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LED照明成長 推升MOCVD市場需求 (2014.02.11)
Veeco是提供製造LED晶粒的MOCVD設備生產商。MOCVD（有機金屬氣相沈積）是LED製程中非常重要的生產步驟，而且是一個高度複雜的化學製程，藉由成長不同特性的半導體薄膜層之材料結構，得以將電能轉換為光能 |
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R&S與Ubiquisys攜手開發Femtocell量測解決方案 (2009.02.10)
羅德史瓦茲（Rohde & Schwarz,R&S）與智慧型3G微型蜂巢式基地台（Femtocell）供應商Ubiquisys，於日前宣佈已成功地開發Femtocell於產線量產時的量測解決方案，此套系統搭配R&S CMU300專業型基地台測試儀，即能在高速的情況下，確保訊號的精確與穩定 |
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RFMD擴充標準RF零組件內容提供RF切換器系列 (2007.11.23)
RF Micro Devices宣佈其最新成立的多重市場產品事業群(MPG)將為該公司的標準RF零組件產品組合新增RF切換器系列產品。此產品擴展將發揮RFMD日漸成長的內部pHEMT製造業能力，並延伸由RFMD蜂巢式產品事業群(CPG)所驅動，於pHEMT切換器之領導地位 |
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砷化鎵的磊晶技術與應用市場 (2007.04.04)
砷化鎵早年主要是應用於國防太空工業，以及高速電腦元件、高頻測量儀器等特定應用領域。隨著冷戰時代的結束、軍事管制的解除及個人通訊的快速發展，以微波頻率為主的無線通訊已可廣泛用於個人通訊、衛星通訊及光纖通訊等民生用途上 |
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大陸成立首家MBE技術砷化鎵磊晶廠 (2003.02.07)
據中央社報導，中國大陸為扶植無線通訊上游關鍵零組件發展，加上大陸官方、產業界及歸國學人的配合，已成立第一家以分子束磊晶（MBE）技術生產的砷化鎵磊晶廠──北京聖科佳電子 |
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量子點技術將突破光通訊元件瓶頸 (2002.10.30)
光通訊產業是21世紀極具發展潛力的明星產業，為使台灣在該領域能有所發展，近日工研院與德國柏林工業大學簽訂「奈米光電技術合作協議」，雙方以化合物半導體量子點之技術合作為主，共同開發量子點雷射元件、1 |
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E-pHEMT技術開發競賽 (2002.06.05)
III-V E-pHEMT功率放大器的開發過程，可以比喻為一場競賽。本文將介紹安捷倫開發其E-pHEMT元件及製程的經驗，以做為國內砷化鎵產業發展的參考。 |
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磷化銦鎵InGaP HBTs 元件的可靠性討論 (2001.12.05)
隨著無線通信的發展，彷彿無窮盡地在探索 「體積小、性能好、價格便宜」的特性, 這股動力不斷地驅動著設備製造商及其供應商朝這共同的目標邁進。以砷化鎵 (GaAs) 為基礎的異質介面雙極電晶體 (HBT) 技術涵含蓋了上述的三個特性，並持續地對特定應用提供絕佳的解決方案 |
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SiGe HBT技術發展概述 (2001.06.01)
SiGe技術經過這十幾年的研究發展，已漸漸開花結果。 |
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保守看待萌芽期砷化鎵產業 (2001.02.01)
2000年上半年以來，由於資本市場蓬勃發展，使國內多餘的資金不斷尋找新的高科技產業，以期及早切入市場，並作多角化及轉投資布局準備。自從博達及全新在砷化鎵(GaAs)磊晶圓嶄露頭角後，便掀起一股無線通訊熱；陸續有許多上市公司及集團，看好手機市場的發展，投資砷化鎵產業 |
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IrDA在信用卡市場的商機與應用 (2000.09.01)
今年年初，全球信用卡巨擘威士集團(VISA)加入國際IrDA組織，希望創造無卡片的支付時代，以減少現有塑膠信用卡盜刷及偽卡的事件。2000年五月份出版的尼爾遜報告顯示，目前全球塑膠信用卡發行量約20億張，若IrDA能成功切入信用卡市場，就此部份將可單為IrDA收發器市場創造至少600億新台幣的產值，至於其他系統附加產值則難以估算 |
