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羅姆旗下SiCrystal與意法半導體擴大SiC晶圓供貨協議 (2024.04.29)
羅姆與意法半導體（STMicroelectronics，ST）宣布，雙方將在意法半導體與羅姆集團旗下SiCrystal現有之6吋碳化矽（SiC）基底晶圓多年長期供貨協定基礎上，繼續擴大合作。根據新簽訂的長期供貨協議，SiCrystal將對意法半導體擴大德國紐倫堡產的碳化矽基底晶圓供應，預計總金額不低於2.3億美元 |
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Aledia取得microLED突破進展 尺寸與色彩精準度創世界紀錄 (2024.04.23)
顯示器奈米線(nanowire)及矽基microLED技術商Aledia今日宣布，為小尺寸microLED ( |
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豪威集團發佈新一代智慧眼鏡單晶片LCOS面板 提供沉浸式體驗 (2024.04.12)
豪威集團發布了新品OP03050。 這是一款低功耗、小尺寸矽基液晶（LCOS）面板，在單一晶片中整合了LCOS陣列、驅動電路、幀緩衝器和介面。 用於擴增實境（AR）、擴展實境（XR）和混合實境（MR）眼鏡和頭戴式顯示器時，OP03050可為即時視訊會議和視訊串流提供高解析度的沉浸式體驗 |
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矽光子技術再進一步 imec展示32通道矽基波長濾波器 (2024.03.26)
本周於美國聖地牙哥舉行的光學網路暨通訊會議（OFC）上，比利時微電子研究中心（imec）在一篇廣受好評的論文中，展示矽基分波多工器（WDM）取得的一項重大性能進展 |
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英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
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TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器（TI）推出兩款新型功率轉換器產品組合，協助工程師在更小的空間內實現更大的功率，以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵（GaN）功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術，可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度 |
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保障下一代碳化矽元件的供需平衡 (2024.02.23)
本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展，從而實現更高的效能和更小的尺寸，並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。 |
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英飛凌與安克成立創新應用中心 合作開發PD快充與節能方案 (2024.01.26)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。英飛凌科技（infineon）近日宣佈與安克創新（Anker Innovations）在深圳聯合成立創新應用中心 |
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英飛凌與Wolfspeed擴展碳化矽6 吋晶圓供應協定 (2024.01.25)
隨著產業供應鏈對碳化矽產品的需求持續增加，英飛凌科技與Wolfspeed 公司共同宣布擴大於 2018 年 2 月所簽署的長期 6 吋碳化 （SiC） 矽晶圓供應協定，並且延長期限。雙方擴展的合作範圍，包括一個多年期的產能預訂協定，進而穩定英飛凌整體供應鏈，以因應汽車、太陽能、電動車應用及儲能系統等領域對於碳化矽半導體需求成長 |
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Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能，因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求 |
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台灣研究團隊開發雙模二維電子元件 突破矽晶圓物理限制 (2024.01.15)
在國科會「A世代前瞻半導體專案計畫」支持下，清華大學電子所蔡孟宇博士、研發長邱博文教授、中興大學物理系林彥甫教授和資工系吳俊霖教授等共同組成的研究團隊，成功開發出新穎的雙模式二維電子元件，不僅突破了傳統矽晶圓的物理限制，還為高效能計算和半導體製程簡化開啟了新的方向 |
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雷射輔助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎，且有如工研院等法人單位輔導，正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務，將加速產業聚落成型 |
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鎖定5G先進基地台及行動裝置應用 imec展示高效能矽基氮化鎵 (2023.12.14)
於本周舉行的2023年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了在8吋矽晶圓上製造的氮化鋁（AlN）／氮化鎵（GaN）金屬—絕緣體—半導體（MIS）高電子遷移率電晶體（HEMT），該元件能在28GHz的操作頻率下展現高輸出功率及能源效率 |
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TI：擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器（TI）擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率 |
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意法半導體持續專注永續發展 加速實現碳中和目標承諾 (2023.11.22)
在過去的幾年裡，我們已經瞭解許多關於ST碳足跡的進展。這一次，CTIMES再與
意法半導體副總裁暨永續發展負責人Jean-Louis Champseix訪談，並將聚焦更多關於減碳議題，也就是意法半導體為社會帶來的積極影響 |
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CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
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MIC：2024年臺灣半導體產業產值達4.29兆新台幣 成長13.7% (2023.11.01)
資策會產業情報研究所（MIC）發布臺灣半導體產業預測，並展望第三類半導體台廠商機，同時關注電子業面臨全球淨零壓力，企業如何規劃短中長期的策略因應。綜觀全球半導體趨勢，2023年以來總體經濟疲弱、終端需求低迷導致企業與消費市場買氣不佳，從終端系統廠到半導體供應鏈業者均面臨庫存水位過高、拉貨力道不足的影響 |
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SiC Traction模組的可靠性基石AQG324 (2023.10.13)
在汽車功率模組的開發過程中，由歐洲電力電子中心主導的測試標準—AQG324非常重要，只有完成根據它的測試規範設計的測試計畫，才能得到廣大的車廠認可，而汽車級SiC功率模組也必須通過AQG324的測試規範 |
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Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏（PV）系統採用Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件 |
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革命性醫療成像 imec用非侵入超音波監測心臟 (2023.09.23)
比利時微電子研究中心（imec）發表一種革命性醫療成像及監測，他們與新創公司Pulsify Medical研發出新一代超音波技術，推動心臟監測技術朝向非侵入式且無需醫師操作的方向發展 |
