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Microchip IGBT 7功率元件组合优化永续、电动出行和资料中心应用设计 (2024.11.13)
因应电力电子系统设计，功率元件不断发展。Microchip推出采用不同封装、支援多种拓扑结构及电流和电压范围的IGBT 7元件组合，具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的元件尺寸，旨在满足永续、电动汽车和资料中心等高增长细分市场的需求 |
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ROHM成功研发150V GaN元件技术 提升闸极耐压至8V (2021.04.14)
半导体制造商ROHM针对工控装置和通讯装置等电源电路，将150V GaN HEMT（GaN元件）的闸极耐压（闸极-源极额定电压）提升至8V。
近年来，在伺服器系统等设备中，由於IoT装置的需求日益增长，功率转换效率的提升和装置小型化已成为开发重点 |
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美高森美推出专门用於SiC MOSFET的极低电感SP6LI封装 (2018.05.30)
美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用於高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化矽 (SiC) MOSFET功率模组的极低电感封装。
这款全新封装专为用於其SP6LI 产品系列而开发，提供适用於SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感，同时实现高电流、高开关频率以及高效率 |
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KEMET 推出KONNEKT技术以微型封装实现更高的功率密度 (2018.03.07)
KEMET推出新型KONNEKT专利技术，能够将多个元件组合成单一表面贴装封装，实现高功率密度。该技术专为电子工程师设计，其中小型化的高功率密度至关重要。
KEMET与杰出的电力电子设计人员合作，采用瞬液相烧结(TLPS) 的KONNEKT创新技术，开发高效率和高密度的电源转换器 |
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Littelfuse新型IGBT及整流器二极管模块 (2014.05.27)
Littelfuse公司 电路保护领域企业，为其电源控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值，能够可靠、灵活的提供现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度 |
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ST推出第一款整合手机音频滤波与ESD保护芯片 (2008.07.09)
为了提升多功能手机的音频性能，意法半导体推出了专为立体声耳机的输出和内部及外接麦克风而设计的界面芯片EMIF06-AUD01F2。 新产品在一个大小仅为2.42 x 1.92mm的flip-chip封装内，整合了完整的EMI（电磁干扰）滤波和ESD（静电放电）保护两大功能 |
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英飞凌最新OptiMOS 3 MOSFET 现已上市 (2008.05.28)
英飞凌科技于中国国际电源展览会(CPS EXPO)的会展中，宣布采用SSO8(SuperSO8)和S308(Shrink SuperSO8)封装的OptiMOS 3 40V、60V和80V N信道MOSFET已上市，其无导线封装处于上述崩溃电压时，具备最低的导通电阻(RDS(on)) |
