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意法半导体ST-ONE系列USD PD控制器提升功率至140W (2023.07.12)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)率先推出通过USB-IF之USB Power Delivery Extended Power Range(USB PD 3.1 EPR)规范认证的整合化数位控制器晶片ST-ONEHP。 ST-ONEHP为ST-ONE系列中的第三款控制器,其输出电压为28V,可简化最高额定功率140W的充电器和电源转接器的开发设计
EPC推出ePower功率级积体电路 实现更高功率密度和简化设计 (2022.08.11)
宜普电源转换公司(EPC)推出ePower功率级积体电路,它整合了整个半桥功率级,可在1 MHz工作时实现高达35 A的输出电流,为高功率密度应用提供更高的性能和更小型化的解决方案,包括DC/DC转换、马达控制和D类音频放大器等应用
意法半导体全新两款双通道闸极驱动器简化电路设计 (2022.02.21)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)新推出两款双通道电气隔离IGBT和碳化矽(SiC)MOSFET闸极驱动器,能在高压电力转换和工业应用中节省空间,简化SiC和IGBT开关电路设计。 IGBT驱动器STGAP2HD和SiC MOSFET驱动器STGAP2SICD利用意法半导体最新的电气隔离技术,并采用SO-36W宽体封装,可承受6kV瞬态电压
儒卓力供货高功率密度的威世N-Channel MOSFET (2020.02.19)
SiSS12DN MOSFET在10V下的1.98mΩ低导通电阻(RDS(ON))可以最大限度地降低传导损耗。此外,该器件的680pF低输出电容(Coss)和28.7nC的最隹化闸极电荷(Qg)则可减少与开关相关的功率损耗
意法半导体无线充电晶片 充电更加快速 (2017.11.22)
意法半导体(STMicroelectronics)开启行动装置无线充电时代,推出世界首款支援最新行动装置充电标准的无线充电控制器晶片。 经常外出的使用者需要将其装置随时恢复到足够的电量,有了无线充电技术,就可以在休息或会议期间,让行动装置充电
宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体 (2017.06.12)
宜普电源推出高频单片式氮化镓半桥功率电晶体 EPC2111氮化镓半桥功率电晶体?明系统设计师实现具高效率的负载点系统应用,在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率,及在10 MHz开关时实现超过80%效率
宜普电源推出单片式氮化镓半桥功率晶体管 (2015.01.23)
宜普电源转换公司(EPC)推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥元件。可推动48 V转12 V降压转换器在20 A输出电流下实现超过97%的系统效率。在于透过整合两个eGaN功率场效应电晶体而成为单个元件可以除去印刷电路板上元件之间的相连电感及空隙,使电晶体的占板面积减少50%
意法半导体采用新节能封装扩大高能效功率产品阵容 (2013.05.14)
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体推出了首款采用新封装技术的MDmesh V 超接面(Super-Junction)MOSFET,新封装可提升家用电器、电视机、个人计算机、电信设备和服务器开关电源的功率电路能效
针对不同应用领域设计功率型集成电路 (2004.09.03)
随着消费者对电子产品功能质量需求之提升与环保观念的抬头,功率型集成电路(Power IC)的设计成为重要的议题之一;随着应用环境不同,Power IC的设计理念亦大相径庭,本文将以「压电变压器背光反流器」、「生物感测芯片电源系统」两个应用做为实例,为读者深入介绍Power IC的设计要点所在


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