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默克於韓國安城揭幕旋塗式介電材料應用中心 深化下一代晶片技術支持 (2024.10.24)
默克，正式宣布在韓國安城揭幕最先進的旋塗式介電材料（Spin-on-Dielectric, SOD）應用實驗室。為因應半導體產業中人工智慧蓬勃發展的趨勢，該應用中心將加速開發用於先進記憶體和邏輯晶片的SOD材料 |
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應材發表新晶片佈線技術 實現更節能AI運算 (2024.07.09)
基於現今人工智慧（AI）時代需要更節能的運算，尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今（9）日於美國SEMICON WEST 2024展會，發表兩項新材料工程創新技術，旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點，以協助晶片製造商擴展到埃米時代，來提高電腦系統的每瓦效能 |
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imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21)
於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體（CFET）元件，該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極／汲極金屬接點（contact） |
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可程式光子晶片的未來動態 (2023.07.25)
光子晶片如果能根據不同的應用，透過重新設計程式來控制電路，那麼就能降低開發成本，縮短上市時間，還能強化永續性。 |
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Ansys整合電磁模擬 提供IoT及5G早期階段天線設計 (2023.06.29)
Ansys在 Ansys Discovery 中擴展了前置模擬功能，包含天線的高頻電磁 (Electromagnetics；EM) 建模。此次發佈使研發團隊能同時虛擬探索多個設計領域，進而減少實物原型製作和測試的需求，這有助於加速開發，減少成本，以及提升效能和效率 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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TPCA發表台灣PCB低碳轉型策略 揭示2050淨零排放路徑 (2023.03.31)
台灣電路板協會（TPCA）今（30）日假桃園市南方莊園同時舉辦第十一屆第二次會員大會，與台灣PCB產業低碳轉型策略發布會。包括桃園市長張善政、工業局副局長陳佩利、工研院協理胡竹生、中央大學副校長綦振瀛、電電公會等產官學研代表皆親臨現場，與超過300位會員代表與產業先進，共同見證PCB產業永續里程碑 |
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探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？ (2023.01.19)
大約5年前，imec研究團隊開始探索二元與三元化合物作為未來金屬導線材料的可能性，藉此取代金屬銅。他們設計一套獨特方法，為評估各種潛在的替代材料提供指引。 |
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掌握鐵電記憶體升級關鍵 imec展示最新介面氧化技術 (2022.12.06)
於本周舉行的2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一款摻雜鑭（La）元素的氧化鉿鋯（HZO）電容器，成功取得1011次循環操作與更佳的電滯曲線（電場為1.8MV/cm時，殘留極化值達到30μC/cm2），並減緩了喚醒效應 |
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異質整合晶片夯 宜特推出材料接合應力分析解決方案 (2022.08.11)
隨著不同材料在同一晶片封裝的異質整合成為市場熱門議題，宜特與安東帕(Anton Paar)公司合作推出「材料接合應力強度」分析解決方案，可量測Underfill材料流變特性、異質整合材料間的附著能力與結合強度並計算3D封裝矽通孔(TSV)中銅的力學特性 |
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宜特推出材料接合應力強度分析解決方案 助力異質整合研發 (2022.08.10)
隨著不同材料在同一晶片封裝的異質整合成為市場熱門議題，宜特今10日宣佈，與合作夥伴安東帕（Anton Paar）公司推出「材料接合應力強度」分析解決方案，可量測Underfill材料流變特性、異質整合材料間的附著能力與結合強度並計算3D封裝矽通孔（TSV）中銅的力學特性 |
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非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)
imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度 |
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應材發表新款Endura Ioniq PVD系統 解決2D微縮佈線電阻問題 (2022.05.30)
因應當前晶片廠商正在運用微影技術將晶片縮小至3奈米和以下節點，但是導線越細，電阻便會以倍數增加，導致晶片效能降低，並增加耗電量。若放任佈線電阻的問題不管，先進電晶體的優勢可能會蕩然無存 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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宜特IC電路修補能力 突破5奈米製程 (2021.07.06)
宜特今(7/6)宣佈，其IC晶片FIB電路修補技術達5奈米(nm)製程。這是從2018年首度完成7奈米(nm)製程的樣品後，再次挑戰更先進製程的電路修補，並成功的完成挑戰，協助客戶進行晶片性能優化，加速產品上市 |
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邏輯元件製程技術藍圖概覽（上） (2020.11.10)
愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長，將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。 |
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默克完成併購 新特用材料事業體組織正式啟動 (2020.06.04)
科學與科技公司默克順利將旗下特用材料事業體整併Versum與Intermolecular公司，並正式啟動合併後的新組織。為達到最佳綜效，默克將原本的「半導體科技事業」分為「半導體材料事業」(Semiconductor Materials)與「電子材料供應系統與服務」（Delivery Systems & Services）兩個專門的事業單位 |
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筑波首推TeraSense太赫茲工業應用成像系統 (2020.02.27)
筑波科技於日前舉辦的太赫茲(Terahertz；THz)工業應用研討會，邀請了TeraSense技術專家Ivan Andreev博士，遠從俄羅斯來台分享太赫茲影像(Terahertz Image)測試應用的議題，獲得在場貴賓們的熱烈交流與討論 |
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3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。 |
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5G高頻的PCB設計新思維 (2019.09.11)
5G技術所需的較高頻率，為PCB製造帶來了重大挑戰。而電子裝置不斷縮小的外觀尺寸，也使得挑戰更加嚴峻。PCB必須符合更高標準的效能和品質，以確保5G通訊不中斷。 |
