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經部A+企業創新研發淬煉 創造半導體及電動車應用產值逾25億元 (2024.07.22)
基於半導體及電動車對先進製造領域技術的強烈需求，經濟部產業技術司近日召開今年度第五次「A+企業創新研發淬鍊計畫」決審會議，並陸續通過東聯化學「利用二氧化 |
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應材發表新晶片佈線技術 實現更節能AI運算 (2024.07.09)
基於現今人工智慧（AI）時代需要更節能的運算，尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今（9）日於美國SEMICON WEST 2024展會，發表兩項新材料工程創新技術，旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點，以協助晶片製造商擴展到埃米時代，來提高電腦系統的每瓦效能 |
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應材發表新款Endura Ioniq PVD系統 解決2D微縮佈線電阻問題 (2022.05.30)
因應當前晶片廠商正在運用微影技術將晶片縮小至3奈米和以下節點，但是導線越細，電阻便會以倍數增加，導致晶片效能降低，並增加耗電量。若放任佈線電阻的問題不管，先進電晶體的優勢可能會蕩然無存 |
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貳陸公司（II-VI）以購併、協議串接垂直供應鏈 (2021.11.22)
美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司（II-VI）是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司，甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段，初期若也能同步發展設備與製程，將可帶動效益倍增 |
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Cree謀轉型發展碳化矽 獨霸SiC晶圓市場 (2021.07.14)
相較於第一代半導體材料的矽（Si）與第二代半導體材料的砷化鎵（GaAs），碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等第三代寬能隙半導體材料擁有高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性 |
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aveni S.A.電鍍化學技術 將銅互連擴展至5nm以下節點 (2018.01.04)
為2D互連和3D矽穿孔封?提供濕沉積技術與化學材料的開發商與生產商aveni S.A.宣佈，其已獲得成果顯示可有力支持在先進互連的後段製程中，在5nm及以下技術節點可繼續使用銅 |
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電接枝技術助益3D TSV製程 (2016.07.28)
金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵製程之一。在TSV的常規金屬沉積製程中，阻障和晶種步驟使用的是傳統的自上而下的沉積製程，用來實現高深寬比TSV的金屬化時，可能會給傳統製程帶來一些挑戰 |
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諾發系統推出晶圓級封裝系列產品 (2010.09.14)
諾發系統近日宣布，推出VECTOR PECVD, INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機型，這些新機型可以和諾發系統的先進金屬連線技術相輔相成，並且展開晶圓級封裝技術（WLP）的需求及市場 |
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NEXX Systems獲Alchimer技術授權 (2008.11.18)
奈米TSV金屬化公司Alchimer,S.A.日前宣佈已授權其eG ViaCoat產品予矽晶穿孔（TSV）應用之電解沉積系統NEXX Systems,Inc公司，作為生成TSV金屬鍍層細薄、保形的銅晶種層使用。
根據協議 |
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利用選擇性電化學接觸置換法製作銅導線 (2001.10.05)
目前晶片製造商正著力於銅製程之模組技術及其製程整合以提昇量產製程之良率。本文將探討無電化學電鍍提供選擇性銅導線沈積方法，以克服高深寬比溝渠填充及化學機械研磨過研磨時所遭遇的銅導線淺碟化問題 |
