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经部A+企业创新研发淬炼 创造半导体及电动车应用产值逾25亿元 (2024.07.22)
基於半导体及电动车对先进制造领域技术的强烈需求，经济部产业技术司近日召开今年度第五次「A+企业创新研发淬链计画」决审会议，并陆续通过东联化学「利用二氧化 |
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应材发表新晶片布线技术 实现AI更节能运算 (2024.07.09)
基於现今人工智慧（AI）时代需要更节能的运算，尤其是在晶片布线和堆叠方式对於效能和能耗至关重要。应用材料公司今（9）日於美国SEMICON WEST 2024展会，发表两项新材料工程创新技术，旨在将铜互联电网布线微缩到2奈米及以下的逻辑节点，以协助晶片制造商扩展到埃米时代，来提高电脑系统的每瓦效能 |
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应材发表新款Endura Ioniq PVD系统 解决2D微缩布线电阻问题 (2022.05.30)
因应当前晶片厂商正在运用微影技术将晶片缩小至3奈米和以下节点，但是导线越细，电阻便会以倍数增加，导致晶片效能降低，并增加耗电量。若放任布线电阻的问题不管，先进电晶体的优势可能会荡然无存 |
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贰陆公司（II-VI）以购并、协议串接垂直供应链 (2021.11.22)
美国雷射光学元件设计制造商贰陆公司（II-VI）是全球第一家试制并发表8吋SiC基板的公司，甚至还自行开发SiC长晶等设备。台湾在化合物半导体的应用仍在萌芽阶段，初期若也能同步发展设备与制程，将可带动效益倍增 |
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Cree谋转型发展碳化矽 独霸SiC晶圆市场 (2021.07.14)
相较于第一代半导体材料的矽（Si）与第二代半导体材料的砷化镓（GaAs），碳化矽（SiC）与氮化镓（GaN）等第三代宽能隙半导体材料拥有高电子迁移率、直接能隙与宽能带等特性 |
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aveni S.A.电镀化学技术 将铜互连扩展至5nm以下节点 (2018.01.04)
为2D互连和3D矽穿孔封?提供湿沉积技术与化学材料的开发商与生产商aveni S.A.宣布，其已获得成果显示可有力支持在先进互连的後段制程中，在5nm及以下技术节点可继续使用铜 |
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接枝技术助益3D TSV制程 (2016.07.28)
金属沉积是成功的TSV性能的关键制程之一。在TSV的常规金属沉积制程中，阻障和晶种步骤使用的是传统的自上而下的沉积制程，用来实现高深宽比TSV的金属化时，可能会给传统制程带来一些挑战 |
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诺发系统推出晶圆级封装系列产品 (2010.09.14)
诺发系统近日宣布，推出VECTOR PECVD, INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新机型，这些新机型可以和诺发系统的先进金属联机技术相辅相成，并且展开晶圆级封装技术（WLP）的需求及市场 |
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NEXX Systems获Alchimer技术授权 (2008.11.18)
奈米TSV金属化公司Alchimer,S.A.日前宣布已授权其eG ViaCoat产品予硅晶穿孔（TSV）应用之电解沉积系统NEXX Systems,Inc公司，作为生成TSV金属镀层细薄、保形的铜晶种层使用。
根据协议 |
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利用选择性电化学接触置换法制作铜导线 (2001.10.05)
目前晶片制造商正着力于铜制程之模组技术及其制程整合以提升量产制程之良率。本文将探讨无电化学电镀提供选择性铜导线沉积方法，以克服高深宽比沟渠填充及化学机械研磨过研磨时所遭遇的铜导线浅碟化问题 |
