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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件
Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件
Transphorm：normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今（19）日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 （常閉） d-mode氮化鎵平台固有的優勢
宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大學或研究機構也積極地投入氮化鎵相關領域的研究及發展
為大功率三相 AC 馬達選擇和應用機電接觸器 (2022.04.25)
本文以 IE3 電動馬達實作中所使用的Siemens SIRIUS 3RT系列電源接觸器，來說明設計選擇。
用於射頻前端模組的異質三五族CMOS技術 (2020.02.10)
隨著首批商用5G無線網路陸續啟用，愛美科為5G及未來世代通訊應用準備了下世代的行動手持裝置。
鼎機(NC)常閉型電磁閥可在無壓差之下直接操作 (2018.01.04)
鼎機公司生產的電磁閥及電動馬達驅動閥，適用的流體廣泛，電磁閥的規格從1/8吋～4吋、牙口、法蘭口、常閉型（通電開）、常開型（通電閉），規格齊全。材質有鍛造銅、鑄造銅、鑄鐵、精密鑄造不銹鋼#304、#316、塑膠及鐵弗龍閥體，適用於蒸氣、水、空氣、瓦斯、真空、輕油、重油、酸鹼性等流體
ROHM研發：低功耗穿戴型生物感應技術 (2014.12.23)
主旨 半導體製造商ROHM株式會社與神戶大學研究所專攻系統資訊學研技科資訊科學之吉本雅彥教授共同在NEDO企劃之「常閉運算（Normally-Off Computing）基礎技術研發」中，成功研發出適合於次世代穿戴型生物感應器之全球最低超低功耗技術
快捷半導體推出新型FSA125x系列高性能類比開關 (2004.03.29)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）作為成長快速的類比開關解決方案供應商，宣佈即時推出新型FSA125x系列高性能類比開關，適用於行動電話、攜帶型醫療電子和工業測量設備等應用


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