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交大頒授旺宏電子董事長吳敏求名譽博士學位 (2020.05.18)
國立交通大學今（18）日頒授旺宏電子股份有限公司董事長暨執行長吳敏求先生名譽博士學位，表彰其在企業經營及社會公益的重要貢獻。
吳敏求先生是台灣半導體產業的先驅及創新人物 |
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威世科技推出新款8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L封裝 (2015.08.04)
威世科技（VISHAY）推出新款 8 mm x 8 mm x 1.8 mm PowerPAK 8x8L 封裝，旨在針對汽車應用常用的 D2PAK 及 DPAK 器件提供節省空間又節能的高電流替代方案。威世 Siliconix SQJQ402E 40 V TrenchFET功率 MOSFET 是業界首款通過 AEC-Q101 認證且尺寸為 8 mm x 8 mm 的 MOSFET，也是首款採用海鷗腳引線，來消除機械應力的 8 mm x 8 mm 封裝 |
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威世科技VRPower整合DrMOS提供多相於高功率密度調節器POL (2014.12.25)
威世科技（Vishay）推出新型VRPower整合型DrMOS功率級解決方案，提供三種PowerPAK封裝尺寸，以應對高功率高效率多相POL應用領域。威世Siliconix SiC789與SiC788採用MLP66-40L封裝，為Intel 4.0 DrMOS 標準（6 mm x 6 mm）腳位，而SiC620及SiC620R則採用全新的5 mm x 5 mm MLP55-31L封裝，SiC521則是4.5 mm x 3.5 mm的MLP4535-22L封裝 |
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Mouser 供應 Vishay Siliconix TrenchFET 功率 MOSFET (2012.11.23)
Mouser 日前開始供應 Vishay Siliconix的晶片級封裝，並將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。 Vishay Siliconix 的 Si8802 TrenchFet 功率 MOSFET 是採用最小的 0.8mm x 0.8mm 晶片級封裝，亦即 Vishay 的 MICRO FOOT，將導通電阻降至 1.2V 的 N 通道元件 |
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Intersil力邀Andrew Cowell任消費產品資深副總裁 (2011.06.21)
Intersil Corporation近日宣布，Andrew Cowell已加入該公司擔任新設立的消費性電子產品事業群資深副總裁。此新的事業群是由Intersil電源管理和類比暨混合訊號產品事業群內的消費性電子產品線組成 |
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Vishay推出新款p通道功率MOSFET系列 (2008.08.21)
Vishay推出採用PowerPAK SC-75封裝的p通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介於8V～30V的多個器件，這些是採用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。
日前推出的這些器件包括首款採用PowerPAK SC-75封裝的-12V(SiB419DK)及-30V(SiB415DK)單p通道功率MOSFET |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣佈推出15款採用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封裝、濃度為0.8 mm的新型功率MOSFET。
新產品包括用於不同應用的各種配置及額定電壓，除了n通道及p通道的互補對外，還包括n通道及p通道的單路、單路帶肖特基二極體的及雙路的器件 |
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Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET (2008.04.10)
日前，為滿足對可攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積 |
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Vishay新型控制器IC 針對中間匯流排轉換器應用 (2008.03.02)
Vishay推出針對中間匯流排轉換器（IBC）應用的兩款新型控制器IC，這兩款器件是率先將高壓（75V）半橋 MOSFET驅動器與1.6A峰值電流驅動功能以及各種電流監控功能整合在一起的單晶片器件 |
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Vishay推出新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET (2007.11.15)
Vishay推出已通過AEC-Q101認證的新系列汽車用TrenchFET功率MOSFET，該系列包含兩款採用PowerPAK 1212-8封裝且額定結溫為175°C的60V元件。日前推出的元件為在10V柵極驅動時導通電阻為25毫歐的Vishay Siliconix n通道SQ7414EN以及額定導通電阻為65毫歐的p通道SQ7415EN |
