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ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係 |
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ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求 (2024.11.14)
半導體製造商ROHM開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體（SBD）。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器（OBC）等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型 |
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ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、效率和可靠性的先進功率和類比技術，並進行技術交流合作 |
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用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放，世界各國政府紛紛推出立法，要求提高電動馬達的效率。 |
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開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。 |
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TI首款GaN IPM問世 實現更小更具能源效率的高電壓馬達設計 (2024.06.26)
德州儀器 (TI) 推出適用於 250W 馬達驅動器應用的 650V 三相 GaN IPM（Intelligent Power Module）。這款全新 GaN IPM 能協助工程師克服在設計大型家用電器以及暖通空調（HVAC）系統時常面臨的多數設計與性能的問題 |
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Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品組合，Nexperia提供 TO-220-2、TO-247-2 和 D2PAK 額定電流為 6A、16A 和 20A 的工業級裝置-2 包裝有利於更大的設計靈活性 |
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電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。 |
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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27)
半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台灣台達電子（Delta Electronics）的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高產品性能和可靠性的同時，更實現了小型化 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
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ROHM推出EcoGaN Power Stage IC 可助減少應用損耗及實現小型化 (2023.09.04)
近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高，以期實現永續發展，因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下，GaN HEMT的閘極處理較為困難，必須與驅動閘極用的驅動器結合使用 |
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ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新 |
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東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD），這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域 |
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意法半導體100W和65W VIPerGaN功率轉換晶片 可節省空間 (2023.05.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之高壓寬能隙功率轉換晶片系列新增VIPerGaN100和VIPerGaN65兩款產品，適合最大功率100W和65W的單開關準諧振（Quasi-Resonant，QR）返馳式轉換器 |
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ROHM高性能650V耐壓GaN HEMT開始量產 (2023.05.18)
半導體製造商ROHM已開始650V耐壓氮化鎵（GaN）HEMT
「GNP1070TC-Z」、「GNP1150TCA-Z」的量產，此二款產品適用於伺服器和AC適配器等各類型電源系統。
據悉電源和馬達的用電量占全世界用電量的一半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的重要課題 |
