能够助力电源产品优化性能和能源效率。
英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂 |
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Diodes推出超小型CSP萧特基整流器 可节省电路板空间 (2022.05.04)
Diodes公司（Diodes）宣布推出一系列以超小型晶片级封装（CSP）的高电流萧特基（Schottky）整流器，SDM5U45EP3（5A、45V）、SDM4A40EP3（4A、40V）及SDT4U40EP3（4A、40V）达到业界同级最高电流密度，满足市场对於尺寸更小、更高功率的电子系统需求 |
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英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01)
英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。
这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和 |
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盛美上海获多台Ultra ECP map及ap电镀设备订单 (2022.03.01)
盛美半导体设备（上海）股份有限公司，宣布获得13台Ultra ECP map前道铜互连电镀设备及8台Ultra ECP ap後道先进封装电镀设备的多个采购订单，其中10台设备订单为一家中国顶级积体电路制造厂商的追加订单 |
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盛美上海推出ULD技术 槽式湿法清洗设备获批量采购订单 (2022.02.15)
盛美半导体设备（上海）股份有限公司，宣布已接到29台Ultra C wb槽式湿法清洗设备的批量采购订单，该设备可应用於加工300mm晶圆，其中16台设备的重复订单来自同一家中国国内代工厂，重复订单的目的是支援该工厂的扩产 |
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盛美上海推出新型化合物半导体设备 加强湿法制程产品线 (2022.01.28)
盛美半导体设备（上海）宣布，推出支援化合物半导体制造的综合设备系列。公司的150-200毫米相容系统将前道积体电路湿法系列产品、後道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支援化合物半导体领域的应用，包括砷化?? (GaAs)、氮化?? (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等制程 |
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盛美半导体晶圆级封装湿法去胶设备获IDM大厂重复订单 (2021.11.12)
盛美半导体设备(ACM)家为积体电路及晶圆级封装（WLP）提供晶圆处理解决方案。该公司宣布，一家IDM晶片厂商向其签发了两份Ultra C pr湿法去胶设备订单。订购的产品将售给该IDM设在中国的工厂，用于在WLP中去除光刻胶 |
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泓格科技推出RPS系列冗余电源 确保关键设备持续运作 (2021.07.13)
随着产业不断升级与创新，从智慧制造、智慧交通与智慧医疗的应用，全都需要稳定可靠的DC 电源，尤其是边缘运算设备、电脑机房、人工智慧 AI 分析装置，更是肩负产业的重责大任，这类智慧化的系统都需要稳定的电源，维持设备的正常运作，才能实现智慧升级的愿景 |
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MaximTrinamic嵌入式运动控制模组 用低功耗驱动工业马达 (2021.03.25)
TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG现已并入Maxim I，日前推出两款新型??槽式运动控制嵌入式模组及其开发工具，采用独特的即时无感测器控制技术。这些完备的控制/驱动模组透过在其板上即时处理关键功能，使得马达控制系统的通讯流量保持在较低水准，进而减轻系统处理器的工作负荷 |
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高能效储能系统中多阶拓扑之优势 (2020.12.02)
开关元件的功耗降低可减少散热，较低的谐波内容仅需较少的滤波且 EMI 明显降低。 |
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英飞凌全新CoolSiC MOSFET 实现无需冷却风扇的伺服驱动方案 (2020.11.16)
英飞凌科技支援机器人与自动化产业实作免维护的马达变频器，今日宣布推出采用最隹化D2PAK-7 SMD封装、搭载.XT互连技术的全新1200V CoolSiC MOSFET，可实现被动冷却。相较於矽基解决方案，其损耗可降低达80%，因此不再需要冷却风扇与相关服务 |
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盛美半导体打造晶圆级封装制程设备产品系列 满足先进封装技术要求 (2020.10.20)
IC制造和先进晶圆级封装（WLP）制造设备供应商盛美半导体设备（ACM Research，Inc.）宣布为先进封装客户打造广泛的湿法制程设备产品系列，满足未来的先进技术要求。盛美的成套定制、高端湿法晶圆制程设备，可支援实现铜(Cu)柱和金(Au)凸块等先进晶圆级封装制程，以及矽通孔(TSV)、扇出（Fan-out）及小晶片等制程 |
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英飞凌推出62mm CoolSiC模组 开辟碳化矽全新应用 (2020.07.17)
英飞凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模组系列新添62mm工业标准模组封装产品。62mm封装之产品采用半桥拓扑设计及沟槽式晶片技术，已受到业界的肯定。此封装为碳化矽打开了250kW以上（此为矽基IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门 |
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英飞凌推出新款1700V CoolSiC MOSFET 采用高压SMD封装 (2020.06.08)
继今年稍早推出的650V产品後，英飞凌科技扩充旗下CoolSiC MOSFET系列电压等级，现在更新添具专属沟槽式半导体技术的1700V电压等级产品。新款1700V表面黏着装置(SMD)产品充分发挥了碳化矽(SiC)强大的物理特性，提供优异的可靠性和低切换及导通损耗 |
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英飞凌推出CoolSiC MOSFET 650V系列 进一步降低切换损耗 (2020.02.25)
英飞凌科技持续扩展其全方位的碳化矽(SiC)产品组合，新增650V产品系列。英飞凌新发表的CoolSiC MOSFET能满足广泛应用对於能源效率、功率密度和耐用度不断提升的需求，包括：伺服器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源储存和化成电池、UPS、马达驱动以及电动车充电等 |
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盛美半导体设备新款晶圆清洗设备开放全球商用 硫酸消耗量仅为数分之一 (2019.12.10)
晶圆湿法清洗设备供应商盛美半导体设备，宣布世界首台槽式与单片清洗集成设备Ultra C Tahoe，现已在大生产线上正式商用。Ultra C Tahoe清洗设备可应用於光阻剂去除，刻蚀後清洗，离子注入後清洗，CMP後清洗等制程，具有清洗制程效果提升，缩减化学药液成本，并显着降低硫酸废液排放量等优势 |
