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意法半導體ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）率先推出通過USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range（USB PD 3.1 EPR）規範認證的整合化數位控制器晶片ST-ONEHP。
ST-ONEHP為ST-ONE系列中的第三款控制器，其輸出電壓為28V，可簡化最高額定功率140W的充電器和電源轉接器的開發設計 |
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EPC推出ePower功率級積體電路 實現更高功率密度和簡化設計 (2022.08.11)
宜普電源轉換公司（EPC）推出ePower功率級積體電路，它整合了整個半橋功率級，可在1 MHz工作時實現高達35 A的輸出電流，為高功率密度應用提供更高的性能和更小型化的解決方案，包括DC/DC轉換、馬達控制和D類音頻放大器等應用 |
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意法半導體全新兩款雙通道閘極驅動器簡化電路設計 (2022.02.21)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出兩款雙通道電氣隔離IGBT和碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器，能在高壓電力轉換和工業應用中節省空間，簡化SiC和IGBT開關電路設計。
IGBT驅動器STGAP2HD和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD利用意法半導體最新的電氣隔離技術，並採用SO-36W寬體封裝，可承受6kV瞬態電壓 |
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儒卓力供貨高功率密度的威世N-Channel MOSFET (2020.02.19)
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低導通電阻(RDS(ON))可以最大限度地降低傳導損耗。此外，該器件的680pF低輸出電容(Coss)和28.7nC的最佳化閘極電荷(Qg)則可減少與開關相關的功率損耗 |
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意法半導體無線充電晶片 充電更加快速 (2017.11.22)
意法半導體（STMicroelectronics）開啟行動裝置無線充電時代，推出世界首款支援最新行動裝置充電標準的無線充電控制器晶片。
經常外出的使用者需要將其裝置隨時恢復到足夠的電量，有了無線充電技術，就可以在休息或會議期間，讓行動裝置充電 |
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宜普電源推出高頻單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2017.06.12)
EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體?明系統設計師實現具高效率的負載點系統應用，在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率，及在10 MHz開關時實現超過80%效率。
宜普電源（EPC）推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2111） |
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宜普電源推出單片式氮化鎵半橋功率電晶體 (2015.01.23)
宜普電源轉換公司（EPC）推出EPC2102(60 V)及EPC2103（80 V）增強型單片式氮化鎵半橋元件。可推動48 V轉12 V降壓轉換器在20 A輸出電流下實現超過97%的系統效率。在於透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成為單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及空隙，使電晶體的占板面積減少50% |
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意法半導體採用新節能封裝擴大高能效功率產品陣容 (2013.05.14)
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體推出了首款採用新封裝技術的MDmesh V 超接面（Super-Junction）MOSFET，新封裝可提升家用電器、電視機、個人電腦、電信設備和伺服器開關電源的功率電路能效 |
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針對不同應用領域設計功率型積體電路 (2004.09.03)
隨著消費者對電子產品功能品質需求之提升與環保觀念的抬頭，功率型積體電路（Power IC）的設計成為重要的議題之一；隨著應用環境不同，Power IC的設計理念亦大相逕庭，本文將以「壓電變壓器背光反流器」、「生物感測晶片電源系統」兩個應用做為實例，為讀者深入介紹Power IC的設計要點所在 |
