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Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供應系統（UPS）等工業設備 |
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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助於提升開關電源設計能效和可靠性 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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Diodes推出首款極小DSN1406 2A 封裝的肖特基整流器 (2024.03.21)
Diodes 公司發佈特基整流器系列，包括SDT2U30CP3 (30V/2A)、SDT2U40CP3 (40V/2A) 和 SDT2U60CP3 (60V/2A) ，在同級產品中實現了極高的電流密度，以低順向壓降和熱阻的特性，為體積更小且更有效率的可攜式、行動和穿戴式設備克服了設計難題 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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意法半導體熱切換二極體控制器問世 適用於ASIL-D汽車安全關鍵應用 (2023.09.19)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出的STPM801是率先業界所推出之車規整合熱切換的理想二極體控制器，適合汽車功能性安全應用。
這款理想二極體控制器驅動一個外部MOSFET開關二極體，取代過去在輸入反向保護和輸出電壓維持電路中常用的肖特基二極體 |
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智慧節點的遠端運動控制實現可靠的自動化 (2023.08.25)
本文介紹如何在自動化和工業場景中整合新的10BASE-T1L乙太網路實體層標準，將控制器和使用者介面與端點相連接，所有元件均使用標準乙太網路介面進行雙向通訊。 |
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貿澤電子2023年第二季推出近30,000項新品 (2023.07.20)
貿澤電子（Mouser Electronics）為原廠授權代理商，致力於快速導入新產品與新技術，協助超過1,200個半導體及電子元件製造商從設計鏈到供應鏈加快產品的上市速度，將新產品賣到全世界 |
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貿澤即日起供貨安森美EliteSiC碳化矽系列解決方案 (2023.04.12)
貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組（PIM），以及符合AEC-Q100標準的裝置 |
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安森美的EliteSiC碳化矽系列方案提供更高能效 (2023.01.04)
安森美(onsemi)宣佈將其碳化矽(SiC)系列命名為「EliteSiC」。在CES上，安森美展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極體。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能 |
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Bloom Energy選用英飛凌CoolSiC功率元件 助力電源供應 (2022.10.28)
當前的能源危機充分表明全球迫切需要尋找替代能源以建構氣候友善型的能源供應能力。總部位於美國加州的Bloom Energy公司近期選用了英飛凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二極體產品，用於該公司燃料電池產品Bloom’s Energy Server以及Bloom Electrolyzer電解系統中的功率轉換 |
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美超微攜手英飛凌 以高效率功率級產品降低資料中心耗電 (2022.10.27)
為了滿足資料中心的低碳化，雲端、AI/ML、儲存、5G/邊緣領域的需求，美超微電腦與英飛凌科技攜手合作，選用了英飛凌的高效率功率級半導體產品。
美超微伺服器技術副總裁Manhtien Phan表示：「在開發綠色運算平台時，我們會選擇和我們一樣著重於利用能效降低耗電量的廠商 |
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Diodes DC-DC轉換器符合汽車規格 提高輕負載效率降低EMI (2022.08.23)
Diodes公司宣佈其符合汽車規格的DC-DC轉換器系列又添新成員。AP64060Q是一款600mA的同步降壓轉換器元件，輸入電壓範圍為4.5V至40V。
它整合了600mΩ的高側功率MOSFET和300mΩ的低側功率MOSFET，可提供高效的降壓轉換（效率達90%），且佔用的PCB機板空間最小 |
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英飛凌全新 EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200 V單通道閘極驅動器系列 (2021.12.22)
英飛凌科技，推出了EiceDRIVER 1EDN71x6G HS 200V 單通道閘極驅動器IC系列。新產品系列旨在提高CoolGaN肖特基閘極（SG）HEMT的性能，但也相容於其他GaN HEMT和矽MOSFET。閘極驅動器的目標鎖定廣泛應用，包括DC-DC轉換器、馬達驅動器、電信、伺服器、機器人、無人機、電動工具以及 D 類音訊放大器等 |
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保護自動駕駛汽車（AV）控制電路 (2021.04.14)
除非車輛的電子電路具有高度的可靠性和抗電衝擊能力，否則自動駕駛汽車（AV）所提供的安全性和便利性無法實現。 |
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UnitedSiC發佈線上功率設計工具 加速找出理想SiC FET方案 (2021.03.16)
碳化矽（SiC）功率電晶體製造商UnitedSiC推出FET-Jet Calculator，這是一款免費註冊的簡單線上工具，能方便設計人員為不同功率應用和拓撲結構選擇器件和比較器件在其中的效能 |
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英飛凌推出650V碳化矽混合分立式元件 提升車用充電器效能 (2021.03.12)
英飛凌科技推出車用650V CoolSiC混合分立元件，內含一個50A TRENCHSTOP5快速開關IGBT和一個CoolSiC肖特基二極體，能以符合成本效益的方式提升效能和可靠性。將IGBT與肖特基二極體結合 |
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英飛凌推出全新650 V CoolSiC Hybrid IGBT分立元件系列 (2021.02.18)
英飛凌科技推出具 650 V 阻斷電壓，採獨立封裝的 650 V CoolSiC Hybrid IGBT 產品組合。新款 CoolSiC 混合型產品系列結合了 650 V TRENCHSTOP 5 IGBT 技術的主要優點及共同封裝單極結構的CoolSiC 蕭特基二極體 |
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英飛凌CoolSiC助光寶推出80 PLUS鈦金認證電源供應器 (2020.09.25)
數位化趨勢愈加迅速，使伺服器裝置的數量激增，連帶電源需求也不斷上揚。同時，在全球暖化的效應下，如何提升運作的能源效率成為更加重要的課題。由北美80 PLUS計劃(80 PLUS initiative)於2004年所制定的測量標準可用於評估及認證交換式電源供應器(SMPS)的效率 |
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意法半導體推出薄型表面黏著包裝肖特基二極體提升功率密度和效能 (2020.08.24)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新推出26款採用薄型SMA和SMB扁平封裝、額定電壓25-200V、額定電流1-5A的肖特基二極體。
此款二極體的厚度1.0mm，相較標準SMA和SMB封裝產品薄50％，讓設計人員能夠在提升功率密度的同時節省空間 |
