CTIMES - 搜尋：PECVD

應材發表新晶片佈線技術實現更節能AI運算 (2024.07.09)
基於現今人工智慧（AI）時代需要更節能的運算，尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今（9）日於美國SEMICON WEST 2024展會，發表兩項新材料工程創新技術，旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點，以協助晶片製造商擴展到埃米時代，來提高電腦系統的每瓦效能

應材創新混合鍵合與矽穿孔技術　精進異質晶片整合能力 (2023.07.13)
面對當前國際半導體市場競爭加劇，應用材料公司也趁勢推出新式材料、技術和系統，將協助晶片製造商運用混合鍵合（hybrid bonding）及矽穿孔（TSV）技術，將小晶片整合至先進2.5D和3D封裝中，既提高其效能和可靠性，也擴大了應材在異質整合（heterogeneous integration, HI）領域領先業界的技術範疇

imec矽光子平台整合SiN波導迎擊高頻寬元件的整合挑戰 (2023.01.31)
比利時微電子研究中心（imec）今日受邀至國際光電工程學會（SPIE）美西光電展（Photonics West）舉行講座，同時也宣布其開發之氮化矽（SiN）波導技術與矽光子平台成功進行共整合，且無損高頻寬主動元件的性能

工研院創新展永續技術能量翻轉零碳電力產業 (2021.10.14)
隨著疫情降溫，今（2021）年TIE台灣創新技術博覽會同步以線上加實體展覽的形式亮相，其中以綠能科技為主題的「永續發展館」，就透過「淨零碳排、綠能永續」為展出主軸，彰顯節能、創能、儲能及智慧系統整合4大面向成果，展現提前佈局低碳科技的技術策略，協助相關綠能產業，在面對淨零碳排浪潮時進行綠色轉型

DKSH大昌華嘉引進Kolzer頂尖真空鍍膜解決方案到台灣和日本 (2019.10.08)
專注在亞洲的市場拓展服務供應商大昌華嘉，其科技事業單位專為尋求在亞洲發展業務的科技企業提供服務，日前已與領導業界的真空鍍膜設備製造商Kolzer簽屬在台灣和日本的合作，大昌華嘉將在這兩地為Kolzer提供產品銷售、行銷、應用工程和售後服務

科林研發新增3D NAND微縮產品拓展全晶圓應力管理方案 (2019.08.14)
科林研發公司(Lam Research Corp.)宣佈，推出可協助客戶提高記憶體晶片密度的全新解決方案，以滿足人工智慧和機器學習等應用的需求。透過導入晶背沉積用的VECTOR DT以及晶背和晶邊薄膜去除用的EOS GS濕式蝕刻系統，科林研發進一步擴展了其應力管理產品組合

輕薄且可撓薄膜封裝備受OLED面板廠注目 (2017.08.15)
薄膜封裝（Thin Film Encapsulation，TFE）商機熾熱，根據市調機構UBI Research 2017 OLED封裝年度報告指出，約至2021年將有70％的OLED面板採用薄膜封裝技術。 UBI Research分析師Jang Hyunjun表示，預計TFE封裝適用於窄邊框，以及全螢幕無邊框的可撓式OLED顯示面板技術中，相關製造設備與材料市場也將持續發展

意法加強在射頻功率的市場佔有率，推新款防潮射頻功率產品 (2013.12.20)
意法半導體推出兩款新的防潮射頻（radio-frequency，RF）功率電晶體，藉此提升目標應用在高潮濕環境內的可靠性和耐用性。這兩款50V RF DMOS元件的封裝內被填充凝膠，以防止裸片發生電遷移現象，例如銀枝晶（silver dendrite）遷移

低溫式 PECVD SiNx 薄膜包裝的 OLED 應用-低溫式 PECVD SiNx 薄膜包裝的 OLED 應用 (2012.04.11)
低溫式 PECVD SiNx 薄膜包裝的 OLED 應用

底層閘道薄膜晶體管脈衝的 PECVD 沉積-底層閘道薄膜晶體管脈衝的 PECVD 沉積 (2012.03.01)
底層閘道薄膜晶體管脈衝的 PECVD 沉積

mc-Si:H 的結構，光學和電學表徵：薄膜沉積由PECVD-mc-Si:H 的結構，光學和電學表徵：薄膜沉積由PECVD (2011.10.20)
mc-Si:H 的結構，光學和電學表徵：薄膜沉積由PECVD

高流動性底柵微晶矽 TFT VHF PECVD 沉積-高流動性底柵微晶矽 TFT VHF PECVD 沉積 (2011.10.17)
高流動性底柵微晶矽 TFT VHF PECVD 沉積

設計多孔矽/ PECVD氧化矽防反射塗層的矽太陽能電池-設計多孔矽/ PECVD氧化矽防反射塗層的矽太陽能電池 (2011.07.19)
設計多孔矽/ PECVD氧化矽防反射塗層的矽太陽能電池

散裝和表面鈍化的矽太陽能電池的既遂由氮化矽沉積在工業規模微波PECVD-散裝和表面鈍化的矽太陽能電池的既遂由氮化矽沉積在工業規模微波PECVD (2011.07.15)
散裝和表面鈍化的矽太陽能電池的既遂由氮化矽沉積在工業規模微波PECVD

微晶矽太陽電池製備13.56兆赫 PECVD 反應-微晶矽太陽電池製備13.56兆赫 PECVD 反應 (2011.05.13)
微晶矽太陽電池製備13.56兆赫 PECVD 反應

PECVD 和超級電容器碳奈米管的生產及其應用-PECVD 和超級電容器碳奈米管的生產及其應用 (2011.04.11)
PECVD 和超級電容器碳奈米管的生產及其應用

發展等離子增強化學氣相沉積(PECVD)的TFT柵介質應用-發展等離子增強化學氣相沉積(PECVD)的TFT柵介質應用 (2010.10.18)
發展等離子增強化學氣相沉積(PECVD)的TFT柵介質應用

非晶矽薄膜PECVD反應細胞的誘導以期建立柔性襯底-非晶矽薄膜PECVD反應細胞的誘導以期建立柔性襯底 (2010.09.23)
非晶矽薄膜PECVD反應細胞的誘導以期建立柔性襯底

諾發系統推出晶圓級封裝系列產品 (2010.09.14)
諾發系統近日宣布，推出VECTOR PECVD, INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機型，這些新機型可以和諾發系統的先進金屬連線技術相輔相成，並且展開晶圓級封裝技術（WLP）的需求及市場

諾發發表新一代電漿化學氣相沉積製程 (2010.05.05)
諾發系統日前宣佈，已在VECTOR PECVD平台上開發出，具有晶圓對晶圓間膜厚變異小於2埃的精密抗反射層薄膜（ARL）。這種新製程採用VECTOR特有的多重平台序列式沉積工藝技術架構（MSSP），以達成沉積的ARL薄膜具有格外均勻的薄膜厚度，折射率（n）和消光係數（K）