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VSH推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET (2007.11.08)
Vishay Intertechnology, Inc.(VSH)推出三款面向OR-ing應用的功率MOSFET，這些器件具有三種封裝選擇，可提供最佳的導通電阻性能，憑借這三款器件，公司將有助於提升固定電信網路的效率 |
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Vishay推出新系列P通道MOSFET (2007.10.11)
Vishay推出新系列P通道MOSFET，這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝（2.05 mm×2.05 mm）時最大導通電阻額定值為29毫歐，採用標準SC-70封裝（2.0 mm ×2.1 mm）時為80毫歐，採用SC-89封裝（1.6 mm×1.6 mm）時為130毫歐 |
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Vishay的MOSFET幫助設計人員簡化電源管理電路 (2007.08.16)
Vishay宣佈推出業界首批在1.2V柵源電壓時具有額定導通電阻值的功率MOSFET，這一進步將幫助設計人員簡化電源管理電路，同時延長可擕式電子系統中的電池運行時間。
額定電壓為1.2V的這些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET導通電壓與移動電子設備中使用的數位IC的1.2V～1.3V工作電壓保持一致，從而可實現更安全、更可靠的設計 |
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Vishay增添四款新型 Siliconix PolarPAK元件 (2007.01.23)
Vishay在具有雙面冷卻功能的PolarPAK功率MOSFET系列中增添了新型n通道20V、30V及40V元件，從而為設計人員提供了通過更出色的MOSFET散熱性能減小系統尺寸及成本的新方式。
這四款新型Vishay Siliconix PolarPAK元件面向電信及資料通信系統中的同步整流、負載點轉換器及OR-ing應用 |
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Vishay提供免費線上MOSFET熱模擬工具 (2006.12.12)
Vishay Intertechnology, Inc.在其網站上推出一款網上工具，可供設計人員詳細模擬在各種應用中Vishay Siliconix MOSFET在運行時的熱效應情況及其受鄰近元件的影響如何。Vishay新推出的ThermaSim（可從http://www.vishay.com/thermal-modelling下載）是一款免費的工具，通過在原型設計前進行詳細的熱模擬，有助於設計人員縮短產品上市時間 |
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Analogic與Siliconix專利侵權訴訟達成和解 (2006.10.23)
專為行動消費性電子元件提供電源管理半導體之開發廠商Analogic，日前與Vishay子公司Siliconix針對專利侵害訴訟達成和解協議，該訴訟係Siliconix於2004年1月向美國加州北區聯邦地方法院提出關於侵犯trench DMOS技術之三項美國專利 |
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簡單閂鎖式過電流錯誤偵測電路介紹 (2006.08.07)
簡易閂鎖式過電流錯誤偵測電路可以在輸入電壓超過2.7V的150μs後立即提供保護，同時也可以透過外部P通道切換開關的閘極電壓限制在電源啟動時帶來衝入電流限制功能。本文將介紹應用於低電壓電路保護，具備快速反應能力的簡易過電流偵測電路 |
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Vishay新型雙光電MOSFET驅動器問世 (2006.02.27)
Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出一款新型固體繼電器——雙光電MOSFET驅動，該器件實現了斷路電壓與短路電流組合。與等同的電機械繼電器設計相比，當與Vishay Siliconix MOSFET相結合時，這款新型VO1263AB可實現更長的產品使用壽命、更高的可靠性及更快速的切換 |
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Vishay新型類比開關實現直接電池運行 (2005.05.26)
Vishay推出一系列可在可擕式應用中實現直接電池運行的新型類比開關。這些新型開關在1.6V～4.3V的整個電壓範圍內具有低導通電阻和低電平邏輯控制，它們主要面向終端產品，包括手機、機頂盒、PDA及媒體播放器 |
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Siliconix incorporated首款n通道MOSFET問世 (2005.04.21)
日前，擁有80.4%股份的Vishay Intertechnology,Inc.子公司Siliconix incorporated宣佈推出將3.4V高閾值電壓與2.7毫歐低導通電阻相結合的首款n通道MOSFET。具有40V和60V版本的這10款新型MOSFET主要用於汽車、工業及固定電信行業中具有電感負載的高溫、高電流應用，例如高端開關、電機驅動及12V板網 |
