 |
Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求 |
|
ROHM研發出150V GaN獨創結構 將閘極耐壓提升至8V (2021.04.14)
半導體製造商ROHM針對工控裝置和通訊裝置等電源電路，將150V GaN HEMT（GaN元件）的閘極耐壓（閘極-源極額定電壓）提升至8V。
近年來，在伺服器系統等設備中，由於IoT裝置的需求日益增長，功率轉換效率的提升和裝置小型化已成為開發重點 |
|
美高森美推出專門用於SiC MOSFET的極低電感SP6LI封裝 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 發佈專門用於高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模組的極低電感封裝。
這款全新封裝專為用於其SP6LI 產品系列而開發，提供適用於SiC MOSFET技術的2.9 nH雜散電感，同時實現高電流、高開關頻率以及高效率 |
|
KEMET 推出KONNEKT技術以微型封裝實現更高的功率密度 (2018.03.07)
KEMET推出新型KONNEKT專利技術，能夠將多個元件組合成單一表面貼裝封裝，實現高功率密度。該技術專為電子工程師設計，其中小型化的高功率密度至關重要。
KEMET與傑出的電力電子設計人員合作，採用瞬液相燒結(TLPS) 的KONNEKT創新技術，開發高效率和高密度的電源轉換器 |
 |
Littelfuse新型IGBT及整流器二極管模組 (2014.05.27)
Littelfuse公司 電路保護領域企業，為其電源控制半導體系列新添兩款產品。 新的半橋電路IGBT模組提供符合行業標準的S、D或WD封裝和最高1200V、600A的額定值，能夠可靠、靈活的提供現代IGBT技術的高效而迅速的開關速度 |
|
ST推出第一款整合手機音頻濾波與ESD保護晶片 (2008.07.09)
為了提升多功能手機的音頻性能，意法半導體推出了專為立體聲耳機的輸出和內部及外接麥克風而設計的界面晶片EMIF06-AUD01F2。 新產品在一個大小僅為2.42 x 1.92mm的flip-chip封裝內，整合了完整的EMI（電磁干擾）濾波和ESD（靜電放電）保護兩大功能 |
|
英飛凌最新OptiMOS 3 MOSFET 現已上市 (2008.05.28)
英飛凌科技於中國國際電源展覽會(CPS EXPO)的會展中，宣佈採用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封裝的OptiMOS 3 40V、60V和80V N通道MOSFET已上市，其無導線封裝處於上述崩潰電壓時，具備最低的導通電阻(RDS(on)) |
