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英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
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經濟部補助A+企業創新研發淬鍊 聚焦數位減碳及AI應用 (2024.02.15)
因應現今數位減碳及人工智慧（AI）應用需求不斷增加，依經濟部日前召開2024年度A+企業創新研發淬鍊計畫第1次決審會議，共通過4項計畫。
其中由世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶 |
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意法半導體碳化矽技術為致瞻提升電動汽車車載空調控制器效能 (2024.01.30)
意法半導體（STMicroelectronics；ST） 宣布與聚焦於碳化矽（SiC）半導體功率模組和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為其電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化矽（SiC）MOSFET技術 |
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意法半導體碳化矽協助理想汽車加速進軍高壓純電動車市場 (2024.01.05)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）與中國新能源汽車商理想汽車簽立一項碳化矽（SiC）長期供貨協議，而意法半導體將為理想汽車提供碳化矽MOSFET，支援理想汽車進軍高壓電池純電動車市場的策略 |
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意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
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英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合 推出全新電流額定值模組 (2023.09.18)
英飛凌科技推出搭載1200 V TRENCHSTOP IGBT7晶片的62mm半橋和共發射極模組產品組合。模組的最大電流規格高達 800A ，擴展了英飛凌採用成熟的62 mm 封裝設計的產品組合。電流輸出能力的提高為系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能 |
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Magnachip電動汽車PTC加熱器用1200V和650V IGBT開始量產 (2023.09.12)
Magnachip半導體推出專為正溫度系數設計的1200V和650V絕緣柵雙極晶體管（IGBT）（PTC）電動汽車 （EV）加熱器。
新推出的AMBQ40T120RFRTH（1200V）和AMBQ40T65PHRTH（650V）基於Magnachip尖端的場截止溝槽技術，可提供10μs的最短短路耐受時間 |
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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
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貿澤電子2023年第二季推出近30,000項新品 (2023.07.20)
貿澤電子（Mouser Electronics）為原廠授權代理商，致力於快速導入新產品與新技術，協助超過1,200個半導體及電子元件製造商從設計鏈到供應鏈加快產品的上市速度，將新產品賣到全世界 |
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英飛凌新一代1200V CoolSiC溝槽式MOSFET 推動電動出行的發展 (2023.07.05)
英飛凌推出採用TO263-7封裝的新一代車規級1200 V CoolSiC MOSFET。這款新一代車規級碳化矽（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能夠實現雙向充電功能，並顯著降低了車載充電（OBC）和DC-DC應用的系統成本 |
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英飛凌推出全新EiceDRIVER 1200 V半橋驅動器IC系列 (2023.05.12)
英飛凌科技股份有限公司繼推出EiceDRIVER 6ED223xS12T系列1200 V絕緣體上矽（SOI）三相閘極驅動器之後，現又推出EiceDRIVER 2ED132xS12x系列，進一步擴展其產品組合。該驅動器IC系列的半橋配置補充了現有的1200V SOI系列，為客戶提供了更多的選擇以及設計靈活性 |
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ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」 |
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Diodes新款工業級碳化矽MOSFET提升功率高密度 (2023.04.13)
Diodes公司推出碳化矽（SiC）系列新品：DMWS120H100SM4 N通道碳化矽 MOSFET，可以應用於工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等領域，對於更高效率與更高功率密度的需求 |
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貿澤即日起供貨安森美EliteSiC碳化矽系列解決方案 (2023.04.12)
貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨安森美（onsemi）EliteSiC碳化矽（SiC）系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極體、MOSFET、IGBT與SiC二極體功率整合模組（PIM），以及符合AEC-Q100標準的裝置 |
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半導體產業如何推動「綠色低碳」之目標？ (2023.03.30)
碳達峰、碳中和已經成為全球關注的話題。半導體技術的發展是打造綠色低碳社會的重要動力。同時，半導體產業亦積極邁向綠化與低碳化，是碳中和策略目標的積極實踐者 |
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TrendForce看好電動車及再生能源 估2023年SiC產值破22億美元 (2023.03.10)
雖然近期因美系電動車大廠Tesla於投資者大會上，宣佈將減少該公司下一代車用動力系統約75%以上的碳化矽用量而震撼市場。但依TrendForce最新發表研究報告，仍認為受惠於電動車及再生能源業者積極導入下，將推動2023年第三代半導體材料中的碳化矽功率元件產值達22.8億美元，年成長41.4% |
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Diodes推出碳化矽蕭特基勢壘二極體 提高效率和高溫可靠性 (2023.02.08)
Diodes公司今日宣佈推出首款碳化矽（SiC）蕭特基勢壘二極體（SBD）。產品組合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一項650V額定電壓（4A、6A、8A和10A）的產品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V額定電壓（2A、5A和10A）產品 |
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Microchip新型一體化混合動力驅動模組滿足電動航空應用 (2023.01.30)
電動飛機（MEA）設計製造商希望將飛行控制系統從液壓轉換為電動，以減輕重量和設計複雜性。為了滿足航空應用對整合和可配置電源解決方案的需求，Microchip今（30）日推出一款全新的綜合性混合動力驅動模組，可減少開發時間和重量，這是全新電源元件產品系列的首款型號 |
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ST推出ACEPACK SMIT功率元件封裝 提升散熱效率 (2023.01.17)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出多種常用橋式拓撲的ACEPACK SMIT封裝功率半導體元件。相較於傳統穿孔型封裝，意法半導體先進之ACEPACK SMIT封裝能夠簡化組裝製程，提升模組的功率密度 |
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ST推出碳化矽功率模組 提升電動汽車性能及續航里程 (2022.12.19)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出了可提升電動汽車性能和續航里程之大功率模組。意法半導體的新碳化矽（SiC）功率模組已被用於現代汽車（Hyundai）的E-GMP電動汽車平台，以及共用該平台的起亞汽車（KIA） EV6等多種車款 |
