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ST導入Stackforce wM-Bus協定堆疊 擴展STM32WL生態系統 (2020.07.31)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）和授權合作夥伴Stackforce共同推出一個無線智慧電表系統M-Bus（wM-Bus）匯流排軟體堆疊。利用STM32WL微控制器整合的sub-GHz射頻模組和其所支援之多種方案，該通訊協定堆疊可以透過無線遠端收集量表數據，為智慧電表系統開發商節省物料成本，並提升設計靈活性 |
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萬高芯科技Sub-GHz無線通訊平臺獲Wi-SUN聯盟認證 (2017.11.29)
台灣新創IC 設計公司萬高芯科技今天宣佈，其首款無線Sub-GHz無線通訊平臺 VC7000系列通過了Wi-SUN聯盟PHY認證。
Wi-SUN聯盟PHY認證包括：基於IEEE 802.15.4g規範的PHY一致性測試；基於IEEE 802.15.4g規範的PHY，用於智慧公用事業網路系統，與來自多個晶片供應商的互通性測試 |
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IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝 (2014.12.17)
國際整流器公司（International Rectifier；IR）推出採用高效能4×5 PQFN功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。此項新的封裝選擇使IR的功率模塊產品系列效能得以延伸至更低功率的設計 |
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快捷半導體榮獲Top-10電源產品獎 (2012.10.23)
快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣佈，該公司在中國大陸的電子產業媒體《今日電子》(Electronic Products China)與21ic舉辦的Top-10電源產品獎中，榮獲「最佳開發獎」。
快捷半導體憑著FDPC8011S 25V雙功率晶片非對稱N通道模組 獲得這一獎項 |
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Fairchild 3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET (2012.05.16)
快捷半導體公司(Fairchild) 日前推出一款25V、3.3x3.3mm2低側高雙功率晶片非對稱N通道模組 FDPC8011S，協助設計人員應付這一系統挑戰。
FDPC8011S專為開關頻率更高的應用而開發，在一個採用全Clip封裝內整合1.4mΩ SyncFETTM 技術和一個5.4mΩ控制MOSFET、低品質因子的N通道MOSFET，有助於減少同步降壓應用中的電容數量，同時縮小電感尺寸 |
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用於802.11n MIMO系統之雙矽鍺功率放大器耦合效應 (2007.04.19)
由於無線資料傳輸需求急遽增加，新一代的IEEE 802.11n規格草案採用MIMO技術，希望將多路功率放大器整合在同一塊晶片上。然而，在大訊號操作下，功率放大器之間的訊號耦合效應尚未被驗證，訊號干擾過大將使得原先之線性度條件更加惡化 |
