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P通道功率MOSFET及其應用 (2024.04.17)
本文透過對N通道和P通道MOSFET進行比較，並介紹說明Littelfuse P通道功率MOSFET，以及探究其目標應用。 |
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英飛凌針對汽車應用推出最低導通電阻 80 V MOSFET OptiMOS 7 (2024.04.16)
英飛凌科技（Infineon）推出最新先進功率 MOSFET 技術— OptiMOS 7 80 V的首款產品IAUCN08S7N013。該產品的特點包括功率密度顯著提高，和採用通用且穩健的高電流SSO8 5 x 6 mm2SMD封裝 |
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Littelfuse超低功耗負載開關IC系列可支援延長電池壽命 (2023.12.28)
Littelfuse公司最新發佈保護積體電路（IC）產品系列中的五款多功能負載開關元件。這些新型負載開關IC是額定電流為2和4A的超高效負載開關，整合真正反向電流阻斷(TRCB)和壓擺率控制功能 |
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Littelfuse新款光隔離光伏驅動器為隔離開關應用提供浮動電源 (2023.12.04)
Littelfuse公司推出新款光隔離光伏驅動器FDA117可產生浮動電源，適用於各行各業隔離開關應用。FDA117專為使用浮動電壓源控制分立式標準功率MOSFET和IGBT裝置設計，可確保低壓驅動輸入側和高壓負載輸出側之間的隔離 |
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博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅逆變器平台 |
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氮化鎵在採用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法規要求在交流/直流電源中使用 PFC 級，藉以促進從電網獲得潔淨電力。PFC 對交流輸入電流進行調整以遵循與交流輸入電壓相同的形狀... |
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STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET 質量因數提升40% (2023.06.15)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）之新款STL120N10F8 N通道100V功率MOSFET擁有極低的閘極－漏極電荷（QGD）和導通電阻RDS（on），質量因數（Figure of Merit，FoM）相較上一代同類產品提升40% |
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英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 W/inch3 |
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英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
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ST：內部擴產與製造外包並進 全盤掌控半導體供應鏈 (2023.05.18)
技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素之一。透過不斷投資具有競爭力的專利技術，擴大內部產能，輔之以外包加工。這是ST在半導體策略上的致勝關鍵。 |
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Diodes推出同步降壓轉換器 提高汽車負載點產品應用效率 (2023.03.16)
Diodes公司推出兩款全新同步降壓轉換器。面向汽車負載點（PoL）產品應用的DIODES AP66200Q及DIODES AP66300Q，涵蓋從3.8V到60V寬大的輸入電壓範圍。這使得12V、24V和48V的汽車系統都可以應用 |
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隔離式封裝的優勢 (2023.02.09)
本文說明高功率半導體的先進封裝有效提升效率及效益的技術與列舉應用範例。 |
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東芝推出汽車 40V N 溝道功率 MOSFET採用新型高散熱封裝 (2023.01.31)
近年來，電動汽車的進展推動對於適應汽車設備功耗增加的組件的需求。東芝電子推出汽車40V N溝道功率 MOSFET—XPQR3004PB和 XPQ1R004PB，它們使用新的 L-TOGL（大型晶體管外形鷗翼引線）封裝，並且具有高漏極電流額定值和低導通電阻，今日開始供貨 |
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ROHM推出小型智慧功率元件 助力安全動作和降低功耗 (2022.12.27)
ROHM針對引擎控制單元和變速箱控制單元等車電系統，以及PLC（Programable Logic Controller）等工控設備，開發出了40V耐壓單通道和雙通道輸出的低側智慧功率元件（Intelligent Power Device，以下簡稱IPD）「BV1LExxxEFJ-C / BM2LExxxFJ-C系列」共8款產品 |
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英飛凌推出全新PQFN 系列源極底置功率MOSFET (2022.12.23)
為了滿足電力電子系統設計趨向追求更先進的效能和功率密度，英飛凌科技（Infineon）在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm2 PQFN 系列，包括有底部冷卻（BSC）和雙面冷卻（DSC）兩個版本 |
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ROHM推出小型化低功耗MOSFET 提升運作效率和安全性 (2022.12.06)
ROHM推出一款小型高效的20V耐壓Nch MOSFET*1「RA1C030LD」，該產品非常適合用於穿戴式裝置、無線耳機等聽戴式裝置、智慧型手機等輕巧型裝置的開關應用。
近年來，隨著小型應用裝置朝向高性能化和多功能化方向發展，裝置內部所需的電量也呈增長趨勢，而電池尺寸的增加，也導致元件的安裝空間越來越少 |
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意法半導體新馬達驅動參考設計可有效簡化工業或家電壓縮機 (2022.12.05)
意法半導體（STMicroelectronics；簡稱ST）推出兩個採用 STSPIN32馬達控制系統級封裝（SiP）馬達驅動器參考設計，可有效簡化工業或家電壓縮機。這兩個參考設計整合馬達控制器與為馬達供電的三相變流機、離線轉換器和輔助電路，同時包括生產級PCB設計和馬達控制韌體 |
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英飛凌推出XDP710數位熱插拔控制器 降低BOM及設計時間 (2022.11.23)
人工智慧（AI）服務對於高效能運算（HPC）資料中心 的持續性需求驅動了此區塊市場的不斷成長。專用 AI 加速器有助於顯著提高這些資料中心的效能和效率。就如同許多關鍵基礎設施系統一樣，可靠性和高可用性對它們來說至關重要且極具挑戰性 |
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2022.11月(第372期)「硬」是安全 (2022.11.01)
自2020年開始，
物聯網裝置的數量首度超過非物聯網設備，
成為全球最主要連上網路的裝置。
而這意味著，現在上網的機器數量，
已遠遠超過人類。
換句話說，
我們的物聯網設備所可能面臨的資安風險 |
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單晶片驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術 改善電源系統設計 (2022.10.27)
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩壓器模組（VRM）應用中的優勢。單晶片DrMOS元件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能 |
