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2017 R&S年度科技論壇圓滿落幕 (2017.11.21)
羅德史瓦茲 (Rohde & Schwarz, R&S) 於11月15、16兩日分別在台北大直典華及新竹國賓飯店舉辦年度科技論壇「2017 R&S Technology Week in Taiwan」。
本次的科技論壇以主題進行分場，共分為5G 暨 IoT、Sub-6GHz Massive MIMO、mm-Wave 暨 OTA 及車用暨影音等三大主題區 |
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2017 R＆S年度科技論壇將介紹最新5G與IoT量測技術與應用 (2017.11.01)
台灣羅德史瓦茲 (Rohde & Schwarz Taiwan Ltd.) 將在11月15日、16日分別於台北及新竹舉辦其2017年度科技論壇，將以市場應用面為主軸及主題分場方式針對5G行動通訊、IoT、毫米波天線陣列技術、車載通訊標準 (V2X) 、汽車雷達技術、高速影音傳輸及數位電視標準等炙手可熱的議題進行深度討論 |
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安立知將舉行Millimeter Wave/RF高頻技術應用研討會 (2011.09.22)
安立知將於2011年9月22日假國研院奈米元件實驗室舉行Millimeter Wave/RF高頻技術應用研討會，特邀請Anritsu市場技術經理Barry Smith及資深產品經理Steve Reyes，前來分享毫微米波元件微小化設計技術原理，以及高頻微波元件量測應用 |
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「Millimeter Wave/RF高頻技術應用研討會」即將登場 (2011.09.04)
安立知（Anritsu）於日前宣佈，將於2011年9月22日假國研院奈米元件實驗室舉行Millimeter Wave/RF高頻技術應用研討會，當日將由Anritsu市場技術經理Barry Smith及資深產品經理Steve Reyes，前來分享毫微米波元件微小化設計技術原理，以及高頻微波元件量測應用 |
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台積電一廠除役設備轉賣大陸 行政院疑慮 (2002.12.23)
據經濟日報報導，台積電於2002年四月將台積電一廠已除役的6吋晶圓設備，售予亞太科技公司，但亞太又將購自台積電的二手設備轉賣給大陸中緯積體電路公司，此舉已引起行政院陸委會的疑慮，並為仍在審查中的台積電八吋晶圓廠登陸案，又添一抹陰影 |
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奈米神話不是夢？ (2002.07.05)
目前的高科技產業不但要面臨同業競爭，而且在不久的未來，這些不可能的東西都有可能像費曼說的毫微米技術一樣，有變為實際成品的一天，顯示了IC公司未來也將有外患問題 |
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奈米實驗室5日動土 (2002.07.03)
位於交通大學的行政院國科會國家毫微米元件實驗室，為配合國家科技發展，除了更名為國家奈米元件實驗室外，並決定於本月5日正式動土，預計2004年完工。趨時研發環境將獲得大幅提升，許多國內研究單位之資源也能有效整合，使研究方針及成果更為茁壯 |
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Nassda發表HSIM 2.0版 (2002.03.08)
茂積代理的Nassda Corp.8日發表HSIM（TM）2.0版，此為最新版之全晶片電路驗證與分析軟體。當HSIM對類比電路、混合信號電路、記憶體電路、及系統晶片（System-on-Chip，SoC）電路作分析時，分析過程一併考量毫微米電氣和寄生效應 |
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施敏呼籲開放八吋廠登陸 (2002.03.07)
國科會昨天到立法院科技及資訊委員會進行施政報告並備詢，全程長達六個半小時，施敏以國科會毫微米元件實驗室主任身分出席這項會議時，做了以上表示。但他強調，這是個人立場，不代表國科會意見 |
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AMD推出開關速度極快的CMOS電晶體 (2001.12.05)
美商超微半導體(AMD)五日宣佈已成功開發一款開關速度迄今最快的CMOS電晶體。這款電晶體閘長15毫微米(nanometer)(即0.015微米)。AMD計劃利用這一種電晶體開發新一代的微處理器 |
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利用選擇性電化學接觸置換法製作銅導線 (2001.10.05)
目前晶片製造商正著力於銅製程之模組技術及其製程整合以提昇量產製程之良率。本文將探討無電化學電鍍提供選擇性銅導線沈積方法，以克服高深寬比溝渠填充及化學機械研磨過研磨時所遭遇的銅導線淺碟化問題 |
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國家毫微米實驗室發表面板系統技術 (2001.07.27)
國家毫微米實驗室26日發表新製程技術─面板系統技術(system-on-panel)，可將驅動IC、記憶體等電路直接製作在顯示器面板上，可望降低成本至少五成以上，預計六年至10年後量產，台灣是第一個成功完成這項新製程實驗室研究的國家 |
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毫微米科技左右資訊科技社會的未來 (2001.07.23)
日本經濟新聞報導，毫微米科技能直接觀察原子和分子，可望應用在資訊科技、材料、環境、生物等領域，各國都相當關注這項技術的發展。美國去年元月宣布「國家毫微米科技策略」，2001年度對這項研究計畫投注4.22億美元 |
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應用材料推出業界第一套化學氣相沉積TiSiN製程 (2001.03.28)
應用材料日前宣佈推出業界第一套化學氣相沉積TiSiN阻障層（barrier）製程，持續強化在銅製程技術的領導地位。運用應用材料新一代Endura Electra Cu整合式阻障層／種晶層設備平台，結合應用材料現有的自行離子化電漿（SIP：Self Ionized Plasma）物理氣相沉積銅反應室，化學氣相沉積TiSiN製程不僅支援200mm與300mm製程，並且針對下一代0 |
